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標(biāo)簽 > 柵極驅(qū)動器
柵極驅(qū)動器是一個用于放大來自微控制器或其他來源的低電壓或低電流的緩沖電路。在某些情況下,例如驅(qū)動用于數(shù)字信號傳輸?shù)倪壿嬰娖骄w管時(shí),使用微控制器輸出不會損害應(yīng)用的效率、尺寸或熱性能。在高功率應(yīng)用中,微控制器輸出通常不適合用于驅(qū)動功率較大的晶體管。
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在驅(qū)動電路電壓軌處于正確值之前,不應(yīng)由 PWM 信號主動驅(qū)動 IGBT/MOSFET。然而,當(dāng)柵極驅(qū)動 DC/DC 上電或斷電時(shí),即使 PWM 信號處于...
2022-06-16 標(biāo)簽:MOSFETIGBTdcdc轉(zhuǎn)換器 1588 0
低功率和大功率柵極驅(qū)動器的實(shí)例計(jì)算
有了這么多的強(qiáng)力工具選項(xiàng),設(shè)計(jì)兼容性可能是一個斗爭。了解更多關(guān)于利用金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(mosfet)的挑戰(zhàn)
通過SiC技術(shù)電機(jī)逆變器實(shí)現(xiàn)電動汽車行駛里程拓展的承諾
行業(yè)正在擁抱令人振奮的新方法,即以清潔的電力驅(qū)動我們的汽車,同時(shí)重新設(shè)計(jì)支撐電動汽車(EV)子系統(tǒng)的半導(dǎo)體材料,以最大程度地提高功效比,進(jìn)而增加電動汽車...
2022-02-16 標(biāo)簽:電動汽車電池管理系統(tǒng)電磁干擾 2108 0
大功率電池供電設(shè)備逆變器板如何助力熱優(yōu)化
電池供電電機(jī)驅(qū)動解決方案通??梢杂梅浅5偷墓ぷ麟妷禾峁?shù)百瓦的功率。在這些應(yīng)用中,為確保整個系統(tǒng)的能效和可靠性,必須正確管理電機(jī)驅(qū)動設(shè)備的電流 。
源極驅(qū)動器未集成VGH和VGL電源軌的設(shè)計(jì)
為5英寸以上的汽車LCD顯示器進(jìn)行的設(shè)計(jì)工作可能非常錯綜復(fù)雜。顯示器源極驅(qū)動器需要一個電壓范圍為10V至15V、被稱做模擬電壓器件漏極(AVDD)的電源...
通過分布式架構(gòu)驅(qū)動下一代電動汽車系統(tǒng)
電動汽車需要高標(biāo)準(zhǔn)的可靠性和安全性,而這種要求會滲透到各個功率轉(zhuǎn)換電子設(shè)備上。元件必須以受控且經(jīng)過驗(yàn)證的方式在125°C及以上的環(huán)境溫度下運(yùn)行。
1SP0350V SCALE?-2 單通道即插即用柵極驅(qū)動器可靠、安全地驅(qū)動 4500 V 壓裝 IEGT 和 IGBT 以及其他 IEGT 和 IGB...
ACPL-P349/W349評估板特性 IGBT或SiC/GaN MOSFET柵極驅(qū)動器配置分析
本手冊概述了 ACPL-P349/W349 評估板的特性以及評估隔離式 IGBT 或 SiC/GaN MOSFET 柵極驅(qū)動器所需的配置。需要目視檢查以...
領(lǐng)先的SiC/GaN功率轉(zhuǎn)換器的驅(qū)動
基于硅IGBT的傳統(tǒng)逆變器和轉(zhuǎn)換器占據(jù)市場主體(占比超過70%),這主要?dú)w功于工廠生產(chǎn)線中的電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用和第一代風(fēng)力和太陽能逆變器。
2021-04-12 標(biāo)簽:電動汽車逆變器功率轉(zhuǎn)換器 972 0
輸入驅(qū)動電壓有一個不確定區(qū),稱為“閾值區(qū)域”,其中PMOS和NMOS可能同時(shí)部分導(dǎo)通,從而在供電軌和地之間產(chǎn)生一個泄漏路徑。
如何為混合動力汽車/電動汽車設(shè)計(jì)暖通系統(tǒng)
在本白皮書中,我們將介紹 48V、400V 或 800V 混合動力汽車和電動汽車中的新型加熱和冷卻控制模塊。
如何在電動汽車系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)SiC FET設(shè)計(jì)
帶雙輸出反激變換器的半橋電路,為隔離的柵極驅(qū)動器供電。在這里,12v軌為隔離柵極驅(qū)動器的主側(cè)和副側(cè)供電。
2021-03-04 標(biāo)簽:隔離電源場效應(yīng)晶體管反激變換器 2258 0
如何提高永磁同步電機(jī)制造自動化系統(tǒng)的能源效率
?Stefan Hacker ADI公司系統(tǒng)專家 圍繞現(xiàn)代生產(chǎn)工廠的能源效率問題,目前有許多討論,系統(tǒng)解決方案制造商不斷推出新的概念來應(yīng)對這個問題。其中...
2021-03-08 標(biāo)簽:永磁同步電機(jī)信號轉(zhuǎn)換器柵極驅(qū)動器 3808 0
如何應(yīng)對輸入端負(fù)壓 驅(qū)動輸入端負(fù)壓尖峰的形成原因
由于開關(guān)電源經(jīng)常需要硬開關(guān)驅(qū)動大功率負(fù)載,在硬開關(guān)以及布局限制的情況下,功率MOSFET往往會對驅(qū)動芯片的輸入和輸出端形成較大的地彈電壓和振蕩尖峰電壓。
寬帶隙半導(dǎo)體開關(guān):緩慢的開關(guān)沿可減少過沖和EMI
在寬帶隙半導(dǎo)體開關(guān)的新時(shí)代,器件類型的選擇包括具有自己的特性并聲稱具有最佳性能的SiC?MOSFET和GaN HEMT單元。但是,這兩者都不是理想的開關(guān)...
介紹 電機(jī)控制和驅(qū)動器在許多應(yīng)用中都是基本的,因?yàn)樗鼈冊试S獲得很高的精度,進(jìn)而轉(zhuǎn)化為更低的成本和更高的效率。電動機(jī)控制電路執(zhí)行的重要功能是確保轉(zhuǎn)子在不同...
2021-03-30 標(biāo)簽:機(jī)器人電機(jī)控制驅(qū)動系統(tǒng) 3507 0
基于SiC或GaN的功率半導(dǎo)體應(yīng)用設(shè)計(jì)
工程師對電磁干擾,并行化和布局非常熟悉,但是當(dāng)從基于硅的芯片過渡到碳化硅或?qū)拵镀骷r(shí),需要多加注意。 芯片顯示,基于硅(Si)的半導(dǎo)體比寬帶隙(WBG...
關(guān)于SiC MOSFET的新的電路設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)
碳化硅(SiC)MOSFET提供了巨大的新特性和功能,但同時(shí)也帶來了新的挑戰(zhàn)。ROHM半導(dǎo)體器件使工程師能夠充分利用SiC MOSFET,同時(shí)克服了驅(qū)動...
2021-04-02 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體器件柵極驅(qū)動器 3906 0
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