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標(biāo)簽 > 納微半導(dǎo)體
Navitas 成立于 2014 年,開(kāi)發(fā)的超高效氮化鎵 (GaN)半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。
納微半導(dǎo)體榮獲2024行家極光獎(jiǎng)三項(xiàng)大獎(jiǎng)
近日,一年一度的行家說(shuō)三代半年會(huì)“2024碳化硅&氮化鎵產(chǎn)業(yè)高峰論壇暨極光獎(jiǎng)?lì)C獎(jiǎng)典禮”重磅召開(kāi)。納微半導(dǎo)體憑借2
2024-12-13 標(biāo)簽: 數(shù)據(jù)中心 SiC 納微半導(dǎo)體 397 0
納微半導(dǎo)體亮相2024亞洲電源技術(shù)發(fā)展論壇
近日日,由世紀(jì)電源網(wǎng)主辦的第十五屆“亞洲電源技術(shù)發(fā)展論壇”于深圳盛大舉辦。上百余電源上下游企業(yè)和3000多名專業(yè)工程師匯
近日, 唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及下一代氮化鎵(GaN)功率芯片和碳化硅(SiC)技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體 (
2024-12-09 標(biāo)簽: 數(shù)據(jù)中心 AI 氮化鎵 318 0
納微半導(dǎo)體再次入選德勤北美高成長(zhǎng)科技企業(yè)500強(qiáng)
納微半導(dǎo)體 (納斯達(dá)克股票代碼: NVTS) 今日宣布再次入選德勤北美高成長(zhǎng)科技企業(yè)500強(qiáng)。全球不斷增長(zhǎng)的市場(chǎng)和客戶對(duì)
2024-11-22 標(biāo)簽: AI 氮化鎵 納微半導(dǎo)體 414 0
納微半導(dǎo)體發(fā)布全球首款8.5kW AI數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源
唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及下一代氮化鎵(GaN)功率芯片和碳化硅(SiC)技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體 (納斯達(dá)克
2024-11-08 標(biāo)簽: 電源 GaN 功率半導(dǎo)體 437 0
納微十年,氮化鎵GaNSlim上新,持續(xù)引領(lǐng)集成之勢(shì)
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃晶晶)十年前納微半導(dǎo)體作為氮化鎵行業(yè)的先鋒,成功地將氮化鎵功率器件帶入消費(fèi)電子市場(chǎng),幫助客戶打造
集成之巔,易用至極!納微發(fā)布全新GaNSlim?氮化鎵功率芯片
采用納微專利的DPAK-4L封裝的高度集成氮化鎵功率芯片,具有智能化電磁干擾(EMI)控制和無(wú)損電流感測(cè)功能,助力打造業(yè)
2024-10-17 標(biāo)簽: 氮化鎵 功率芯片 納微半導(dǎo)體 736 0
近日,納微半導(dǎo)體推出了全新一代高度集成的氮化鎵功率芯片——GaNSlim?。這款芯片憑借卓越的集成度和出色的散熱性能,在
2024-10-17 標(biāo)簽: 氮化鎵 功率芯片 納微半導(dǎo)體 359 0
納微半導(dǎo)體第三代快速碳化硅獲AEC Q101車規(guī)認(rèn)證
納微半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼:NVTS)近日宣布推出符合車規(guī)認(rèn)證的D2PAK-7L (TO-263-7)和標(biāo)貼TOLL封
2024-10-10 標(biāo)簽: 電動(dòng)汽車 碳化硅 納微半導(dǎo)體 404 0
全球最高功率密度!納微全新4.5kW服務(wù)器電源方案正式發(fā)布,輕松滿足AI數(shù)據(jù)中心增長(zhǎng)的功率需求
納微氮化鎵和碳化硅混合設(shè)計(jì)電源能在最小尺寸下,為每個(gè)搭載AI GPU的機(jī)柜提升3倍功率 加利福尼亞州托倫斯2024年7月
2024-07-26 標(biāo)簽: 電源 服務(wù)器 數(shù)據(jù)中心 1308 0
