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標(biāo)簽 > 柵極驅(qū)動(dòng)器
柵極驅(qū)動(dòng)器是一個(gè)用于放大來自微控制器或其他來源的低電壓或低電流的緩沖電路。在某些情況下,例如驅(qū)動(dòng)用于數(shù)字信號(hào)傳輸?shù)倪壿嬰娖骄w管時(shí),使用微控制器輸出不會(huì)損害應(yīng)用的效率、尺寸或熱性能。在高功率應(yīng)用中,微控制器輸出通常不適合用于驅(qū)動(dòng)功率較大的晶體管。
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作者:John Mookken,Udaykumar Vangaveti 近年來,電動(dòng)汽車(EV)的銷售增長對(duì)功率半導(dǎo)體模塊產(chǎn)生了巨大的需求。電源控制單元...
動(dòng)力總成驅(qū)動(dòng)器共模噪聲的來源和影響
高共模噪聲是汽車系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員在設(shè)計(jì)實(shí)用,可靠的動(dòng)力總成驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)時(shí)必須克服的重要問題。當(dāng)高壓電源逆變器和其他電源中存在高頻開關(guān)時(shí),系統(tǒng)內(nèi)自然會(huì)產(chǎn)生共模噪聲...
2021-04-17 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器寄生電容電源逆變器 3315 0
測試功率半導(dǎo)體的通用動(dòng)態(tài)測試和短路測試
通用動(dòng)態(tài)測試的原理圖測試儀如圖1所示。右側(cè)的被測器件–原理圖顯示了由T1,D1,T2和D2組成的相腳配置的模塊–由兩個(gè)柵極驅(qū)動(dòng)器Tr1控制和Tr2。
2021-05-08 標(biāo)簽:測試儀晶體管柵極驅(qū)動(dòng)器 3271 0
功率器件在工業(yè)和汽車系統(tǒng)的設(shè)計(jì)中起著決定性的作用。為了滿足這些應(yīng)用的特定要求并縮短上市時(shí)間,ROHM使用專有的微制造工藝來開發(fā)無核片上變壓器,以實(shí)現(xiàn)穩(wěn)健...
使用IGBT時(shí),面臨的常見問題之一是由于米勒電容器而導(dǎo)致的寄生導(dǎo)通。在0至+15 V型柵極驅(qū)動(dòng)器(單電源驅(qū)動(dòng)器)中,這種影響是明顯的。
2021-05-17 標(biāo)簽:電容器IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器 7862 0
基于電機(jī)控制的幾種柵極驅(qū)動(dòng)器解決方案
作者:Maurizio Di Paolo Emilio 電動(dòng)機(jī)是將電能轉(zhuǎn)換為機(jī)械能的設(shè)備,可用于移動(dòng)與其連接的鉸接機(jī)構(gòu)。電動(dòng)機(jī)必須能夠從零速開始產(chǎn)生很大...
2021-05-19 標(biāo)簽:電機(jī)控制DC-DC轉(zhuǎn)換器交流電機(jī) 5603 0
如何選擇Mosfet驅(qū)動(dòng)程序進(jìn)行運(yùn)動(dòng)控制
要了解驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O所需的條件,您需要知道MOSFET的開關(guān)速度。您必須在低開關(guān)損耗(需要快速的上升和下降時(shí)間)和低EMI(需要緩慢的上升和下降時(shí)間)之間進(jìn)行...
2021-05-19 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器IC無刷電動(dòng)機(jī) 1380 0
關(guān)于AC PDP中使用光耦合器和光隔離柵極驅(qū)動(dòng)器的問題
基本的顯示單元(如圖1所示)包括一對(duì)被電介質(zhì)包圍的維持電極Xi和Yi。尋址電極Aj位于相對(duì)的玻璃基板上并且垂直于電極Xi和Yi延伸。
2021-05-21 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器顯示器光耦合器 3114 0
如何復(fù)制下一代柵極驅(qū)動(dòng)光電耦合器的改進(jìn),以驅(qū)動(dòng)和保護(hù)SiC MOSFET
為了匹配CREE SiC MOSFET的低開關(guān)損耗,柵極驅(qū)動(dòng)器必須能夠以快速壓擺率提供高輸出電流和電壓,以克服SiC MOSFET的柵極電容。
2021-05-24 標(biāo)簽:光電耦合器柵極驅(qū)動(dòng)器SiC MOSFET 2885 0
淺談高度集成的柵極驅(qū)動(dòng)光電耦合器——ACPL-337J
ACPL-337J是一款先進(jìn)的高度集成的柵極驅(qū)動(dòng)光電耦合器,旨在隔離,驅(qū)動(dòng),保護(hù)和反饋IGBT的工作狀態(tài)。 它具有軌到軌輸出,可以提供4A的最大電流,能...
IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器的隔離式反激轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)
工業(yè)快速以太網(wǎng) 隔離式IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器需要隔離式電源,以實(shí)現(xiàn)安全隔離和電平轉(zhuǎn)換。不幸的是,基于標(biāo)準(zhǔn)電源控制IC的隔離式電源設(shè)計(jì)并非易事。要使用離散的組...
基于SiC的功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)高功率密度
作者:Maurizio Di Paolo Emilio CISSOID宣布了專門為降低開關(guān)損耗或提高功率而量身定制的新型液冷模塊,屬于其三相碳化硅(Si...
2021-05-28 標(biāo)簽:功率轉(zhuǎn)換器SiC柵極驅(qū)動(dòng)器 1285 0
基于IGBT / MOSFET 的柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器設(shè)計(jì)方案
本應(yīng)用筆記涵蓋了計(jì)算柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器 IC 的柵極驅(qū)動(dòng)器功率和熱耗散的主題。柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器用于驅(qū)動(dòng)、導(dǎo)通和關(guān)斷、功率半導(dǎo)體開關(guān)、MOSFET/IGBT...
2021-06-14 標(biāo)簽:MOSFETIGBT柵極驅(qū)動(dòng)器 3942 0
什么是柵極驅(qū)動(dòng)器?柵極驅(qū)動(dòng)器分類與優(yōu)點(diǎn)分析
高功率晶體管與模擬信號(hào)鏈或數(shù)字邏輯電路中的其他晶體管的特性幾乎完全不同。功率晶體管的擊穿電壓的分布范圍極大,從大約40伏到1,200伏甚至更高。
2021-01-21 標(biāo)簽:微控制器逆變器電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 1.7萬 0
碳化硅JFET助推功率轉(zhuǎn)換電路的設(shè)計(jì)方案
對(duì)于可再生能源設(shè)備,如太陽能逆變器和儲(chǔ)能設(shè)備,我們的碳化硅器件具有極低的RDS(on)特性,可將散熱量保持在最低水平。
將dv/dt從45V/ns降至5V/ns而不帶來過長開/關(guān)延遲方案
本文重點(diǎn)而又全面地介紹了三種將dv/dt從45V/ns降至5V/ns而不帶來過長開/關(guān)延遲時(shí)間的方法:使用外部柵漏電容器、對(duì)器件增加RC緩沖電路,以及使...
2021-01-05 標(biāo)簽:電容器柵極驅(qū)動(dòng)器 3225 0
基于IGBT模塊和驅(qū)動(dòng)器IC的電機(jī)驅(qū)動(dòng)和逆變器設(shè)計(jì)方案
電機(jī)和逆變器的使用在工業(yè)自動(dòng)化、機(jī)器人、電動(dòng)汽車、太陽能、白色家電和電動(dòng)工具等應(yīng)用中日漸增長。隨著這種增長是對(duì)提高效率、降低成本、縮小封裝和簡化整體設(shè)計(jì)...
2020-12-28 標(biāo)簽:逆變器電機(jī)驅(qū)動(dòng)IGBT 7618 0
羅姆提供先進(jìn)器件的工業(yè)電機(jī)設(shè)計(jì)系統(tǒng)級(jí)方案
工業(yè)電機(jī)是電機(jī)應(yīng)用的關(guān)鍵領(lǐng)域,沒有高效的電機(jī)系統(tǒng)就無法搭建先進(jìn)的自動(dòng)化生產(chǎn)線,由于應(yīng)用條件比較苛刻和對(duì)性能要求比較嚴(yán)格,設(shè)計(jì)復(fù)雜的工業(yè)電機(jī)系統(tǒng)涉及眾多元...
2020-12-17 標(biāo)簽:MOSFET穩(wěn)壓器柵極驅(qū)動(dòng)器 2396 0
具有保護(hù)功能的GaN器件實(shí)現(xiàn)下一代工業(yè)電源設(shè)計(jì)的挑戰(zhàn)
氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體的物理特性與硅器件不相上下。傳統(tǒng)的電源供應(yīng)器金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)和絕緣柵極雙極晶體管(IGBT)只有在犧牲...
2020-12-20 標(biāo)簽:開關(guān)電源場效應(yīng)晶體管氮化鎵 3034 0
IGBT和SiC MOSFET差異 柵極驅(qū)動(dòng)器電路設(shè)計(jì)
也許與此主題相關(guān)的最根本的問題是問為什么使用并行模塊?將2個(gè)200A模塊并聯(lián)成一個(gè)400A模塊有什么好處,為什么不簡單地使用400A零件呢?在商業(yè)方面,...
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