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      標(biāo)簽　>　肖特基勢(shì)壘二極管

      肖特基勢(shì)壘二極管

      +關(guān)注 0人關(guān)注

      　　肖特基勢(shì)壘二極管，又稱熱載流子二極管。利用金屬-半導(dǎo)體（M-S）接觸特性制成，有點(diǎn)接觸型和面結(jié)合型兩種管芯結(jié)構(gòu)。

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      肖特基勢(shì)壘二極管簡(jiǎn)介

      　　肖特基勢(shì)壘二極管利用金屬-半導(dǎo)體（M-S）接觸特性制成，由于金屬-半導(dǎo)體接觸的電流運(yùn)輸主要是依靠多數(shù)載流子（電子），其電子遷移率高，且M-S結(jié)可以在亞微米尺度上精確制造加工，使得肖特基勢(shì)壘二極管能運(yùn)用到亞毫米波、太赫茲波頻段。肖特基勢(shì)壘二極管有兩種管芯結(jié)構(gòu)：點(diǎn)接觸型和面結(jié)合型。點(diǎn)接觸型管芯用一根金屬絲壓接在N型半導(dǎo)體外延層表面上形成金半接觸。面結(jié)合型管芯先要在N型半導(dǎo)體外延層表面上生成二氧化硅保護(hù)層，再用光刻的辦法腐蝕出一個(gè)小孔，暴露出N型半導(dǎo)體外延層表面，淀積一層金屬膜（一般采用金屬淚或鈦，稱為勢(shì)壘金屬）形成金半接觸，再蒸餾或電鍍一層金屬（金、銀等）構(gòu)成電極。

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      肖特基勢(shì)壘二極管知識(shí)

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      肖特基勢(shì)壘二極管技術(shù)

      支持電子設(shè)備進(jìn)一步降低功耗的第5代平面型肖特基勢(shì)壘二極管

      支持電子設(shè)備進(jìn)一步降低功耗的第5代平面型肖特基勢(shì)壘二極管

      ROHM第5代平面肖特基勢(shì)壘二極管的效率比上一代產(chǎn)品又提高了25%，有助于進(jìn)一步提高開關(guān)電源的效率。

      2024-08-09 標(biāo)簽：電子設(shè)備Rohm肖特基勢(shì)壘二極管 1.4萬(wàn) 0

      具有低導(dǎo)通電阻的GaN-on-SiC肖特基勢(shì)壘二極管設(shè)計(jì)

      具有低導(dǎo)通電阻的GaN-on-SiC肖特基勢(shì)壘二極管設(shè)計(jì)

      北京工業(yè)大學(xué)和中國(guó)北京大學(xué)報(bào)道了碳化硅襯底（GaN/SiC）上由氮化鎵制成的全垂直結(jié)構(gòu)肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）的性能

      2024-02-19 標(biāo)簽：SBDSiCGaN 1336 0

      6種二極管的特性分析

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      整流二極管 (Rectifier Diode) 顧名思義，是指對(duì)商用頻率的交流電進(jìn)行整流的二極管。整流的主要目的是將交流轉(zhuǎn)換為直流，其具有高電壓、高電流...

      2023-11-28 標(biāo)簽：二極管半導(dǎo)體整流二極管 1872 0

      SiC產(chǎn)品和Si產(chǎn)品的兩點(diǎn)比較 SiC肖特基勢(shì)壘二極管的特征

      SiC產(chǎn)品和Si產(chǎn)品的兩點(diǎn)比較 SiC肖特基勢(shì)壘二極管的特征

      我們從SiC肖特基勢(shì)壘二極管（以下簡(jiǎn)稱“SBD”）的結(jié)構(gòu)開始介紹。如下圖所示，為了形成肖特基勢(shì)壘，將半導(dǎo)體SiC與金屬相接合（肖特基結(jié)）。結(jié)構(gòu)與Si肖特...

      2023-07-18 標(biāo)簽：變壓器SBDSiC 571 0

      一種基于全HVPE生長(zhǎng)的垂直GaN肖特基勢(shì)壘二極管

      一種基于全HVPE生長(zhǎng)的垂直GaN肖特基勢(shì)壘二極管

      近日，由深圳大學(xué)和深圳信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院組成的科研團(tuán)隊(duì)，研發(fā)出了“基于全HVPE生長(zhǎng)、具有創(chuàng)紀(jì)錄的高品質(zhì)優(yōu)值(1.1 GW/cm2)的垂直GaN肖特基勢(shì)壘...

      2023-06-13 標(biāo)簽：二極管功率器件GaN 1289 0

      在功率二極管中損耗最小的SiC-SBD

      在功率二極管中損耗最小的SiC-SBD

      ROHM努力推進(jìn)最適合處理高耐壓與大電流電路使用SiC（碳化硅）材料的SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）。2010年在日本國(guó)內(nèi)率先開始SiC SBD的量產(chǎn)，目前...

