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標(biāo)簽 > 閾值電壓
閾值電壓 (Threshold voltage):通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點對應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時具有不同的參數(shù)。如描述場發(fā)射的特性時,電流達(dá)到10mA時的電壓被稱為閾值電壓。
電介質(zhì)在決定閾值電壓方面也起了重要作用。厚電介質(zhì)由于比較厚而削弱了電場。所以厚電介質(zhì)使閾值電壓上升,而薄電介質(zhì)使閾值電壓下降。理論上,電介質(zhì)成分也會影響電場強(qiáng)度。而實際上,幾乎所有的MOS管都用純二氧化硅作為gate dielectric。這種物質(zhì)可以以極純的純度和均勻性生長成非常薄的薄膜;其他物質(zhì)跟它都不能相提并論。因此其他電介質(zhì)物質(zhì)只有很少的應(yīng)用。(也有用高介電常數(shù)的物質(zhì)比如氮化硅作為gate dielectric的器件。有些作者把所有的MOS類晶體管,包括非氧化物電介質(zhì),稱為insulated-gate field effect transistor(IGFET))。
MOS管的閾值電壓(Threshold Voltage)是一個至關(guān)重要的參數(shù),它決定了MOS管(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)的導(dǎo)通與截止?fàn)顟B(tài),對MOS...
二極管閾值電壓和導(dǎo)通電壓是兩個關(guān)鍵參數(shù),它們對于二極管的工作特性和應(yīng)用至關(guān)重要。以下是對這兩個參數(shù)的詳細(xì)對比和分析,包括定義、測量、影響因素以及在實際應(yīng)...
滯回比較器(Hysteresis Comparator),也稱為施密特觸發(fā)器(Schmitt Trigger)或遲滯比較器,是一種具有特殊功能的比較器電...
2024-07-30 標(biāo)簽:施密特觸發(fā)器輸入信號閾值電壓 1520 0
滯回比較器(Hysteresis Comparator)是一種具有滯回特性的比較器,其輸出在輸入電壓變化時具有滯后現(xiàn)象。滯回比較器廣泛應(yīng)用于模擬電路、數(shù)...
同向滯回比較器是一種常用的模擬電路,其主要功能是將輸入信號與參考電壓進(jìn)行比較,并根據(jù)比較結(jié)果輸出高電平或低電平。同向滯回比較器具有滯回特性,即在輸入信號...
MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)的閾值電壓(Vt)是其工作性能中的一個關(guān)鍵參數(shù),它決定了晶體管從關(guān)閉狀態(tài)過渡到開啟狀態(tài)所需的柵極電壓大小。M...
NAND Flash上的,指的是用于向閃存單元寫入數(shù)據(jù)時使用的較高編程電壓。通常高于用于其他操作如讀取或擦除的正常工作電壓。
2024-05-30 標(biāo)簽:電荷泵VccNand flash 2092 0
在實際應(yīng)用中,G極一般串聯(lián)一個電阻,防止MOS管被擊穿,也可以加上穩(wěn)壓二極管,并聯(lián)在分壓電阻上的電容,有一個軟啟動的作用。
2024-04-22 標(biāo)簽:MOSFET穩(wěn)壓二極管MOS管 1756 0
安世半導(dǎo)體宣布推出業(yè)界領(lǐng)先的1200 V碳化硅(SiC)MOSFET
Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日宣布,公司現(xiàn)推出業(yè)界領(lǐng)先的 1200 V 碳化硅(SiC) MOSFET,采用D2PAK-7 表面貼裝器件(SMD)封...
合科泰推出一款可用于高壓電源和電機(jī)驅(qū)動的高壓MOS管HKTD7N65
高壓MOS管在很多場景應(yīng)用,通常高壓MOS的特點是溝道區(qū)寬、漏極區(qū)大、導(dǎo)通損耗小、低導(dǎo)通電阻、耐高電壓、高開關(guān)速度、柵極采用特殊工藝等,這些特點使得它的...
2024-05-17 標(biāo)簽:MOS管高壓電源電機(jī)驅(qū)動 905 0
昕感科技發(fā)布一款1200V低導(dǎo)通電阻SiC MOSFET產(chǎn)品N2M120013PP0
近日,昕感科技發(fā)布一款兼容15V柵壓驅(qū)動的1200V低導(dǎo)通電阻SiC MOSFET產(chǎn)品N2M120013PP0,導(dǎo)通電阻在15V柵壓下低至13mΩ,配合...
英飛凌技術(shù)公司推出全新的OptiMOS? 6 200 V MOSFET系列產(chǎn)品
隨著英飛凌技術(shù)公司推出全新的OptiMOS? 6 200 V MOSFET系列產(chǎn)品,電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用領(lǐng)域得到了顯著的推進(jìn)。
什么是MOS管亞閾值電壓?MOSFET中的閾值電壓是如何產(chǎn)生的?
什么是MOS管亞閾值電壓?MOSFET中的閾值電壓是如何產(chǎn)生的?亞閾值區(qū)在 MOSFET器件中的作用及優(yōu)點? MOS管亞閾值電壓指的是在MOSFET器件...
合科泰推出一款采用TO-263封裝的N溝道MOS管HKTE180N08
大功率MOS通常具有耐高電壓和扛大電流等特性,在大功率應(yīng)用場景如電車、儲能電站、光伏等高功率應(yīng)用上具有重要作用。
安世半導(dǎo)體SiC MOSFET器件都有哪些獨(dú)特功能呢?
碳化硅(SiC) MOSFET 日益普及的背后有一些關(guān)鍵的驅(qū)動因素,包括充電站、太陽能光伏(PV)、電動汽車(EV)驅(qū)動、不間斷電源(UPS)和電池儲能...
邁來芯推出一款集成本地互連網(wǎng)絡(luò)(LIN)接口的智能24通道LED驅(qū)動芯片
自汽車工業(yè)誕生以來,安全性始終是汽車設(shè)計的重中之重。與乘客直接互動的汽車系統(tǒng),如氣囊和安全帶,對于確保乘客在車輛內(nèi)的安全至關(guān)重要。
2024-03-15 標(biāo)簽:電動汽車LED驅(qū)動芯片充電樁 1157 0
解鎖芯盛智能PCIe SSD—DP2100產(chǎn)品技術(shù)關(guān)鍵詞
工業(yè)領(lǐng)域與行業(yè)領(lǐng)域?qū)υO(shè)備的要求較高,相關(guān)產(chǎn)品需要經(jīng)過高低溫、濕熱、鹽霧、振動、沖擊等標(biāo)準(zhǔn)評估,同時還要求在惡劣環(huán)境下長時間穩(wěn)定工作。
半波整流電路工作原理和特點? 半波整流電路是一種常見的電路設(shè)計,它能將交流電信號轉(zhuǎn)換成直流電信號。在本文中,我們將詳細(xì)介紹半波整流電路的工作原理和特點。...
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