Navitas 成立于 2014 年,開(kāi)發(fā)的超高效氮化鎵 (GaN)半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來(lái)源于拉丁語(yǔ)中的能源,它不僅體現(xiàn)了我們對(duì)開(kāi)發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注,還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)帶來(lái)的能源。
GaN 的重要性與日俱增,因?yàn)樗軌蛱峁┍葌鹘y(tǒng)硅半導(dǎo)體顯著改進(jìn)的性能,同時(shí)減少提供該性能所需的能量和物理空間。GaN 技術(shù)將通過(guò)提高效率、降低清潔能源的成本以及減少制造功率半導(dǎo)體所需的材料和能源來(lái)加速向可持續(xù)未來(lái)的過(guò)渡。
Navitas 是 GaN 的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者,在單個(gè)易于使用的集成電路 (IC) 中提供驅(qū)動(dòng)、控制和保護(hù)。Navitas GaNFast IC是易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出”構(gòu)建塊,可將開(kāi)關(guān)速度提高 100 倍,同時(shí)將節(jié)能效果提高 40%。
通過(guò)選擇 Navitas GaN,產(chǎn)品開(kāi)發(fā)人員能夠創(chuàng)建比以往更小、更輕、更快、更環(huán)保的電源轉(zhuǎn)換和電源管理解決方案。從智能手機(jī)、筆記本電腦和平板電腦的快速充電器到電視、數(shù)據(jù)中心、電動(dòng)汽車、電動(dòng)汽車和可再生能源發(fā)電,GaNFast IC 可實(shí)現(xiàn)最高能效、最高集成度和最高功率密度。
Navitas 的管理團(tuán)隊(duì)在電力電子領(lǐng)域的創(chuàng)新和業(yè)務(wù)創(chuàng)造方面有著非凡的記錄。該公司由管理團(tuán)隊(duì)和頂級(jí)風(fēng)險(xiǎn)投資家 Atlantic Bridge、Capricorn Investment Group 和 Malibu IQ 資助,他們都在建立對(duì)電子行業(yè)產(chǎn)生重大影響的業(yè)務(wù)方面擁有良好的記錄。
PFC開(kāi)關(guān)管來(lái)自納微,型號(hào)NV6136C,這是一顆高集成的氮化鎵功率芯片,內(nèi)置驅(qū)動(dòng)器以及高精度無(wú)損耗電流采樣電路,消除取樣電阻的損耗。NV6136C內(nèi)置...
納微半導(dǎo)體利用橫向650V eMode硅基氮化鎵技術(shù),創(chuàng)造了專有的AllGaN工藝設(shè)計(jì)套件(PDK),以實(shí)現(xiàn)集成氮化鎵 FET、氮化鎵驅(qū)動(dòng)器,邏輯和保護(hù)...
納微半導(dǎo)體GeneSiC碳化硅MOSFETs為高頻充電樁實(shí)現(xiàn)最佳充電效果
碳化硅(SiC)是一種新的“寬禁帶”功率半導(dǎo)體材料,正在快速取代傳統(tǒng)硅功率芯片,應(yīng)用于可再生能源、儲(chǔ)能、 微網(wǎng)、電動(dòng)汽車和工業(yè)應(yīng)用等高功率、高壓應(yīng)用領(lǐng)域。
納微新一代GaNSense? Control合封芯片的應(yīng)用電路
GaNSense Control合封氮化鎵功率芯片具有單片集成的 GaN 功率 FET 和 GaN 驅(qū)動(dòng)器的所有優(yōu)點(diǎn),加上單個(gè)表面貼裝封裝中的控制和保護(hù)...
2023-04-25 標(biāo)簽:充電器氮化鎵納微半導(dǎo)體 366 0
簡(jiǎn)述納微GaNSense技術(shù)及專利布局
充電器,已經(jīng)成為每個(gè)人的生活必需品。充電器的結(jié)構(gòu)是否緊湊,能否提供更高的功率和更短的充電時(shí)間,對(duì)消費(fèi)電子企業(yè)和消費(fèi)者都非常重要,在這種背景下,讓氮化鎵已...
2022-11-09 標(biāo)簽:充電器GaN納微半導(dǎo)體 659 0
納微半導(dǎo)體發(fā)布采用GaNSense技術(shù)的 NV624x GaNFast半橋功率芯片
納微半導(dǎo)體于2022年9月正式發(fā)布新一采用GaNSense技術(shù)的 NV624x GaNFast半橋功率芯片,作為全新一代產(chǎn)品,其集成了兩個(gè)GaN FET...
