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標(biāo)簽 > 嵌入式閃存
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2024年3月底,NXP正式推出了全球首款5納米汽車MCU,不過NXP并未稱其為MCU,而是叫S32N55 Vehicle Super-Integrat...
2024-05-10 標(biāo)簽:NXPCAN接口車載以太網(wǎng) 2555 0
引領(lǐng)技術(shù)創(chuàng)新,Arm賦能AI時(shí)代的存儲(chǔ)未來
2024 中國(guó)閃存市場(chǎng)峰會(huì) (CFMS2024) 已于 3 月 20 日在深圳盛大召開,活動(dòng)現(xiàn)場(chǎng)匯聚了包括 Arm 在內(nèi)的全球存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)鏈的諸多領(lǐng)先企業(yè)。
2024-04-01 標(biāo)簽:處理器驅(qū)動(dòng)器ARM 722 0
鎧俠正式發(fā)布業(yè)界首款車載UFS 4.0嵌入式閃存
存儲(chǔ)器解決方案的全球領(lǐng)導(dǎo)者鎧俠株式會(huì)社宣布,該公司已開始提供業(yè)界首款面向車載應(yīng)用的通用閃存(UFS)4.0版嵌入式閃存設(shè)備的樣品。
立足優(yōu)勢(shì) 持續(xù)領(lǐng)先:KIOXIA鎧俠新一代UFS嵌入式閃存器件已批量交貨
KIOXIA鎧俠中國(guó)近日宣布,今年其最新發(fā)布的業(yè)界首款支持MIPI M-PHY v5.0的通用閃存Universal Flash Storage (以下...
X-FAB增強(qiáng)其180nm高壓CMOS技術(shù)產(chǎn)品組合中的車用嵌入式閃存產(chǎn)品
X-FAB專有的XSTI嵌入式非易失性存儲(chǔ)器(NVM)IP測(cè)試接口也已包括在內(nèi),以達(dá)成對(duì)存儲(chǔ)器的完全串行接駁。
啟方半導(dǎo)體基于二代0.13微米嵌入式閃存技術(shù)的汽車半導(dǎo)體工藝即將量產(chǎn)
啟方半導(dǎo)體自行設(shè)計(jì)的128Kbyte eFlash IP已嵌入這款通過產(chǎn)品級(jí)別測(cè)試的產(chǎn)品,今年啟動(dòng)全面量產(chǎn)。
2021-04-06 標(biāo)簽:mcu半導(dǎo)體工藝嵌入式閃存 534 0
硬核技術(shù)創(chuàng)新加持,華虹宏力“8+12”特色工藝平臺(tái)為智能時(shí)代添飛翼
中國(guó)信通院數(shù)據(jù)顯示,2019年1-10月中國(guó)5G手機(jī)出貨量328.1萬(wàn)部,發(fā)展速度遠(yuǎn)超業(yè)界預(yù)期。5G商用的加速推進(jìn),讓更廣泛的智能時(shí)代提前到來,隨之而來...
瑞薩與臺(tái)積電將合作開發(fā)28nm納米嵌入式閃存制程技術(shù)
瑞薩電子與臺(tái)積電共同宣布,雙方合作開發(fā)28納米嵌入式閃存(eFlash)制程技術(shù),以生產(chǎn)支持新一代環(huán)保汽車與自動(dòng)駕駛汽車的微控制器(MCU)。
瑞薩電子推出基于SOTB工藝的嵌入式閃存低功耗技術(shù) 實(shí)現(xiàn)能量收集并無(wú)需電池供電
瑞薩電子株式會(huì)社宣布,推出基于65nm SOTB((薄氧化埋層上覆硅)工藝的新型嵌入式閃存低功耗技術(shù),可提供1.5MB容量,是業(yè)界首款基于65nm SO...
西部數(shù)據(jù)推出新款嵌入式閃存盤 采用64層3D NAND TLC閃存技術(shù)
西部數(shù)據(jù)公司致力于滿足汽車行業(yè)日益增長(zhǎng)的存儲(chǔ)需求,為汽車制造商和系統(tǒng)供應(yīng)商提供先進(jìn)技術(shù)和更高容量,以支持更廣泛的汽車應(yīng)用產(chǎn)品,包括電子駕駛艙(e-coc...
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