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標(biāo)簽 > 寬禁帶半導(dǎo)體
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從去年至今,我國(guó)氧化鎵半導(dǎo)體制備技術(shù)已經(jīng)屢獲突破。從去年的2英寸襯底到6英寸襯底,再到最新的8英寸外延片,我國(guó)氧化鎵半導(dǎo)體制備技術(shù)越來(lái)越成熟。
美國(guó)國(guó)防部為北卡羅來(lái)納州微電子共享區(qū)域創(chuàng)新中心CLAWS撥款3940萬(wàn)美元
《半導(dǎo)體芯科技》編譯 來(lái)源:Semiconductor Today 北卡羅來(lái)納州立大學(xué)作為寬禁帶半導(dǎo)體區(qū)域創(chuàng)新中心的領(lǐng)導(dǎo)者,獲得美國(guó)國(guó)防部3940萬(wàn)美元...
2023-10-09 標(biāo)簽:寬禁帶半導(dǎo)體 687 0
8英寸碳化硅襯底已實(shí)現(xiàn)小批量銷(xiāo)售
前來(lái)看,在未來(lái)一段時(shí)間內(nèi),6英寸導(dǎo)電型產(chǎn)品將作為主流尺寸,但隨著技術(shù)的進(jìn)步、基于成本和下游應(yīng)用領(lǐng)域等因素考慮,8英寸導(dǎo)電型碳化硅產(chǎn)品將是碳化硅襯底行業(yè)的...
GaN加速商業(yè)化進(jìn)程 國(guó)內(nèi)GaN產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)現(xiàn)狀及前景分析
氮化鎵(GaN)是一種由氮和鎵組成的半導(dǎo)體材料,因其禁帶寬度大于2.2eV,故又稱(chēng)為寬禁帶半導(dǎo)體材料。是微波功率晶體管的優(yōu)良材料,也是在藍(lán)色發(fā)光器件中具...
國(guó)產(chǎn)碳化硅功率器件領(lǐng)先品牌派恩杰半導(dǎo)體PCIM Asia 2023亮點(diǎn)回顧
8月29日-31日,上海國(guó)際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)(簡(jiǎn)稱(chēng)PCIM Asia)在上海新國(guó)際博覽中心W2館圓滿(mǎn)舉行。作為領(lǐng)先亞洲的電力電子展會(huì),本屆...
寬禁帶半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)規(guī)模性量產(chǎn)的跨越!
國(guó)際半導(dǎo)體市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Yole預(yù)測(cè),到2027年,全球碳化硅功率器件市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)到約63億美元,其中新能源汽車(chē)碳化硅市場(chǎng)空間有望達(dá)到近50億美元,占比...
2023-05-30 標(biāo)簽:新能源汽車(chē)寬禁帶寬禁帶半導(dǎo)體 780 0
日企市場(chǎng)份額占比超9成,國(guó)內(nèi)第四代半導(dǎo)體材料加速突破
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)最近國(guó)內(nèi)關(guān)于第四代半導(dǎo)體的消息很多,特別是在材料制備方面似乎有不少新突破。我們熟知的碳化硅、氮化鎵等第三代半導(dǎo)體又被稱(chēng)為寬...
2023-03-27 標(biāo)簽:氮化鎵行業(yè)現(xiàn)狀寬禁帶半導(dǎo)體 3425 0
西安郵電大學(xué)在8寸硅片氧化鎵外延片取得重要進(jìn)展
氧化鎵是一種超寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有優(yōu)異的耐高壓與日盲紫外光響應(yīng)特性,在功率器件和光電領(lǐng)域應(yīng)用潛力巨大。
淺談氮化鎵半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈和相關(guān)企業(yè)
氮化鎵是一種具有較大禁帶寬度的半導(dǎo)體,屬于所謂寬禁帶半導(dǎo)體之列。它是微波功率晶體管的優(yōu)良材料,也是藍(lán)色光發(fā)光器件中的一種具有重要應(yīng)用價(jià)值的半導(dǎo)體。
SiC MOSFET 作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體具有擊穿電場(chǎng)高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)勢(shì),在各種各樣的電源應(yīng)用范圍在迅速地?cái)U(kuò)大。其中一個(gè)...
2023-02-10 標(biāo)簽:MOSFETSiC寬禁帶半導(dǎo)體 629 0
寬禁帶半導(dǎo)體可以改進(jìn)可再生能源設(shè)計(jì)嗎
隨著全球?qū)δ茉瓷a(chǎn)與消費(fèi)問(wèn)題愈發(fā)重視,可再生能源解決方案已成為大家關(guān)注的焦點(diǎn)。更加頻繁的極端天氣事件等與氣候變化相關(guān)的挑戰(zhàn)迫使整個(gè)社會(huì)不得不重新思考其與...
