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標簽 > 藍箭電子
佛山市藍箭電子股份有限公司是廣東省高新技術企業(yè),國內(nèi)半導體器件專業(yè)研發(fā)制造商。公司前身是佛山市無線電四廠,創(chuàng)建于七十年代初。 1998年轉制成有限責任公司,2012年股改為佛山市藍箭電子股份有限公司。
半導體封裝及測試廠商藍箭電子正式登陸創(chuàng)業(yè)板
半導體封裝及測試廠商藍箭電子正式登陸創(chuàng)業(yè)板 日前,藍箭電子正式登陸創(chuàng)業(yè)板。此次藍箭電子IPO預計藍箭電子募集資金總額為9
2023-07-31 標簽: 封裝 ipo 創(chuàng)業(yè)板 757 0
7月28日,封裝測試領先企業(yè)藍箭電子開啟申購!藍箭電子本次募集資金擬投資6.01億元,其中5.43億元將用于半導體封裝測
此次藍箭電子沖刺創(chuàng)業(yè)板上市,保薦機構為金元證券,擬公開發(fā)行不超過5000萬股,募集6.02億元,用于擴充AC-DC、DC
藍箭電子轉戰(zhàn)創(chuàng)業(yè)板,募資6億擴產(chǎn)和研發(fā)先進封裝
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/劉靜)近日,藍箭電子更新IPO上市最新進展,進入第三輪問詢階段。藍箭科技此前申請的是科創(chuàng)板上市,但
隨著5G通信、汽車電子等領域的發(fā)展,對集成電路的先進封裝要求也更高,先進封裝技術有望逐漸成為市場主流。根據(jù)中國半導體行業(yè)
年新增封裝測試產(chǎn)品50.28億只的生產(chǎn)能力,藍箭電子市場消化能力待考驗
正沖擊科創(chuàng)板的佛山市藍箭電子股份有限公司(下稱“藍箭電子”)披露了科創(chuàng)板首輪問詢回復。
佛山市藍箭電子股份有限公司是廣東省高新技術企業(yè),國內(nèi)半導體器件專業(yè)研發(fā)制造商。公司前身是佛山市無線電四廠,創(chuàng)建于七十年代初。 1998年轉制成有限責任公司,2012年股改為佛山市藍箭電子股份有限公司。目前已形成年產(chǎn)150億只的生產(chǎn)規(guī)模,是華南地區(qū)主要的半導體器件生產(chǎn)基地之一。
公司廠區(qū)位于佛山市禪城區(qū),廠房面積8萬平方米。公司擁有大量先進的生產(chǎn)線,產(chǎn)品系列有各種封裝的雙極型晶體管、場效應晶體管(MOSFET)、各種開關、穩(wěn)壓、肖特基(SBD)、快恢復(FRD)等二極管、晶閘管(可控硅)、集成電路(IC)等,產(chǎn)品廣泛應用于家用電器、電源、IT數(shù)碼、通信、新能源、汽車電子、儀器儀表、顯示屏、燈飾照明、背光源等領域。
公司從1997年開始通過ISO9001質量管理體系認證,2005年通過ISO14001環(huán)境管理體系認證,2013年通過了ISO/TS16949(IATF16949)汽車行業(yè)質量管理體系標準認證,2015年通過OHSAS18001認證。目前公司建立了廣東省半導體器件工程技術研究開發(fā)中心和廣東省企業(yè)技術中心,2008年,“藍箭”牌晶體管被認定為廣東省名牌產(chǎn)品。
半導體封裝及測試廠商藍箭電子正式登陸創(chuàng)業(yè)板
半導體封裝及測試廠商藍箭電子正式登陸創(chuàng)業(yè)板 日前,藍箭電子正式登陸創(chuàng)業(yè)板。此次藍箭電子IPO預計藍箭電子募集資金總額為90,400.00萬元,扣除預計發(fā)...
2023-07-31 標簽:封裝ipo創(chuàng)業(yè)板 757 0
此次藍箭電子沖刺創(chuàng)業(yè)板上市,保薦機構為金元證券,擬公開發(fā)行不超過5000萬股,募集6.02億元,用于擴充AC-DC、DC-DC、鋰電保護IC等封測產(chǎn)能,...
藍箭電子轉戰(zhàn)創(chuàng)業(yè)板,募資6億擴產(chǎn)和研發(fā)先進封裝
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/劉靜)近日,藍箭電子更新IPO上市最新進展,進入第三輪問詢階段。藍箭科技此前申請的是科創(chuàng)板上市,但2020年撤回了在科創(chuàng)板的注冊申...
隨著5G通信、汽車電子等領域的發(fā)展,對集成電路的先進封裝要求也更高,先進封裝技術有望逐漸成為市場主流。根據(jù)中國半導體行業(yè)協(xié)會封裝分會統(tǒng)計,當前以TVS、...
年新增封裝測試產(chǎn)品50.28億只的生產(chǎn)能力,藍箭電子市場消化能力待考驗
正沖擊科創(chuàng)板的佛山市藍箭電子股份有限公司(下稱“藍箭電子”)披露了科創(chuàng)板首輪問詢回復。
型號 | 描述 | 數(shù)據(jù)手冊 | 參考價格 |
---|---|---|---|
DTA144EKA | 晶體管類型:1個PNP-預偏置;功率(Pd):200mW;集電極電流(Ic):100mA;集射極擊穿電壓(Vceo):50V;集電極截止電流(Icbo):-;集射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):-;最小輸入電壓(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo):3V@2mA,300mV;最大輸入電壓(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc):500mV@100uA,5V;輸出電壓(VO(on)@Io/Ii):100mV@10mA,500uA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):-;輸入電阻:47 |
獲取價格
|
|
DTA143ZKA | 晶體管類型:1個PNP-預偏置;功率(Pd):200mW;集電極電流(Ic):100mA;集射極擊穿電壓(Vceo):50V; |
獲取價格
|
|
2SD965T | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):20V;集電極電流(Ic):5A;功率(Pd):500mW;集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):1V@3A,100mA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):180@500mA,2V;特征頻率(fT):150MHz;工作溫度:+150℃@(Tj); |
獲取價格
|
|
8550-C | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):25V;集電極電流(Ic):1.5A;功率(Pd):1W;集電極截止電流(Icbo):100nA;集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):280mV@800mA,80mA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):120@100mA,1V;特征頻率(fT):200MHz;工作溫度:+150℃@(Tj); |
獲取價格
|
|
2SC945-P | 晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):50V;集電極電流(Ic):150mA;功率(Pd):250mW;集電極截止電流(Icbo):100nA;集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):150mV@100mA,10mA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):200@1mA,6V;特征頻率(fT):250MHz;工作溫度:+150℃@(Tj); |
獲取價格
|
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