      2023-02-13 標(biāo)簽：二極管功率二極管SiC 683 0

      肖特基勢(shì)壘二極管的特征介紹

      肖特基勢(shì)壘二極管的特征介紹

      再次談及Si二極管，將說(shuō)明肖特基勢(shì)壘二極管（以下簡(jiǎn)稱為SBD）的相關(guān)特征和應(yīng)用。 Si-SBD的特征：如前文所述，Si-SBD并非PN結(jié)，而是利用硅稱之...

      2023-02-09 標(biāo)簽：二極管SBD肖特基勢(shì)壘二極管 925 0

      SiC-SBD、Si?SBD、Si-PND的特征及優(yōu)勢(shì)

      SiC-SBD、Si?SBD、Si-PND的特征及優(yōu)勢(shì)

      關(guān)于SiC-SBD，前面介紹了其特性、與Si二極管的比較、及當(dāng)前可供應(yīng)的產(chǎn)品。本篇將匯總之前的內(nèi)容，并探討SiC-SBD的優(yōu)勢(shì)。

      2023-02-08 標(biāo)簽：SBDSiC肖特基勢(shì)壘二極管 1390 0

      SiC-SBD的發(fā)展歷程

      SiC-SBD的發(fā)展歷程

      為了使大家了解SiC-SBD，前面以Si二極管為比較對(duì)象，對(duì)特性進(jìn)行了說(shuō)明。其中，也談到SiC-SBD本身也發(fā)展到第2代，性能得到了提升。

      2023-02-08 標(biāo)簽：二極管SBDSiC 670 0

      SiC-SBD與Si-PND的反向恢復(fù)特性比較

      SiC-SBD與Si-PND的反向恢復(fù)特性比較

      下面從SiC肖特基勢(shì)壘二極管（以下簡(jiǎn)稱“SBD”）的結(jié)構(gòu)開始介紹。如下圖所示，為了形成肖特基勢(shì)壘，將半導(dǎo)體SiC與金屬相接合（肖特基結(jié)）。結(jié)構(gòu)與Si肖特...

      2023-02-08 標(biāo)簽：二極管PNDSBD 833 0

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      肖特基勢(shì)壘二極管帖子

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      肖特基勢(shì)壘二極管資訊

      SCS2xxAN(650V)和SCS2xxKN(1,200V)SiC肖特基勢(shì)壘二極管介紹

      SCS2xxAN(650V)和SCS2xxKN(1,200V)SiC肖特基勢(shì)壘二極管介紹

      SCS2xxAN（650V）和SCS2xxKN（1,200V）是采用小型表貼封裝、實(shí)現(xiàn)了寬爬電距離的SiC肖特基勢(shì)壘二極管。雖為小型表貼封裝，但通過確保...

      2024-12-19 標(biāo)簽：SiC肖特基勢(shì)壘二極管 140 0

      通過東芝的 CRS13 肖特基勢(shì)壘二極管解鎖效率和可靠性

      隨著科技的不斷進(jìn)步，工程師和開發(fā)人員不斷尋求性能卓越、可靠性強(qiáng)且效率高的元件。東芝的 CRS13 肖特基勢(shì)壘二極管憑借其高速開關(guān)、低正向壓降和強(qiáng)大的熱性...

      2024-11-25 標(biāo)簽：二極管肖特基勢(shì)壘二極管 98 0

      東芝研討會(huì)解讀肖特基勢(shì)壘二極管的特性、選型、使用要點(diǎn)和電路設(shè)計(jì)的技巧

      東芝研討會(huì)解讀肖特基勢(shì)壘二極管的特性、選型、使用要點(diǎn)和電路設(shè)計(jì)的技巧

      在開關(guān)電源特別是高頻開關(guān)電源中，肖特基勢(shì)壘二極管可謂是不可缺少的整流高手。肖特基勢(shì)壘二極管由金屬與半導(dǎo)體接觸形成的勢(shì)壘層為基礎(chǔ)制成，作為一種低功耗、超高...

      2023-06-16 標(biāo)簽：二極管整流二極管肖特基二極管 1012 0

      特瑞仕開始提供功率半導(dǎo)體SiC肖特基勢(shì)壘二極管850V/10A樣品

      特瑞仕半導(dǎo)體是專注于電源IC的模擬CMOS專業(yè)集團(tuán)，Phenitec Semiconductor是特瑞仕半導(dǎo)體的子公司，此產(chǎn)品是由Phenitec Se...

      2023-05-16 標(biāo)簽：特瑞仕SiC功率半導(dǎo)體 445 0

      Diodes推出首款碳化硅 (SiC) 蕭特基勢(shì)壘二極管 (SBD)

      產(chǎn)品組合包含 DIODES DSCxxA065 系列，共有十一項(xiàng) 650V 額定電壓 (4A、6A、8A 和 10A) 的產(chǎn)品，以及 DIODES DS...

      2023-02-16 標(biāo)簽：Diodes碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管 805 0

      東芝發(fā)布適用于各種應(yīng)用的肖特基勢(shì)壘二極管陣列！

      一提到低功耗、大電流、超高速的半導(dǎo)體器件，你會(huì)率先想到哪種器件？不少工程師表示，當(dāng)然是肖特基勢(shì)壘二極管了！肖特基勢(shì)壘二極管是用其發(fā)明人肖特基博士（Sch...

