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非易失性存儲(chǔ)器

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　　非易失性存儲(chǔ)器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲(chǔ)器（英語(yǔ)：non-volatile memory，縮寫(xiě)為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失的電腦存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器中，依存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫(xiě)為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。

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非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)

如何使用Flash模擬EEPROM存儲(chǔ)參數(shù)？

在MCU的使用中，經(jīng)常遇到需要存儲(chǔ)參數(shù)或掉電保持?jǐn)?shù)據(jù)等功能。其中，F(xiàn)lash和EEPROM是常見(jiàn)的非易失性存儲(chǔ)器

2023-09-21 標(biāo)簽：FlaSh EEPROM 非易失性存儲(chǔ)器 1423 0

NVM對(duì)邊緣AI有何優(yōu)勢(shì)？

目前支持AI推理的最低成本處理解決方案是用于物聯(lián)網(wǎng)系統(tǒng)的現(xiàn)成單芯片微控制器。這種芯片將通用CPU、SRAM和IO功能與非易失性存儲(chǔ)器（NVM）相結(jié)合。然...

2023-09-29 標(biāo)簽：cpu 物聯(lián)網(wǎng)AI 887 0

淺析內(nèi)存基礎(chǔ)知識(shí)：易失性、非易失性和持久性

計(jì)算機(jī)、游戲機(jī)、電信、汽車、工業(yè)系統(tǒng)以及無(wú)數(shù)電子設(shè)備和系統(tǒng)都依賴于各種形式的固態(tài)存儲(chǔ)器進(jìn)行操作。設(shè)計(jì)人員需要了解易失性和非易失性存儲(chǔ)器件的各種選項(xiàng)，以優(yōu)...

2023-09-14 標(biāo)簽：處理器電容器 DRAM 1902 0

什么是OTP？eFuse是什么？eFuse是如何使用的？

NVM，即Non－Volatile Memory，非易失性存儲(chǔ)器。

2023-08-29 標(biāo)簽：FlaSh 嵌入式系統(tǒng)ROM 7231 0

基于輸入輸出堆棧的鍵值存儲(chǔ)系統(tǒng)優(yōu)化方案

在本文中，我們分析了利用本地文件系統(tǒng)保存WAL的一些缺陷，在此基礎(chǔ)上提出了一種新的WAL機(jī)制，該機(jī)制根據(jù)WAL文件的特性直接管理原始設(shè)備（或分區(qū)），避免...

2023-07-31 標(biāo)簽：SSD 存儲(chǔ)系統(tǒng)非易失性存儲(chǔ)器 244 0

CAN總線關(guān)閉故障診斷

　Can-Bus總線技術(shù)是“控制器局域網(wǎng)總線技術(shù)（Controller Area Network-BUS）”的簡(jiǎn)稱，它具有極強(qiáng)的抗干擾和糾錯(cuò)能力，最早被...

2023-07-26 標(biāo)簽：微控制器驅(qū)動(dòng)器 CAN總線 3354 0

STM32 IIC讀寫(xiě)AT24C02（二）

上次已經(jīng)完成了IIC讀寫(xiě)AT24C02的協(xié)議層，現(xiàn)在開(kāi)始編寫(xiě)讀寫(xiě)AT24C02的驅(qū)動(dòng)函數(shù)。先從單字節(jié)的讀寫(xiě)開(kāi)始。

2023-07-22 標(biāo)簽：接收機(jī)IIC總線發(fā)送器 1512 0

常用串行EEPROM的編程應(yīng)用（三）

SPI總線(Serial Peripheral Interface串行外圍設(shè)備接口總線)是三線式的串行總線，是由摩托羅拉公司所研發(fā)，使用三線進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸...

2023-07-20 標(biāo)簽：看門狗寄存器 EEPROM 2696 0

ufs是內(nèi)存還是閃存手機(jī)ufs閃存有什么作用

UFS（Universal Flash Storage）是一種用于存儲(chǔ)的閃存標(biāo)準(zhǔn)，而不是內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)。它是一種閃存存儲(chǔ)技術(shù)，用于移動(dòng)設(shè)備和其他便攜式電子設(shè)備...

2023-07-18 標(biāo)簽：電子設(shè)備 UFS 非易失性存儲(chǔ)器 2.1萬(wàn) 0

MSPM0L1306開(kāi)發(fā)板教程- NVM(FLASH)

MSPMPL系列中的NVM（Non Volatile Memory）非易失性存儲(chǔ)，也就是我們常說(shuō)的FLASH。

2023-07-08 標(biāo)簽：寄存器 FlaSh NVM 2906 1

AURIX? TC3xx NVM是非易失性存儲(chǔ)器學(xué)習(xí)筆記

TC3xx芯片最多有6個(gè)內(nèi)核，每個(gè)核有自己的私有的Memory以及共有的Memory。

2023-06-19 標(biāo)簽：FlaSh RAM SWAP 6954 0

內(nèi)存和硬盤(pán)的區(qū)別與作用

在定義方面它們有本質(zhì)的區(qū)別，硬盤(pán)屬于“ 非易失性存儲(chǔ)器”，而內(nèi)存是“隨機(jī)存取存儲(chǔ)器”，屬于“易失性存儲(chǔ)設(shè)備“。

2023-05-17 標(biāo)簽：cpu 硬盤(pán)內(nèi)存 2794 0

嵌入式軟件可靠性設(shè)計(jì)的編程要點(diǎn)

