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標(biāo)簽 > 米勒平臺(tái)
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在MOS管的上下橋驅(qū)動(dòng)中,有這種現(xiàn)象。如下圖,一個(gè)管子處在米勒平臺(tái)的時(shí)候,會(huì)給另一個(gè)管子的Vgs電壓充電。我用的這個(gè)管子的閾值電壓最小值是1.4V,這就...
米勒平臺(tái)的形成與其材料、制造工藝息息相關(guān),當(dāng)GE之間電壓大于閾值點(diǎn)的時(shí)候,管子的CE電壓開(kāi)始下降,但是下降的速度十分緩慢
2023-11-03 標(biāo)簽:MOS管IGBT驅(qū)動(dòng)電流 8925 0
由于米勒電容阻止了Vgs的上升,從而也就阻止了Vds的下降,這樣就會(huì)使損耗的時(shí)間加長(zhǎng)。(Vgs上升,則導(dǎo)通電阻下降,從而Vds下降)
MOSFET中米勒平臺(tái)形成的基本原理及詳細(xì)過(guò)程
MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)過(guò)程,可以簡(jiǎn)單的理解為驅(qū)動(dòng)源對(duì)MOSFET的輸入電容(主要是柵源極電容Cgs)的充放電過(guò)程;當(dāng)Cgs達(dá)到門檻電壓之后, MOSFE...
MOS管開(kāi)關(guān)時(shí)的米勒效應(yīng)基本原理
米勒效應(yīng)在MOS驅(qū)動(dòng)中臭名昭著,他是由MOS管的米勒電容引發(fā)的米勒效應(yīng),在MOS管開(kāi)通過(guò)程中,GS電壓上升到某一電壓值后GS電壓有一段穩(wěn)定值,過(guò)后GS電...
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