      2023-02-02 標(biāo)簽：二極管東芝整流二極管 1141 0

      在車載市場(chǎng)中擁有豐碩業(yè)績(jī)的小型高效SBD“RBR/RBQ系列”產(chǎn)品陣容進(jìn)一步壯大

      在車載市場(chǎng)中擁有豐碩業(yè)績(jī)的小型高效SBD“RBR/RBQ系列”產(chǎn)品陣容進(jìn)一步壯大

      通過采用新工藝，RBR系列和RBQ系列的芯片性能都得到很大提升，與ROHM以往產(chǎn)品相比，效率提高了25%。

      2021-08-06 標(biāo)簽：SBD肖特基勢(shì)壘二極管 1173 0

      英飛凌推出全新650V CoolSiC? Hybrid IGBT 單管，進(jìn)一步提高效率

      由于 IGBT反并聯(lián)SiC 肖特基勢(shì)壘二極管，在 dv/dt 和 di/dt 值幾乎不變下，CoolSiC? Hybrid IGBT能大幅降低開關(guān)損耗。

      2021-02-23 標(biāo)簽：英飛凌IGBT肖特基勢(shì)壘二極管 1852 0

      Microchip推出最新一代汽車用700 和 1200V 碳化硅（SiC）肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）

      Microchip新推出的器件通過了AEC-Q101認(rèn)證，對(duì)于需要在提高系統(tǒng)效率的同時(shí)保持高質(zhì)量的電動(dòng)汽車電源設(shè)計(jì)人員來(lái)說(shuō)，可以最大限度地提高系統(tǒng)的可靠...

      2020-11-02 標(biāo)簽：microchip碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管 1597 0

      ROHM面向車載系統(tǒng)開發(fā)出200V耐壓肖特基勢(shì)壘二極管“RBxx8BM/NS200”

      全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都），面向包括xEV在內(nèi)的動(dòng)力傳動(dòng)系統(tǒng)等車載系統(tǒng)，開發(fā)出200V耐壓的超低IR※1肖特基勢(shì)壘二極管※2（以下...

      2019-08-27 標(biāo)簽：車載系統(tǒng)Rohm肖特基勢(shì)壘二極管 1284 0

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      肖特基勢(shì)壘二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

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        Arduino
        +關(guān)注
        Arduino是一款便捷靈活、方便上手的開源電子原型平臺(tái)。包含硬件（各種型號(hào)的Arduino板）和軟件（Arduino IDE)。
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        28nm
        +關(guān)注
        從背景上看，28nm誕生于2008年那場(chǎng)金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營(yíng)資金壓力，將更多的資源集中到相對(duì)投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
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        TI公司
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        32位單片機(jī)
        +關(guān)注
        ARM，其中ARM7，9，10是公開的32位處理器內(nèi)核，很多公司都有基于ARM的單片機(jī)產(chǎn)品。目前國(guó)內(nèi)應(yīng)用最廣泛的所三星和菲利普。
      • 驍龍
        驍龍
        +關(guān)注
        驍龍是Qualcomm Technologies（美國(guó)高通）旗下移動(dòng)處理器和LTE調(diào)制解調(diào)器的品牌名稱。
      • Cortex-A
        Cortex-A
        +關(guān)注
        　　Cortex-A 系列處理器是一系列處理器，支持ARM32或64位指令集，向后完全兼容早期的ARM處理器，包括從1995年發(fā)布的ARM7TDMI處理器到2002年發(fā)布的ARMll處理器系列。
      • Mobileye
        Mobileye
        +關(guān)注
        Mobileye在單目視覺高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng) （ADAS） 的開發(fā)方面走在世界前列，提供芯片搭載系統(tǒng)和計(jì)算機(jī)視覺算法運(yùn)行 DAS 客戶端功能，例如車道偏離警告 （LDW）、基于雷達(dá)視覺融合的車輛探測(cè)、前部碰撞警告 （FCW）、車距監(jiān)測(cè) （HMW）、行人探測(cè)、智能前燈控制 （IHC）、交通標(biāo)志識(shí)別 （TSR）、僅視覺自適應(yīng)巡航控制 （ACC） 等。
      • CC2541
        CC2541
        +關(guān)注
        CC2541 是一款針對(duì)低能耗以及私有 2.4GHz 應(yīng)用的功率優(yōu)化的真正片載系統(tǒng) （SoC） 解決方案。
      • G3-PLC
        G3-PLC
        +關(guān)注
      • 超級(jí)本
        超級(jí)本
        +關(guān)注
        超極本Ultrabook是英特爾繼UMPC、MID、上網(wǎng)本netbook、Consumer Ultra Low Voltage超輕薄筆記本之后，定義的全新品類筆記本產(chǎn)品，集成了平板電腦的應(yīng)用特性與PC的性能，超極本是完整的電腦。
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