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標(biāo)簽 > 寬禁帶半導(dǎo)體
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克服碳化硅制造挑戰(zhàn),助力未來(lái)電力電子應(yīng)用
幾十年來(lái),硅(Si)一直是半導(dǎo)體行業(yè)的主要材料——從微處理器到分立功率器件,無(wú)處不在。然而,隨著汽車(chē)和可再生能源等領(lǐng)域?qū)ΜF(xiàn)代電力需求應(yīng)用的發(fā)展,硅的局限...
杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司近日宣布成功完成近億元的Pre-A輪融資,同時(shí)與杭州銀行達(dá)成重要戰(zhàn)略合作。本輪融資由九智資本領(lǐng)投,普華資本鼎力參與,彰顯了資本市場(chǎng)...
2024-08-12 標(biāo)簽:半導(dǎo)體寬禁帶半導(dǎo)體 584 0
開(kāi)關(guān)損耗更低、效率更高,增速超越SiC,GaN開(kāi)始進(jìn)軍光儲(chǔ)、家電市場(chǎng)
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃山明)隨著以SiC、GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體材料被推出以后,因其優(yōu)秀的特性,迅速在多種電力電子設(shè)備中應(yīng)用。目前來(lái)看,GaN已經(jīng)在...
2024-07-04 標(biāo)簽:SiCGaN寬禁帶半導(dǎo)體 4441 0
西安電子科技大學(xué)馬曉華團(tuán)隊(duì):蹚出寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新之路
來(lái)源:西安電子科技大學(xué) 6月24日,2023年度國(guó)家科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)在京揭曉,共評(píng)選出250個(gè)項(xiàng)目和12名科技專(zhuān)家。其中,國(guó)家最高科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)2人,國(guó)家自然科學(xué)...
2024-07-02 標(biāo)簽:寬禁帶半導(dǎo)體 394 0
8英寸SiC投產(chǎn)進(jìn)展加速,2025年上量
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)聞泰科技旗下安世半導(dǎo)體近日宣布,計(jì)劃投資2億美元研發(fā)下一代寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)品,包括SiC和GaN。與此同時(shí),安世半導(dǎo)體的第一...
2024-07-01 標(biāo)簽:功率器件SiC寬禁帶半導(dǎo)體 1.9萬(wàn) 0
安世半導(dǎo)體斥資2億美元擴(kuò)產(chǎn)德國(guó)基地,聚焦寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)
在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)日新月異的今天,芯片制造商N(yùn)experia(安世半導(dǎo)體)再次展現(xiàn)了其前瞻性的戰(zhàn)略布局。近日,該公司宣布將投資高達(dá)2億美元,用于在德國(guó)漢堡...
2024-06-29 標(biāo)簽:SiC寬禁帶半導(dǎo)體安世半導(dǎo)體 541 0
安世半導(dǎo)體宣布2億美元投資,加速寬禁帶半導(dǎo)體研發(fā)與生產(chǎn)
在全球半導(dǎo)體市場(chǎng)日新月異的今天,荷蘭半導(dǎo)體制造商N(yùn)experia(安世半導(dǎo)體)近日邁出了重大的一步。這家以技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)品質(zhì)量著稱(chēng)的公司宣布,計(jì)劃投資高達(dá)...
2024-06-28 標(biāo)簽:碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體安世半導(dǎo)體 592 0
安世半導(dǎo)體Nexperia將在漢堡投資2億美元研發(fā)下一代寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)品(WBG)
半導(dǎo)體制造商N(yùn)experia(安世半導(dǎo)體)近日宣布,計(jì)劃投資2億美元(約合1.84億歐元)研發(fā)下一代寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)品(WBG),例如碳化硅(SiC)和氮...
安世半導(dǎo)體受邀參加2024第三代半導(dǎo)體技術(shù)與產(chǎn)業(yè)鏈創(chuàng)新發(fā)展論壇
在高頻高壓應(yīng)用領(lǐng)域,寬禁帶材料不可替代的優(yōu)勢(shì)正在加速相關(guān)產(chǎn)品的研發(fā)與落地應(yīng)用。制造技術(shù)的進(jìn)步,也讓其成本更有競(jìng)爭(zhēng)力。需求拉動(dòng)疊加成本降低,寬禁帶半導(dǎo)體的...
2024-06-19 標(biāo)簽:MOSFET寬禁帶半導(dǎo)體安世半導(dǎo)體 891 0
注冊(cè)開(kāi)放,搶占坐席 | 英飛凌寬禁帶論壇全日程首發(fā)
當(dāng)今,氣候變化與如何應(yīng)對(duì)持續(xù)增長(zhǎng)的能源需求已經(jīng)成為人類(lèi)面臨的共同挑戰(zhàn),而寬禁帶半導(dǎo)體高度契合節(jié)能減排需求,并在能源轉(zhuǎn)型中為減緩氣候變化做出重要貢獻(xiàn)。以碳...
