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硅襯底

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硅襯底技術(shù)

晶能光電:硅襯底GaN材料應(yīng)用大有可為

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硅襯底GaN材料在中低功率的高頻HEMT和LED專業(yè)照明領(lǐng)域已經(jīng)實現(xiàn)規(guī)模商用。基于硅襯底GaN材料的Micro LED微顯技術(shù)和低功率PA正在進(jìn)行工程化...

2023-10-13 標(biāo)簽:GaN硅襯底晶能光電 708 0

晶片清洗和熱處理對硅片直接鍵合的影響

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本實驗通過這兩種清洗方法進(jìn)行標(biāo)識分為四個實驗組,進(jìn)行了清洗實驗及室溫接合, 以上工藝除熱處理工藝外,通過最小化工序內(nèi)部時間間隔,抑制清洗的基板表面暴露在...

2022-05-16 標(biāo)簽:晶片硅片鍵合 1296 0

Ni/P電鍍對具有不同n型發(fā)射極的晶體硅襯底的影響

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我們?nèi)A林科納在這項工作中,研究了Ni/P電鍍對具有不同n型發(fā)射極的晶體硅襯底的影響,在不同的溫度和不同的電鍍持續(xù)時間下測試兩種不同的化學(xué)浴組合物,兩者都...

2022-05-07 標(biāo)簽:晶體電鍍硅襯底 727 0

聚合物光波導(dǎo)制備用于硅基板上的自旋涂層薄膜的界面粘合

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引言 研究了用于制造聚合物光波導(dǎo)的旋涂聚合物粘合薄膜在硅襯底上的界面粘合。通過使用光刻工藝在硅襯底上制造粘合劑剪切按鈕,并用D2400剪切測試儀測量界面...

2021-12-27 標(biāo)簽:聚合物晶片光子器件 1562 0

Fe和Cu污染對硅襯底少數(shù)載流子壽命的影響分析

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在所有金屬污染物中,鐵和銅被認(rèn)為是最有問題的。它們不僅可以很容易地從未優(yōu)化的工藝工具和低質(zhì)量的氣體和化學(xué)物質(zhì)轉(zhuǎn)移到晶片上,而旦還會大大降低硅器件的產(chǎn)量。...

2021-12-15 標(biāo)簽:半導(dǎo)體硅片有機(jī)半導(dǎo)體 2494 0

國產(chǎn)襯底片的發(fā)展在雙極型集成電路制造中的應(yīng)用詳細(xì)資料概述

隨著國產(chǎn)襯底的生產(chǎn)工藝和控制能力的不斷提升,國產(chǎn)襯底的應(yīng)用也越來越廣。作者就國產(chǎn)襯底在雙極型集成電路制造中普遍關(guān)心的問題做了全面的評估,包括物理參數(shù)、電...

2018-04-22 標(biāo)簽:硅襯底集成電路制造 1.1萬 0

硅襯底完敗藍(lán)寶石襯底,芯片結(jié)構(gòu)已玩不出新花樣?

芯片是五面發(fā)光的,通常需要將將芯片置于支架內(nèi),反光杯的開口面積遠(yuǎn)大于芯片發(fā)光面積,導(dǎo)致單位面積光通量低,芯片表面顏色均勻性非常差,芯片正上方偏藍(lán),而外圈...

2016-11-05 標(biāo)簽:芯片硅襯底藍(lán)寶石襯底 6529 0

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硅襯底資訊

號稱低成本、無損去除,硅襯底Micro LED真是小尺寸顯示的未來?

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/吳子鵬)由于蘋果Micro LED智能手表項目擱淺,之前Micro LED遭遇了很大的質(zhì)疑,尤其是在成本和性價比方面,Micro ...

2024-04-03 標(biāo)簽:硅襯底Micro LED 3545 0

晶能光電創(chuàng)新能力獲權(quán)威認(rèn)可通過國家企業(yè)技術(shù)中心認(rèn)定

? ? 近日,國家發(fā)改委、科技部、財政部、海關(guān)總署、稅務(wù)總局五部委聯(lián)合發(fā)文,公布第29批新認(rèn)定及全部國家企業(yè)技術(shù)中心名單,晶能光電被認(rèn)定為國家企業(yè)技術(shù)中...