2022-09-09 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器功率芯片納微半導(dǎo)體 1784 0
一文看懂氮化鎵:納微最全介紹,帶你極速認(rèn)識(shí)第三代半導(dǎo)體
禁帶寬度決定了一種材料所能承受的電場(chǎng)。氮化鎵比傳統(tǒng)硅材料更大的禁帶寬度,使它具有非常細(xì)窄的耗盡區(qū),從而可以開(kāi)發(fā)出載流子濃度非常高的器件結(jié)構(gòu)。
2021-07-20 標(biāo)簽:半導(dǎo)體氮化鎵納微半導(dǎo)體 2.2萬(wàn) 0
納微半導(dǎo)體成立全球首家氮化鎵功率芯片設(shè)計(jì)中心立即下載
2023-02-22 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車氮化鎵納微半導(dǎo)體 0 344
納微半導(dǎo)體推出智能GaNFast氮化鎵功率芯片立即下載
2023-02-22 標(biāo)簽:氮化鎵功率芯片納微半導(dǎo)體 0 328
2018-06-26 標(biāo)簽:半導(dǎo)體納微半導(dǎo)體 0 1531
納微半導(dǎo)體榮獲2024行家極光獎(jiǎng)三項(xiàng)大獎(jiǎng)
近日,一年一度的行家說(shuō)三代半年會(huì)“2024碳化硅&氮化鎵產(chǎn)業(yè)高峰論壇暨極光獎(jiǎng)?lì)C獎(jiǎng)典禮”重磅召開(kāi)。納微半導(dǎo)體憑借2024年優(yōu)異的應(yīng)用和產(chǎn)品表現(xiàn),榮...
2024-12-13 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)中心SiC納微半導(dǎo)體 397 0
納微半導(dǎo)體亮相2024亞洲電源技術(shù)發(fā)展論壇
近日日,由世紀(jì)電源網(wǎng)主辦的第十五屆“亞洲電源技術(shù)發(fā)展論壇”于深圳盛大舉辦。上百余電源上下游企業(yè)和3000多名專業(yè)工程師匯聚一堂,共同交流電源技術(shù)最新研究...
近日, 唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及下一代氮化鎵(GaN)功率芯片和碳化硅(SiC)技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體 (納斯達(dá)克股票代碼: NVTS) ...
2024-12-09 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)中心AI氮化鎵 318 0
納微半導(dǎo)體再次入選德勤北美高成長(zhǎng)科技企業(yè)500強(qiáng)
納微半導(dǎo)體 (納斯達(dá)克股票代碼: NVTS) 今日宣布再次入選德勤北美高成長(zhǎng)科技企業(yè)500強(qiáng)。全球不斷增長(zhǎng)的市場(chǎng)和客戶對(duì)先進(jìn)、高效、寬禁帶氮化鎵(GaN...
2024-11-22 標(biāo)簽:AI氮化鎵納微半導(dǎo)體 414 0
納微半導(dǎo)體發(fā)布全球首款8.5kW AI數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源
唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及下一代氮化鎵(GaN)功率芯片和碳化硅(SiC)技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體 (納斯達(dá)克股票代碼: NVTS) 今日發(fā)布...
2024-11-08 標(biāo)簽:電源GaN功率半導(dǎo)體 437 0
納微十年,氮化鎵GaNSlim上新,持續(xù)引領(lǐng)集成之勢(shì)
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃晶晶)十年前納微半導(dǎo)體作為氮化鎵行業(yè)的先鋒,成功地將氮化鎵功率器件帶入消費(fèi)電子市場(chǎng),幫助客戶打造了許多氮化鎵充電器的爆款產(chǎn)品,也...
集成之巔,易用至極!納微發(fā)布全新GaNSlim?氮化鎵功率芯片
采用納微專利的DPAK-4L封裝的高度集成氮化鎵功率芯片,具有智能化電磁干擾(EMI)控制和無(wú)損電流感測(cè)功能,助力打造業(yè)界最快、最小、最高效的解決方案。...
2024-10-17 標(biāo)簽:氮化鎵功率芯片納微半導(dǎo)體 736 0
近日,納微半導(dǎo)體推出了全新一代高度集成的氮化鎵功率芯片——GaNSlim?。這款芯片憑借卓越的集成度和出色的散熱性能,在手機(jī)和筆記本電腦充電器、電視電源...
2024-10-17 標(biāo)簽:氮化鎵功率芯片納微半導(dǎo)體 359 0
納微半導(dǎo)體第三代快速碳化硅獲AEC Q101車規(guī)認(rèn)證
納微半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼:NVTS)近日宣布推出符合車規(guī)認(rèn)證的D2PAK-7L (TO-263-7)和標(biāo)貼TOLL封裝的第三代快速碳化硅MOSFET...
2024-10-10 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車碳化硅納微半導(dǎo)體 404 0
全球最高功率密度!納微全新4.5kW服務(wù)器電源方案正式發(fā)布,輕松滿足AI數(shù)據(jù)中心增長(zhǎng)的功率需求
納微氮化鎵和碳化硅混合設(shè)計(jì)電源能在最小尺寸下,為每個(gè)搭載AI GPU的機(jī)柜提升3倍功率 加利福尼亞州托倫斯2024年7月25日訊 — 下一代GaNFas...
2024-07-26 標(biāo)簽:電源服務(wù)器數(shù)據(jù)中心 1308 0
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