京東方華燦光電亮相2024功率及化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)國際論壇

3月24日，SEMICON China 2024展會在上海盛大開展,同期在上海召開功率及化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)國際論壇，京東方華燦光電氮化鎵電力電子研發(fā)總監(jiān)邱...

2024-04-19 標(biāo)簽：氮化鎵功率半導(dǎo)體華燦光電 624 0

士蘭微電子推出小體積、低成本的兩級無頻閃隔離LED照明驅(qū)動方案

在LED驅(qū)動電源設(shè)計領(lǐng)域，不斷追求更高性能和成本效益是行業(yè)發(fā)展的驅(qū)動力。士蘭微電子以先進(jìn)的高壓MOS工藝平臺為基礎(chǔ)，以其卓越的穩(wěn)定性和成熟制造工藝，成為...

2024-04-19 標(biāo)簽：變壓器led照明氮化鎵 872 0

探討氮化鎵在汽車動力系統(tǒng)和激光雷達(dá)的應(yīng)用

氮化鎵（GaN）作為一種新興的半導(dǎo)體材料，因其優(yōu)異的電子特性和潛在的系統(tǒng)成本優(yōu)勢，在汽車和移動手機(jī)市場中展現(xiàn)出巨大的商業(yè)潛力。

2024-04-12 標(biāo)簽：氮化鎵GaN激光雷達(dá) 757 0

鎵未來TOLL&TOLT封裝氮化鎵功率器件助力超高效率鈦金能效技術(shù)平臺

珠海鎵未來科技有限公司是行業(yè)領(lǐng)先的高壓氮化鎵功率器件高新技術(shù)企業(yè)，致力于第三代半導(dǎo)體硅基氮化鎵 (GaN-on-Si) 研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化。

2024-04-10 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件氮化鎵 1335 0

碳化硅與氮化鎵的未來將怎樣共存

在這個電子產(chǎn)品更新?lián)Q代速度驚人的時代，半導(dǎo)體市場的前景無疑是光明的。新型功率半導(dǎo)體材料，比如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)，因其獨(dú)特的優(yōu)勢正成為行業(yè)...

2024-04-07 標(biāo)簽：氮化鎵碳化硅 797 0

拆解報告 | 東科助力Mentech 65W超薄氮化鎵PD實(shí)現(xiàn)快充新升級

這是你閱讀的充電頭網(wǎng)第3035篇拆解報告。前言充電頭網(wǎng)拿到了銘普光磁推出的一款超薄氮化鎵快充，這款充電器采用國標(biāo)折疊插腳，流行超薄設(shè)計，實(shí)測機(jī)身厚度僅為...

2024-03-30 標(biāo)簽：充電器氮化鎵東科 1026 0

大連理工大學(xué)發(fā)布氮化鎵氣體傳感器專利

該發(fā)明的核心在于一種以氮化鎵薄膜為主要材料的氣體傳感器的制備與運(yùn)用。其制法包括：首先，通過對襯底進(jìn)行鍍膜工藝生成非晶氮化鎵薄膜，然后將其加熱至特定溫度，...

2024-03-29 標(biāo)簽：薄膜氣體傳感器氮化鎵 628 0

AI的盡頭或是氮化鎵？2024年多家廠商氮化鎵產(chǎn)品亮相，1200V高壓沖進(jìn)市場

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/劉靜）氮化鎵是最新的第三代半導(dǎo)體材料，最早是在1932年由W.C.Johnson等人首次合成，2019年開啟在快充領(lǐng)域大規(guī)模商用。...

2024-03-28 標(biāo)簽：AI氮化鎵第三代半導(dǎo)體 2999 0

四種將被氮化鎵革新電子設(shè)計的中壓應(yīng)用

來源：德州儀器 引言 隨著技術(shù)的迅速發(fā)展，人們對電源的需求亦在不斷攀升。為了可持續(xù)地推動這一發(fā)展，太陽能等可再生能源被越來越多地用于電網(wǎng)供電。同樣，為了...

2024-03-27 標(biāo)簽：氮化鎵電子設(shè)計GaN 353 0

英飛凌攜手Worksport利用氮化鎵降低便攜式發(fā)電站的重量和成本

3月11日，英飛凌科技股份公司宣布與Worksport Ltd.（Nasdaq代碼：WKSP；WKSPW）合作，共同利用氮化鎵（GaN）降低便攜式發(fā)電站...

2024-03-25 標(biāo)簽：英飛凌氮化鎵Worksport 363 0

碳化硅功率器件的優(yōu)勢 開啟高效能源轉(zhuǎn)換新紀(jì)元

引言： 隨著全球?qū)δ茉葱屎铜h(huán)境保護(hù)要求的日益提高，傳統(tǒng)的硅基功率器件已經(jīng)逐漸無法滿足新時代對高效能、高頻率、高溫度和高電壓應(yīng)用的需求。碳化硅（SiC）...

2024-03-21 標(biāo)簽：功率器件SiC氮化鎵 3219 0

東科氮化鎵合封芯片DK075G助力創(chuàng)富源70W快充實(shí)現(xiàn)高效輸出

前言消費(fèi)者在選購第三方充電器時都傾向于選擇一款功率高、發(fā)熱低、體積小巧便攜的充電器，而氮化鎵合封芯片憑借高頻、高集成、低損耗的特性解決了消費(fèi)者的痛點(diǎn)。創(chuàng)...

2024-03-20 標(biāo)簽：充電器氮化鎵 507 0

德州儀器將提供更具價格競爭力的氮化鎵芯片

德州儀器正在將其多個工廠的氮化鎵（GaN）芯片生產(chǎn)從6英寸晶圓轉(zhuǎn)換為8英寸晶圓。模擬芯片公司正在為達(dá)拉斯和日本會津的8英寸晶圓準(zhǔn)備設(shè)備，這將使其能夠提供...

2024-03-20 標(biāo)簽：德州儀器晶圓氮化鎵 647 0

石墨烯芯片半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，引領(lǐng)我們告別硅時代？

碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）這些材料，在特定的應(yīng)用領(lǐng)域（如高頻、高功率電子器件）中展現(xiàn)出了比硅更好的性能。而石墨烯也可以在某些特定的領(lǐng)域，提供硅難...

2024-03-18 標(biāo)簽：SiC氮化鎵石墨烯 339 0