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標(biāo)簽 > 理想二極管
理想二極管:就是正向壓降為0,反向漏電流為0的二極管,這種二極管只存在于理論研究中;理想二極管是一種假設(shè),根據(jù)題目要求假設(shè),如為沒有壓降,沒有損耗,反向不會(huì)擊穿等理想狀態(tài)。而實(shí)際二極管是達(dá)不到的。目的是為了突出重點(diǎn),去除次要問題。
理想二極管:就是正向壓降為0,反向漏電流為0的二極管,這種二極管只存在于理論研究中;理想二極管是一種假設(shè),根據(jù)題目要求假設(shè),如為沒有壓降,沒有損耗,反向不會(huì)擊穿等理想狀態(tài)。而實(shí)際二極管是達(dá)不到的。目的是為了突出重點(diǎn),去除次要問題。
XC8112/XC8113系列2通道負(fù)載開關(guān)IC產(chǎn)品介紹
本次介紹的是即將量產(chǎn)的新產(chǎn)品,搭載理想二極管功能的2通道負(fù)載開關(guān)IC。
2024-09-02 標(biāo)簽:IC負(fù)載開關(guān)理想二極管 585 0
華太電子理想二極管在防反接保護(hù)電路、ORing中的應(yīng)用
在電源系統(tǒng)中,通常需要設(shè)計(jì)防反接保護(hù),以防止現(xiàn)場電源接線錯(cuò)誤導(dǎo)致的短路大電流燒毀元器件的情況出現(xiàn)。在防反接保護(hù)電路中,大多數(shù)設(shè)計(jì)采用二極管或PMOS管的...
如何在太陽能應(yīng)用旁路電路中使用理想二極管控制器并擴(kuò)展其輸入電壓范圍
本次為大家?guī)淼氖?《如何在太陽能應(yīng)用旁路電路中使用理想二極管控制器并擴(kuò)展其輸入電壓范圍》 。本文將介紹一種采用浮動(dòng)?xùn)艠O理想二極管控制器的可擴(kuò)展輸入旁路...
然實(shí)際的二極管會(huì)受到一些非理想因素的影響,但理想二極管模型在電子電路設(shè)計(jì)和應(yīng)用中仍然具有廣泛的應(yīng)用。本文將深入探討理想二極管的工作原理和一些典型的應(yīng)用領(lǐng)域。
2024-03-05 標(biāo)簽:二極管電路設(shè)計(jì)理想二極管 7711 0
超結(jié)MOSFET開關(guān)特性2-理想二極管模型
寄生電容和開關(guān)時(shí)間:功率MOS具有極快的開關(guān)速度,器件導(dǎo)通或關(guān)斷前需要對寄生電容進(jìn)行充放電,而電容的充放電需要一定時(shí)間
你知道一種叫做理想二極管的半導(dǎo)體嗎?用于將電池或適配器連接到電子設(shè)備時(shí)的電源電路部分,但與一般的分立半導(dǎo)體相比,其特點(diǎn)是電壓和功率損耗極低。
安世半導(dǎo)體將舉行理想二極管與負(fù)載開關(guān)線上研討會(huì)
在物聯(lián)網(wǎng)系統(tǒng)的復(fù)雜電源架構(gòu)中,安世半導(dǎo)體理想二極管和負(fù)載開關(guān)可以協(xié)同工作,以實(shí)現(xiàn)高效的電源路徑管理。理想二極管較傳統(tǒng)二極管的卓越特性有哪些?負(fù)載開關(guān)如何...
2024-12-03 標(biāo)簽:負(fù)載開關(guān)理想二極管安世半導(dǎo)體 129 0
Alpha and Omega Semiconductor Limited(AOS)近期推出了AOZ1390DI-01和AOZ1390DI-02兩款理想...
2024-10-12 標(biāo)簽:保護(hù)開關(guān)理想二極管type-c 541 0
新品 | 具有限功率 (LPS) 功能的理想二極管保護(hù)開關(guān)
AOZ1390DI 具有先進(jìn)的限功率(LPS)功能。對于多端口 ORing 或并行電源應(yīng)用, AOZ1390DI 的 LPSB 引腳可以連接到其他端口上...
2024-09-26 標(biāo)簽:二極管保護(hù)開關(guān)理想二極管 1229 0
思瑞浦發(fā)布汽車級理想二極管ORing控制器TPS65R01Q
聚焦高性能模擬芯片和嵌入式處理器的半導(dǎo)體供應(yīng)商思瑞浦3PEAK(股票代碼:688536)發(fā)布汽車級理想二極管ORing控制器TPS65R01Q。
Linear推出0-18V雙通道理想二極管控制器 LTC4353
凌力爾特公司推出 0V 至 18V 雙通道理想二極管控制器 LTC4353,該器件可取代兩個(gè)大功率肖特基二極管,以低損耗實(shí)現(xiàn)多個(gè)電源 “或”,且對電源電...
2012-06-15 標(biāo)簽:凌力爾特半導(dǎo)體芯片理想二極管 1986 1
LTC4353 可控制外部 N 溝道 MOSFET 以實(shí)現(xiàn)理想二極管功能。該器件可替代兩個(gè)高功率肖特基二極管及相關(guān)聯(lián)的散熱器,從而節(jié)省了功率和占板面積
凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高壓理想二極管控制器 LTC4359,該器件為肖特基二極管提供了一種簡...
2012-06-04 標(biāo)簽:凌力爾特半導(dǎo)體芯片理想二極管 2986 0
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