2023-02-02 標(biāo)簽:IGBT可再生能源寬禁帶半導(dǎo)體 168 0
安集科技攜"芯"而來(lái),亮相IC China 2022
革新技術(shù),共同推進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展 上海2022年11月18日 /美通社/ -- 為了進(jìn)一步加強(qiáng)全球集成電路產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)鏈交流與合作,展示集成電路產(chǎn)業(yè)最新...
對(duì)話|成本下降對(duì)寬禁帶半導(dǎo)體應(yīng)用多重要?
隨著寬禁帶半導(dǎo)體材料成本得到明顯下降,其應(yīng)用情況將會(huì)發(fā)生明顯變化。 編者按: 近年來(lái),以氮化鎵和碳化硅兩種主要新材料為代表的寬禁帶半導(dǎo)體,展示出高頻、高...
2022-10-28 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料GaN寬禁帶半導(dǎo)體 976 0
寬禁帶半導(dǎo)體廠商派恩杰作為白金合作伙伴出席CPEEC & CPSSC 2022
2022中國(guó)電力電子與能量轉(zhuǎn)換大會(huì)?暨中國(guó)電源學(xué)會(huì)第二十五屆學(xué)術(shù)年會(huì)及展覽會(huì)(CPEECCPSSC 2022)2022年11月4-7日? 廣州 白金合作...
2022-10-24 標(biāo)簽:功率模塊碳化硅能量轉(zhuǎn)換 1256 0
追求更高效的電子產(chǎn)品以功率器件為中心,而半導(dǎo)體材料則處于研發(fā)活動(dòng)的前沿。硅的低成本和廣泛的可用性使其在幾年前超越鍺成為主要的功率半導(dǎo)體材料。然而,今天,...
2022-08-08 標(biāo)簽:功率器件半導(dǎo)體材料寬禁帶半導(dǎo)體 1214 0
對(duì)電子設(shè)備的需求激增正在推動(dòng)半導(dǎo)體行業(yè)多個(gè)領(lǐng)域的增長(zhǎng)。制造商通過(guò)使用非傳統(tǒng)產(chǎn)品和應(yīng)用程序添加差異化服務(wù)來(lái)尋求競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。這一趨勢(shì)的受益者是寬帶隙 (WBG...
2022-08-05 標(biāo)簽:電平轉(zhuǎn)換器GaN寬禁帶半導(dǎo)體 1711 0
電動(dòng)汽車(chē)和混合動(dòng)力電動(dòng)汽車(chē)的制造商正在為多個(gè)動(dòng)力總成階段尋找高效的功率轉(zhuǎn)換解決方案。寬帶隙半導(dǎo)體,如碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN),在幾個(gè)方面...
2022-08-05 標(biāo)簽:半導(dǎo)體寬禁帶半導(dǎo)體汽車(chē) 690 0
定寸芯,勝蒼穹,寬禁帶半導(dǎo)體助力實(shí)現(xiàn)雙碳目標(biāo)
金秋10月,Bodo's寬禁帶半導(dǎo)體論壇驚艷亮相深圳ESSHOW 2021年,特斯拉創(chuàng)紀(jì)錄出貨量助碳化硅達(dá)到了10億美元市場(chǎng)規(guī)模;比亞迪“漢”和現(xiàn)代Io...
2022-07-29 標(biāo)簽:電子寬禁帶半導(dǎo)體 842 0
對(duì)于寬禁帶半導(dǎo)體行業(yè)目前概況,呂凌志博士直言,寬禁帶半導(dǎo)體行業(yè)主要有襯底、外延、器件三大段,由于每部分的物態(tài)形式、設(shè)備控制都不一樣,要想做好這個(gè)行業(yè)的M...
2022-07-05 標(biāo)簽:智能制造寬禁帶半導(dǎo)體半導(dǎo)體設(shè)備 3383 0
是德科技設(shè)計(jì)推出新一代高性能PXI模塊化測(cè)試平臺(tái)
SMU 源測(cè)量單元的概念始創(chuàng)于上個(gè)世紀(jì)50年代,隨著半導(dǎo)體工業(yè)的元器件以及各式新穎材料的開(kāi)發(fā)。直到今天SMU (源測(cè)量單元)依舊是半導(dǎo)體分立元器件以及各...
2022-06-15 標(biāo)簽:元器件是德科技寬禁帶半導(dǎo)體 1184 0
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