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標簽 > CISSOID
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SiC助力功率半導體器件的應用結溫升高,將大大改變電力系統(tǒng)的設計格局
Yole Development 的市場調查報告表明,自硅功率半導體器件誕生以來,應用的需求一直推動著結溫升高,目前已達到150℃。
2020-11-16 標簽:電動汽車電力系統(tǒng)CISSOID 1905 0
實現(xiàn)SiC器件與先進電機、電控系統(tǒng)的全方位優(yōu)化、匹配, 并促使逆變器更加“智能化”和“傻瓜化”
CISSOID與南京航空航天大學自動化學院電氣工程系達成深度戰(zhàn)略合作協(xié)議,建立聯(lián)合電驅動實驗室,共同開展相關前沿技術的研究開發(fā)
2024-09-24 標簽:CISSOID功率器件電控系統(tǒng) 215 0
CISSOID與Silicon Mobility擴大合作伙伴關系, 提供完整的SiC逆變器參考設計
2023年3月20 日 –佛羅里達州奧蘭多市 - CISSOID和Silicon Mobility今日宣布進一步擴展其合作伙伴關系,以提供完整的模塊化碳...
CISSOID、NAC和Advanced Conversion三強聯(lián)手開發(fā) 高功率密度碳化硅(SiC)逆變器
比利時蒙-圣吉貝爾/美國Bare–2022年6月23日– 高溫半導體和功率模塊領域的領導者CISSOID宣布,公司已與NAC Group和Advance...
CISSOID推出適用于航空應用的SiC智能功率模塊,以滿足其對自然冷卻的需求
CISSOID 實現(xiàn)了功率模塊和柵極驅動器的整體融合設計,且可通過仔細調整dv/dt去實現(xiàn)控制,通過快速切換所固有的電壓過沖來優(yōu)化IPM,從而將開關能量...
據(jù)外媒報道,比利時Cissoid公司推出一款三相SiC智能功率模塊(IPM),可用于電動出行。
實現(xiàn)SiC器件與高速電機、電控系統(tǒng)的全方位優(yōu)化、匹配
為了追求更高的轉換效率和功率密度,在工業(yè)和新能源汽車等領域,系統(tǒng)設計師們逐步開始采用SiC器件替代傳統(tǒng)的、基于硅(Si)工藝的IGBT器件。
2020-03-30 標簽:CISSOID電控系統(tǒng)sic器件 1356 0
各行業(yè)所需高溫半導體解決方案的領導者CISSOID近日宣布,將繼續(xù)致力于應對汽車和工業(yè)市場的挑戰(zhàn),并推出用于電動汽車的三相碳化硅(SiC)MOSFET智...
CISSOID宣布推出用于電動汽車的三相碳化硅(SiC)MOSFET智能功率模塊
內置的柵極驅動器包括3個板載隔離電源(每相1個),可提供每相高達5W的功率,從而可以在高達125°C的環(huán)境溫度下輕松驅動頻率高達25KHz的功率模塊。
CISSOID強勁可靠的柵極驅動器為Wolfspeed的快速開關碳化硅(SiC)功率模塊提供支持
CMT-TIT0697柵極驅動器板被設計為可直接安裝在CAB450M12XM3 1200V/450A碳化硅MOSFET功率模塊上。憑借可提供每通道高達2...
CISSOID與國芯科技簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議 以共同推動寬禁帶功率半導體技術的研發(fā)及廣泛應用
各行業(yè)所需高溫半導體解決方案的領導者CISSOID今日宣布:在湖南株洲舉行的中國IGBT技術創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟第五屆國際學術論壇上。
型號 | 描述 | 數(shù)據(jù)手冊 | 參考價格 |
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CXT-PLA3SA12450AA | MOS POWER MODULE 1200V/450A SIC |
獲取價格
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CMT-TIT8243A | MOS GATE DRIVER 62MM 1200V SIC |
獲取價格
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CMT-TIT8244A | MOS GATE DRIVER 62MM 1700V SIC |
獲取價格
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CMT-TIT0697A | MOS GATE DRIVER 1200V SIC |
獲取價格
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CHT-PLA8294A-HM8A-T |
獲取價格
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