設(shè)備的可靠性涉及多個(gè)方面：穩(wěn)定的硬件、優(yōu)秀的軟件架構(gòu)、嚴(yán)格的測(cè)試以及市場(chǎng)和時(shí)間的檢驗(yàn)等等。

2023-05-16 標(biāo)簽：C語(yǔ)言嵌入式軟件 LCD顯示屏 670 0

應(yīng)用于電力監(jiān)測(cè)儀中的存儲(chǔ)鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC

PB85RS2MC是通過(guò)鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)形成非易失性存儲(chǔ)單元，對(duì)標(biāo)富士通和賽普拉斯從原料上能做到不含鉛，無(wú)污染。

2023-04-20 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器監(jiān)測(cè)儀鐵電存儲(chǔ)器 386 0

適合高級(jí)汽車市場(chǎng)ADAS應(yīng)用的非易失性存儲(chǔ)器MB85RS2MLY介紹

隨著萬(wàn)物智聯(lián)時(shí)代的到來(lái)，智能汽車等新興應(yīng)用場(chǎng)景對(duì)存儲(chǔ)提出了更高的性能要求。加賀富儀艾電子旗下代理品牌富士通半導(dǎo)體存儲(chǔ)器解決方案有限公司提供的一款2Mbi...

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OTP是什么？MTP又是什么呢？

NVM，即Non-Volatile Memory，非易失性存儲(chǔ)器。

2023-02-10 標(biāo)簽：MTP OTP NVM 3.0萬(wàn) 0

磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（MRAM)制造工藝

磁性隧道結(jié)（MTJ）通常是由兩層鐵磁材料中間夾著薄絕緣屏蔽（MgO 或Al2O3）層組成的，它可以實(shí)現(xiàn)雙穩(wěn)態(tài)隧道磁電阻 ( Tunneling Magn...

2023-02-01 標(biāo)簽：DRAM sram TMR 1348 0

0.13μm非易失性FRAM產(chǎn)品的增強(qiáng)的耐久性能

內(nèi)存耐久度指定為存儲(chǔ)單元可以寫(xiě)入或擦除的次數(shù)。對(duì)于盡管嚴(yán)格和廣泛使用仍需要高數(shù)據(jù)完整性的應(yīng)用程序，內(nèi)存耐用性是關(guān)鍵的系統(tǒng)性能特征和設(shè)計(jì)考慮因素之一。

2022-11-30 標(biāo)簽：FRAM芯片非易失性存儲(chǔ)器 MCU芯片 426 0

MCU的非易失性存儲(chǔ)器選擇

在應(yīng)用編程(IAP)應(yīng)該是MCU使用過(guò)程中常見(jiàn)的一種功能，MCU廠商為了加速用戶的產(chǎn)品開(kāi)發(fā)，都會(huì)在其SDK中添加相關(guān)示例，而且也有不少用戶只需要簡(jiǎn)單的集...

2022-09-14 標(biāo)簽：mcu FlaSh 非易失性存儲(chǔ)器 1106 0

數(shù)字電位器如何解決電路調(diào)節(jié)問(wèn)題

電位器還能繼續(xù)使用的原因之一是，它們的設(shè)置在電源復(fù)位時(shí)不會(huì)丟失；不過(guò)數(shù)字電位器已經(jīng)消除了這一缺陷。

2022-07-28 標(biāo)簽：微控制器運(yùn)算放大器數(shù)字電位器 2856 0

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云儲(chǔ)存

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云存儲(chǔ)是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來(lái)的一個(gè)新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲(chǔ)存，云數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，免費(fèi)云存儲(chǔ)哪個(gè)好，云儲(chǔ)存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來(lái)社會(huì)。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財(cái)政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過(guò)把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來(lái)解決2D或者平面NAND閃存帶來(lái)的限制。固態(tài)硬盤(pán)的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還都是個(gè)問(wèn)題。這種寬度為2.5英寸的硬盤(pán)用來(lái)容納存儲(chǔ)芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤(pán)的總體存儲(chǔ)空間，但更高的成本也拉高了硬盤(pán)的售價(jià)。
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2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。
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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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NVM Express（NVMe），或稱非易失性內(nèi)存主機(jī)控制器接口規(guī)范（英語(yǔ)：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫(xiě)：NVMHCIS），是一個(gè)邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線傳輸協(xié)議規(guī)范（相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
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　　sram存儲(chǔ)器是指靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。這種存儲(chǔ)器只要保持通電，里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對(duì)之下，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器里面所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當(dāng)電力供應(yīng)停止時(shí)，SRAM儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)還是會(huì)消失，這與在斷電后還能儲(chǔ)存資料的ROM或閃存是不同的。
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　　NoSQL僅僅是一個(gè)概念，泛指非關(guān)系型的數(shù)據(jù)庫(kù)，區(qū)別于關(guān)系數(shù)據(jù)庫(kù)，它們不保證關(guān)系數(shù)據(jù)的ACID特性。
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云盤(pán)是一種專業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲(chǔ)工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過(guò)互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個(gè)人提供信息的儲(chǔ)存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲(chǔ)的特點(diǎn)。
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FORESEE為深圳市江波龍電子股份有限公司（longsys）的存儲(chǔ)品牌。
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非易失性存儲(chǔ)器

非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)

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