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標簽 > 硅二極管
硅二極管死區(qū)電壓約0.5伏,鍺的0.1伏,正向壓降硅0.6~0.7伏,鍺0.2~0.3伏,硅反向電流小,耐壓高,鍺相反。
硅二極管與鍺二極管的區(qū)別主要如下:在電流相同時,鍺管的直流電阻小于硅管的直流電阻。而硅管的交流電阻小于鍺管的交流電阻。根據(jù)實驗研究,鍺二極管正向在0.2V就開始有電流了,而硅二極管要到0.5V才開始有電流,也就是說兩者達到導(dǎo)通的起始電壓不同。在反向電壓下,硅管的漏電流要比鍺管的漏電流小得多。開始導(dǎo)通后,鍺管電流增大速度較慢,硅管電流增大速度相對較快。
硅二極管的導(dǎo)通電壓是一個關(guān)鍵的參數(shù),它決定了二極管何時開始導(dǎo)電。在大多數(shù)情況下,硅二極管的導(dǎo)通電壓被稱為“門檻電壓”或“開啟電壓”,并且這個值通常是 0...
硅二極管的死區(qū)電壓是一個關(guān)鍵的電學(xué)參數(shù),它決定了二極管開始導(dǎo)通所需的最小正向電壓。 一、死區(qū)電壓的定義 死區(qū)電壓,也稱為開啟電壓或閾值電壓,是指二極管在...
硅二極管和鍺二極管是兩種常見的半導(dǎo)體二極管,它們在電子電路中有著廣泛的應(yīng)用。這兩種二極管的主要區(qū)別在于它們的材料和特性,包括反向飽和電流。 1. 二極管...
硅二極管和鍺二極管是兩種常見的半導(dǎo)體二極管,它們在電子電路中有著廣泛的應(yīng)用。這兩種二極管的主要區(qū)別在于它們的材料和一些電氣特性。 引言 在電子工程領(lǐng)域,...
硅二極管的正向壓降是指在二極管導(dǎo)通時,其兩端的電壓差。這個值對于硅二極管來說通常在0.6V到0.7V之間,但這個值會受到溫度、電流和制造工藝等因素的影響...
二極管是一種半導(dǎo)體器件,其核心功能是允許電流只能單向流動。這一特性使得二極管在電子電路中扮演了多種角色,包括限幅功能。
升壓型DC-DC轉(zhuǎn)換器中高頻噪聲的抑制方法解析
關(guān)于如何降低升壓電源中產(chǎn)生的高頻噪聲,將分“通過減少諧振能量和電感量來降低高頻噪聲”、“提高導(dǎo)通速度和盡可能減小反向恢復(fù)電流”、“盡可能減小輸出環(huán)路中的...
2024-03-06 標簽:電容器DC-DC轉(zhuǎn)換器硅二極管 1971 0
在電子工程領(lǐng)域,二極管是一種基本的半導(dǎo)體器件,它允許電流單向流動。硅二極管和鍺二極管是兩種主要的材料類型,它們在性能和應(yīng)用上有所不同。 材料特性 硅(S...
2024-11-18 標簽:硅二極管半導(dǎo)體器件低頻信號 729 0
二極管反向截止的條件是什么?? 二極管反向截止是指在一定的電壓條件下,二極管內(nèi)部的電流無法流動,電流被完全阻斷的狀態(tài)。這種狀態(tài)是二極管的一種基本性質(zhì),也...
為什么硅二極管的死區(qū)電壓比鍺二極管的死區(qū)電壓大?
為什么硅二極管的死區(qū)電壓比鍺二極管的死區(qū)電壓大?? 硅二極管和鍺二極管是電子學(xué)中非常常見的兩種二極管。二極管的死區(qū)電壓是指當(dāng)二極管處于反向偏置狀態(tài)時,為...
1948年6月26日,貝爾實驗室申請了肖克利發(fā)明的雙極型晶體管的專利,這是他一次在會議上感到無聊時偶然迸發(fā)的非凡設(shè)想。1949年4月7日,貝爾實驗室的G...
超高效率600V H系列整流器擴展硅二極管性能 為協(xié)助電源廠商以更低成本克服高性能系統(tǒng)的各種挑戰(zhàn), Qspeed半導(dǎo)體公司推出H系列組件Qspeed...
Qspeed硅二極管能協(xié)助克服高成本、低性能的電源設(shè)計挑戰(zhàn)
Qspeed硅二極管能協(xié)助克服高成本、低性能的電源設(shè)計挑戰(zhàn) 基于項目的各種限制約束,設(shè)計人員在元器件選型過程通常會作出這樣或那樣的折衷。譬如,在設(shè)計一個電源
硅和鍺兩種二極管的特性曲線差異 1) 硅二極管反向電流比鍺二極管反向電流小的多,鍺管為mA級,硅管為nA級。這是因為在相同溫度下鍺的ni比硅的ni要
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