2023-02-27 標(biāo)簽:led發(fā)光二極管GaN 390 0

國內(nèi)主要碳化硅襯底供應(yīng)商產(chǎn)能分析,與海外龍頭差距擴(kuò)大?

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/梁浩斌)新能源汽車市場規(guī)模急劇上漲,對于碳化硅產(chǎn)業(yè)而言,上游產(chǎn)能擴(kuò)充是現(xiàn)今各大廠商所一直努力的方向。可以看到過去一年里,海內(nèi)外都持...

2023-02-20 標(biāo)簽:供應(yīng)商產(chǎn)能硅襯底 4.2萬 0

晶能光電實驗室獲CNAS認(rèn)可

近日,晶能光電(江西)有限公司實驗室順利通過了中國合格評定國家認(rèn)可委員會(CNAS)認(rèn)可審核,獲得了CNAS實驗室認(rèn)可證書(注冊號:CNASL17585...

2023-01-12 標(biāo)簽:led硅襯底CNAS 441 0

晶能光電硅襯底氮化鎵技術(shù)助力MicroLED產(chǎn)業(yè)化

Micro LED被譽(yù)為新時代顯示技術(shù),但目前仍面臨關(guān)鍵技術(shù)、良率、和成本的挑戰(zhàn)。 微米級的Micro LED已經(jīng)脫離了常規(guī)LED工藝,邁入類IC制程。...

2022-08-17 標(biāo)簽:ledGaN硅襯底 1335 0

HARSE工藝在先進(jìn)封裝技術(shù)的潛在應(yīng)用

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在本文中講述了HARSE的工藝條件,其產(chǎn)生超過3微米/分鐘的蝕刻速率和控制良好的、高度各向異性的蝕刻輪廓,還將成為展示先進(jìn)封裝技術(shù)的潛在應(yīng)用示例。

2022-05-09 標(biāo)簽:封裝技術(shù)蝕刻硅襯底 668 0

硅襯底LED未來有望引領(lǐng)市場發(fā)展

LED襯底材料是半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)材料,其決定了半導(dǎo)體照明技術(shù)的發(fā)展路線。目前,能作為LED襯底的材料包括Al2O3、SiC、Si、GaN、GaAs、...

2019-07-30 標(biāo)簽:led硅襯底 3947 0

我國研究人員解決了聲表面波器件在高頻段工作時具有較高的輸出功率的問題

我國研究人員解決了聲表面波器件在高頻段工作時具有較高的輸出功率的問題

半導(dǎo)體所張金英副研究員與國防科技大學(xué)的研究團(tuán)隊在硅襯底上生長了金剛石膜和氮化鋁薄膜,成功制備了一種嵌入式電極結(jié)構(gòu)的聲表面波器件。研究發(fā)現(xiàn),該器件可高效激...

2018-01-18 標(biāo)簽:硅襯底聲表面波器件 5760 0

硅襯底LED芯片主要制造工藝

硅襯底LED芯片主要制造工藝

本內(nèi)容主要介紹了硅襯底LED芯片主要制造工藝,介紹了什么是led襯底,led襯底材料等方面的制作工藝知識

2011-11-03 標(biāo)簽:LED制造工藝硅襯底 4979 0

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    iPhone6S
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    北京時間2015年9月10日,美國蘋果公司發(fā)布了iPhone 6s[1] 。iPhone 6s有金色、銀色、深空灰色、玫瑰金色。
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    OLED(Organic Light-Emitting Diode),全稱“有機(jī)發(fā)光二極管”,是一種顯示屏幕技術(shù)。采用OLED技術(shù)制造的OLED電視,已經(jīng)不再需要LCD液晶面板,RGB色彩信號直接由OLED二極管顯示,幾乎已經(jīng)不存在液晶的可視角度問題。
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線性穩(wěn)壓器 LDO 開關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計 溫度傳感器 壓力傳感器
電機(jī)驅(qū)動器 步進(jìn)驅(qū)動器 TWS BLDC 無刷直流驅(qū)動器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
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