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標(biāo)簽 > 漏極
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開(kāi)關(guān)管通常具有三個(gè)引腳，分別為G（Gate，門(mén)極）、D（Drain，漏極）和S（Source，源極）。這三個(gè)引腳在開(kāi)關(guān)管中扮演著不同的角色，共同決定了開(kāi)...
P溝道場(chǎng)效應(yīng)管（P-channel Field-Effect Transistor，簡(jiǎn)稱P-FET）的電流方向是半導(dǎo)體器件工作中的一個(gè)基本特性，它決定了...
2024-09-23 標(biāo)簽：半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管漏極 735 0
線性穩(wěn)壓器（LDO）是一種廣泛使用的電源管理器件，其主要功能是將輸入電壓轉(zhuǎn)換為穩(wěn)定的輸出電壓。LDO的工作原理是通過(guò)調(diào)整內(nèi)部功率管的導(dǎo)通程度來(lái)實(shí)現(xiàn)電壓轉(zhuǎn)...
場(chǎng)效應(yīng)管在線路板上如何測(cè)量好壞
場(chǎng)效應(yīng)管（Field-Effect Transistor，簡(jiǎn)稱FET）是一種常用的半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于各種電子線路中。在實(shí)際應(yīng)用中，我們經(jīng)常需要對(duì)場(chǎng)效...
2024-07-14 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)管線路板漏極 650 0
mosfet漏極外接二極管的作用 mosfet源極和漏極的區(qū)別
漏極外接二極管（Drain-Source Diode，簡(jiǎn)稱D-S二極管）在MOSFET電路中起到了重要的作用，本文將介紹MOSFET源極和漏極之間的區(qū)別...
2024-01-31 標(biāo)簽：二極管MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管 2058 0
美格納發(fā)布第8代150V MXT MV MOSFET
美格納半導(dǎo)體公司 宣布推出兩款基于其第8代溝槽MOSFET技術(shù)的新型150V MXT MV 金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）。MXT MV ...
2023-10-12 標(biāo)簽：MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管漏極 1203 0
MOS管的結(jié)構(gòu)/工作原理/特性/應(yīng)用
MOS管的結(jié)構(gòu)主要由三個(gè)區(qū)域組成：柵極（Gate）、源極（Source）和漏極（Drain）。其中，柵極和漏極都是金屬電極，源極可以是金屬或半導(dǎo)體材料。
開(kāi)關(guān)導(dǎo)通時(shí)，線路和電路板版圖的電感之中會(huì)直接積蓄電能（電流能量）。當(dāng)該能量與開(kāi)關(guān)器件的寄生電容發(fā)生諧振時(shí)，就會(huì)在漏極和源極之間產(chǎn)生浪涌。下面將利用圖1來(lái)...
MOS場(chǎng)效應(yīng)管電源開(kāi)關(guān)電路
MOS管開(kāi)關(guān)電路是利用MOS管柵極（g）控制MOS管源極（s）和漏極（d）通斷的原理構(gòu)造的電路。因MOS管分為N溝道與P溝道，所以開(kāi)關(guān)電路也主要分為兩種。
2023-05-16 標(biāo)簽：開(kāi)關(guān)電路MOS管漏極 1596 0
對(duì)于恒定Vds，Vgs越大，則溝道中可移動(dòng)的電子越多，溝道電阻就越小，ID就越大。當(dāng)然這個(gè)Vgs大到一定值，電壓再大，ID的變化也不會(huì)再有太大的變化了。...
類別：電磁兼容設(shè)計(jì) 2024-06-17 標(biāo)簽：緩沖器電壓漏極 233 0
利用RF包絡(luò)檢波實(shí)現(xiàn)漏極調(diào)制系統(tǒng)立即下載
類別：數(shù)字信號(hào)處理論文 2011-05-11 標(biāo)簽：RF漏極包絡(luò)檢波 1067 0
在現(xiàn)代電子技術(shù)中，直流電機(jī)因其高效、可控和可靠的特性而被廣泛應(yīng)用于各種工業(yè)和消費(fèi)產(chǎn)品中。MOS管因其高速開(kāi)關(guān)特性和低導(dǎo)通電阻成為控制直流電機(jī)的理想選擇。...
MOS管就像開(kāi)關(guān)。柵極（G）決定源極（S）到漏極（D）是通還是不通。以NMOS為例，圖1中綠色代表（N型）富電子區(qū)域，黃色代表（P型）富空穴區(qū)域。P型和...
一般芯片的數(shù)據(jù)手冊(cè)將對(duì)輸出管腳說(shuō)明這一點(diǎn)，在如下功能電路圖中，其中輸出管腳就采用漏級(jí)開(kāi)路輸出模式。
柵極源級(jí)漏極分別是什么？模擬電路中柵極源級(jí)漏極的工作原理是什么
源極簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子，即多數(shù)載流子和反極性的少數(shù)載流子參與導(dǎo)電.柵極由金屬細(xì)絲組成的篩網(wǎng)狀或螺旋狀電極。漏極在兩個(gè)高摻雜的...
三菱電機(jī)上市漏極效率達(dá)70%的MOSFET新品RD01MUS2B
三菱電機(jī)將上市輸出功率為1W的7.2V MOSFET新產(chǎn)品RD01MUS2B，適用于商用無(wú)線傳呼機(jī)及特定小功率無(wú)線傳呼機(jī)用功率放大器。新產(chǎn)品將于2011...
什么是漏極,場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)原理是什么?
什么是漏極,場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)原理是什么? 漏極 場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect
2010-03-04 標(biāo)簽：漏極 5584 0
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