2024-06-18 標(biāo)簽:英飛凌能源寬禁帶半導(dǎo)體 360 0
功率電子學(xué)在現(xiàn)代科技領(lǐng)域扮演著舉足輕重的角色,尤其是在可再生能源和電動(dòng)交通領(lǐng)域。為了滿(mǎn)足日益增長(zhǎng)的高效率、小巧緊湊組件的需求,我們需充分認(rèn)識(shí)并保證寬禁帶...
2024-06-07 標(biāo)簽:SiCGaN寬禁帶半導(dǎo)體 751 0
三安光電碳化硅業(yè)務(wù)迎來(lái)高成長(zhǎng)契機(jī)
碳化硅功率器件及模塊正加速?gòu)母叨水a(chǎn)品向下滲透?!艾F(xiàn)在售價(jià)為20萬(wàn)元以上的800V電動(dòng)汽車(chē),碳化硅功率器件滲透率約為一半,可以全驅(qū)配置,或只配置主驅(qū)。
2024-04-11 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)逆變器光伏發(fā)電系統(tǒng) 345 0
西電與極海微電子舉行產(chǎn)學(xué)研就校企合作簽約儀式
3月15日,西電與極海微電子股份有限公司在寬禁帶半導(dǎo)體國(guó)家工程研究中心舉行產(chǎn)學(xué)研就校企合作簽約儀式暨杰出校友成長(zhǎng)奮斗故事分享會(huì),
2024-03-20 標(biāo)簽:微控制器集成電路寬禁帶半導(dǎo)體 1297 0
國(guó)內(nèi)外碳化硅產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)比對(duì)分析
碳化硅具有禁帶寬度大、熱導(dǎo)率高、電子飽和漂移速率大、臨界擊穿電場(chǎng)高、介電常數(shù)低及化學(xué)穩(wěn)定性好等諸多優(yōu)點(diǎn),是具有廣闊發(fā)展?jié)摿Φ牡谌滦桶雽?dǎo)體材料。
2024-01-24 標(biāo)簽:SiC碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體 1916 0
三安與朗明納斯達(dá)成美洲獨(dú)家銷(xiāo)售協(xié)議,加速寬禁帶半導(dǎo)體市場(chǎng)拓展
據(jù)了解,三安半導(dǎo)體與朗明納斯均為三安光電集團(tuán)的子公司,2013年,三安光電收購(gòu)了朗明納斯100%股權(quán)。
2024-01-12 標(biāo)簽:SiCGaN功率半導(dǎo)體 531 0
寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)的前沿發(fā)展有哪些
逆變器是將直流電轉(zhuǎn)換為交流電的電源電路。在應(yīng)用設(shè)備中,為了實(shí)現(xiàn)節(jié)能,對(duì)小型、輕量、高效的逆變器的需求不斷增加。為了實(shí)現(xiàn)逆變器的高速運(yùn)行,已經(jīng)提出使用寬帶...
2023年半導(dǎo)體企業(yè)相關(guān)收購(gòu)案有哪些?
2023年,半導(dǎo)體市場(chǎng)的逆風(fēng)周期仍未過(guò)去,企業(yè)收并購(gòu)的腳步卻不曾停歇。根據(jù)公開(kāi)的信息,《中國(guó)電子報(bào)》記者梳理了23樁半導(dǎo)體領(lǐng)域的國(guó)際收并購(gòu)案例,發(fā)現(xiàn)20...
淺談寬禁帶半導(dǎo)體涉及到的幾個(gè)基礎(chǔ)問(wèn)題
功率電子材料和器件研發(fā)基本與國(guó)際同步,GaN功率器件邁向更廣的應(yīng)用領(lǐng)域,更全電壓等級(jí),從當(dāng)前100V/650V拓展到30V~1200V,可靠性升級(jí)實(shí)現(xiàn)從...
11月20日,英諾賽科(蘇州)全球研發(fā)中心正式啟用 將打造成為新型寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件研發(fā)基地同時(shí)開(kāi)展大規(guī)模量產(chǎn)化工程問(wèn)題研究提升氮化鎵材料與器...
2023-11-22 標(biāo)簽:氮化鎵寬禁帶半導(dǎo)體英諾賽科 867 0
國(guó)內(nèi)碳化硅襯底生產(chǎn)企業(yè)盤(pán)點(diǎn)
在碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中,碳化硅襯底制造是碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈技術(shù)壁壘最高、價(jià)值量最大的環(huán)節(jié),是未來(lái)碳化硅大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化推進(jìn)的核心環(huán)節(jié)。 碳化硅襯底的生產(chǎn)流程包括長(zhǎng)晶、...
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