半大馬士革工藝:利用空氣隙減少寄生電容

本文介紹了半大馬士革工藝：利用空氣隙減少寄生電容。 隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，芯片制程已經(jīng)進(jìn)入了3納米節(jié)點(diǎn)及更先進(jìn)階段。在這個(gè)過(guò)程中，中道（MEOL）金...

2024-11-19 標(biāo)簽：電容寄生電容 467 0

一文詳解MOS管電容參數(shù)

在現(xiàn)代電子電路設(shè)計(jì)中，MOS管無(wú)疑是最常用的電子元件之一。

2024-11-06 標(biāo)簽：三極管半導(dǎo)體MOS管 661 0

我常用的分析方法——輸入輸出阻抗，是怎么玩的？你會(huì)不？

?這篇文章并非是現(xiàn)在寫(xiě)的，而是三年前，文章中的方法是我常用的，再次分享給兄弟們。 ? 輸入阻抗，輸出阻抗，這兩個(gè)參數(shù)似乎沒(méi)那么重要，但事實(shí)并非如此。下面...

2024-07-18 標(biāo)簽：芯片MOS管寄生電容 4356 0

獨(dú)家揭秘：三極管電路基極和發(fā)射極為什么需要并聯(lián)電容？容值如何計(jì)算？

核心的思路就是BE電容和BC寄生電容分壓要小于BE導(dǎo)通電壓，避免誤導(dǎo)通。

2024-05-27 標(biāo)簽：發(fā)射極基極寄生電容 3.1萬(wàn) 0

硅片和soi這兩種材料，他們的不同之處是什么呢？

硅片是半導(dǎo)體制造的基礎(chǔ)，絕大多數(shù)的芯片都是在硅片上制造的。SOI（silicon on insulator ）利用絕緣層將單晶硅薄膜與單晶硅片隔離開(kāi)來(lái)。

2024-05-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體寄生電容單晶硅 952 0

電源MOS管緩啟動(dòng)的應(yīng)用分析

熱插拔一般對(duì)電子系統(tǒng)有兩方面影響：1.熱插拔時(shí)，連接器的機(jī)械觸點(diǎn)在接觸瞬間會(huì)出現(xiàn)彈跳，引起電源振蕩；2.熱插拔時(shí)，由于系統(tǒng)大容量?jī)?chǔ)能電容的充電效應(yīng)，系統(tǒng)...

2024-04-29 標(biāo)簽：連接器MOS管寄生電容 731 0

艾為電子推出第3代自適應(yīng)可編程SAR Sensor AW963xx系列

生活中電磁波無(wú)處不在，電磁波在傳播過(guò)程中所造成的能量消耗或泄露稱(chēng)為電磁輻射。

2024-02-27 標(biāo)簽：SARRAM寄生電容 820 0

碳納米管晶體管兼容已有半導(dǎo)體制程工藝，解決碳納米管均勻可控?fù)诫s難題

研究中，他們提出了一種頂柵互補(bǔ)碳納米管金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)（Top Gate complementary CNT MOSFETs）。在該...

2024-01-05 標(biāo)簽：晶體管寄生電容碳納米 956 0

SiC MOSFET 和Si MOSFET寄生電容在高頻電源中的損耗對(duì)比

SiC MOSFET 和Si MOSFET寄生電容在高頻電源中的損耗對(duì)比

2023-12-05 標(biāo)簽：SiC損耗寄生電容 769 0

PCB線路上的噪聲

而當(dāng)狀態(tài)發(fā)生變化時(shí)，暫時(shí)會(huì)有Q3和Q4管同時(shí)導(dǎo)通，這時(shí)在電源和地之間形成了短暫的低阻抗，產(chǎn)生了30～100 mA的尖峰電流。當(dāng)門(mén)輸出電平從低變?yōu)楦邥r(shí)，電...

2023-08-29 標(biāo)簽：電源電容電感 570 0

一種可以實(shí)現(xiàn)太赫茲波前調(diào)控的超構(gòu)表面

近年來(lái)，太赫茲（THz）技術(shù)已經(jīng)成為第六代（6G）無(wú)線通信、雷達(dá)探測(cè)、光譜成像和生物醫(yī)學(xué)傳感等領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。

2023-08-29 標(biāo)簽：無(wú)線通信諧振器氮化鎵 1000 0