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      標(biāo)簽　>　3D NAND Flash

      3D NAND Flash

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      3d nand flash資訊

      SSD純國(guó)產(chǎn)化到來(lái)，主控芯片廠商全面加持！

      電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/李彎彎）近期，國(guó)內(nèi)多家廠商宣布推出/開賣純國(guó)產(chǎn)固態(tài)硬盤產(chǎn)品，包括江波龍、國(guó)科微、光威、朗科等。 主控方面，在京東商城上架的光威弈P...

      2020-06-29 標(biāo)簽：SSD主控芯片3D NAND Flash 1.1萬(wàn) 0

      英特爾于2020年推出144層QLC NAND

      9月26日，韓國(guó)首爾，英特爾在 Memory＆Storage Day 2019活動(dòng)上公布了SSD產(chǎn)品的技術(shù)路線圖。其中，該公司還詳細(xì)闡述了SSD產(chǎn)品（如...

      2019-10-04 標(biāo)簽：英特爾存儲(chǔ)器3D NAND Flash 5239 0

      紫光240億美元!成都建3D NAND Flash廠

      紫光在四川布局宏大，總投資將超過(guò)2000億元

      2019-07-01 標(biāo)簽：3D NAND Flash紫光 2984 0

      存儲(chǔ)器正在成為我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要突破口

      2月12日，總投資300億美元的紫光南京半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地正式宣布開工;兆易創(chuàng)新亦于2月13日公告擬收購(gòu)北京矽成100%股權(quán)，矽成的主要業(yè)務(wù)為SDRAM。新...

      2017-02-23 標(biāo)簽：DRAM存儲(chǔ)器3D NAND FLASH 1054 0

      美光擴(kuò)大在臺(tái)投資加快先進(jìn)制程布局追趕三星

      美國(guó)內(nèi)存大廠美光（Micron）合并華亞科技后，中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)成為美光的 DRAM 生產(chǎn)基地，內(nèi)部設(shè)定以超越三星為目標(biāo)，并全力沖刺 DRAM 和 3D N...

      2017-02-13 標(biāo)簽：DRAM美光3D NAND Flash 833 0

      3D NAND Flash，中國(guó)自主存儲(chǔ)器突破點(diǎn)

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      受益于智能手機(jī)搭載的NAND Flash存儲(chǔ)容量持續(xù)提升，以及PC、服務(wù)器、資料中心積極導(dǎo)入固態(tài)硬盤（SSD），NAND Flash需求正快速成長(zhǎng)，各家...

      2017-02-07 標(biāo)簽：英特爾三星電子3d nand flash 8784 0

      三星未來(lái)兩年或追投西安3D NAND廠43億美元

      據(jù)海外媒體報(bào)道，傳三星電子于2017~2018年，將大舉追加投資西安3D NAND Flash廠，業(yè)界人士預(yù)估共將投資約5兆韓元(約43.5億美元)，以...

      2017-02-07 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器三星電子3D NAND Flash 1328 1

      中國(guó)存儲(chǔ)離成功就差這幾步了！

      中國(guó)存儲(chǔ)離成功就差這幾步了！

      過(guò)去幾年，中國(guó)正在瘋狂存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)，尤其是經(jīng)歷了2016年的兼并整合以后，中國(guó)的存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)初具規(guī)模。但就目前看來(lái)，中國(guó)存儲(chǔ)能否大獲成功，就得看在來(lái)年，包括In...

      2016-12-30 標(biāo)簽：DRAM三星電子3d nand flash 1802 0

      東芝與西數(shù)投巨資擴(kuò)產(chǎn)3D Nand Flash產(chǎn)能 雷軍意外現(xiàn)身開幕式

      7月15 日東芝偕同美國(guó)硬盤大廠西數(shù)（Western Digital）為日本三重縣四日市新設(shè)的半導(dǎo)體二廠舉行開幕儀式，兩者宣布至 2018 年前將投入超...

      2016-07-18 標(biāo)簽：東芝三星電子雷軍 1409 0

      為量產(chǎn)3D NAND鋪路　東芝啟動(dòng)Fab5第二期工程

      面對(duì)儲(chǔ)存型閃存（NAND Flash）供貨緊縮，以及二維（2D）NAND Flash將于10納米制程面臨微縮瓶頸，東芝（Toshiba）已于近期宣布將于...

      2013-07-08 標(biāo)簽：東芝SSD3D NAND Flash 927 0

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        云存儲(chǔ)是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來(lái)的一個(gè)新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲(chǔ)存，云數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，免費(fèi)云存儲(chǔ)哪個(gè)好，云儲(chǔ)存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
      • 富士通
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        富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來(lái)社會(huì)。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財(cái)政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
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        非易失性存儲(chǔ)器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲(chǔ)器（英語(yǔ)：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失的電腦存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器中，依存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
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        2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。
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        　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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        　　sram存儲(chǔ)器是指靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。這種存儲(chǔ)器只要保持通電，里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對(duì)之下，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器里面所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當(dāng)電力供應(yīng)停止時(shí)，SRAM儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)還是會(huì)消失，這與在斷電后還能儲(chǔ)存資料的ROM或閃存是不同的。
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        　　NoSQL僅僅是一個(gè)概念，泛指非關(guān)系型的數(shù)據(jù)庫(kù)，區(qū)別于關(guān)系數(shù)據(jù)庫(kù)，它們不保證關(guān)系數(shù)據(jù)的ACID特性。
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