NAND閃存的發(fā)展歷程

NAND閃存的發(fā)展歷程是一段充滿創(chuàng)新與突破的歷程，它自誕生以來就不斷推動(dòng)著存儲(chǔ)技術(shù)的進(jìn)步。以下是對(duì)NAND閃存發(fā)展歷程的詳細(xì)梳理，將全面且深入地介紹其關(guān)...

2024-08-10 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器計(jì)算機(jī)NAND閃存 1249 0

NAND閃存和NOR閃存有什么區(qū)別

NAND閃存和NOR閃存是兩種常見的閃存存儲(chǔ)器技術(shù)，它們?cè)诙鄠€(gè)方面存在顯著的差異。以下將從技術(shù)原理、結(jié)構(gòu)、性能特點(diǎn)、應(yīng)用場(chǎng)景以及發(fā)展趨勢(shì)等方面對(duì)兩者進(jìn)行...

2024-08-10 標(biāo)簽：NOR閃存存儲(chǔ)器NAND閃存 2909 0

NAND閃存是什么意思

NAND閃存，又稱之為“NAND Flash”，是一種基于Flash存儲(chǔ)技術(shù)的非易失性閃存芯片。下面將從NAND閃存的定義、工作原理、特點(diǎn)、應(yīng)用領(lǐng)域以及...

2024-08-10 標(biāo)簽：FlaSh存儲(chǔ)技術(shù)NAND閃存 2650 0

Nor Flash與NAND Flash閃存技術(shù)的關(guān)鍵特點(diǎn)區(qū)分

Nor Flash采用NOR門結(jié)構(gòu)，其中每個(gè)存儲(chǔ)單元都有不同的地址用于直接訪問。這種并行訪問功能可以實(shí)現(xiàn)高效的隨機(jī)訪問和快速的數(shù)據(jù)檢索。

2023-12-05 標(biāo)簽：控制器Nand嵌入式系統(tǒng) 849 0

NOR FLASH對(duì)計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)有何作用？

NOR FLASH是一種非易失性存儲(chǔ)技術(shù)，對(duì)計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)具有重大影響，閃存其獨(dú)特的特性和功能影響著計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)系統(tǒng)的各個(gè)方面

2023-12-05 標(biāo)簽：處理器存儲(chǔ)器NAND閃存 859 0

三星MLC NAND閃存或面臨停產(chǎn)傳聞

近日，業(yè)界傳出消息稱，三星電子將大幅削減MLC NAND閃存的產(chǎn)能供給，并計(jì)劃在2024年底停止在現(xiàn)貨市場(chǎng)銷售該類產(chǎn)品，而到了2025年6月，MLC N...

2024-11-21 標(biāo)簽：NAND閃存MLC三星 202 0

SK海力士成功量產(chǎn)321層NAND閃存

近日，SK海力士對(duì)外宣布了一項(xiàng)重大技術(shù)突破——成功實(shí)現(xiàn)了全球最高的321層1Tb(太比特，Terabit)TLC(Triple Level Cell)4...

2024-11-21 標(biāo)簽：存儲(chǔ)NAND閃存SK海力士 342 0

三星電子將出售中國(guó)工廠舊設(shè)備,含西安NAND閃存廠生產(chǎn)線

三星電子即將啟動(dòng)一項(xiàng)計(jì)劃，將其位于中國(guó)西安的NAND閃存工廠以及其他前端和后端工藝生產(chǎn)線的舊設(shè)備進(jìn)行銷售。這些設(shè)備原本因美國(guó)政府的壓力而積壓，現(xiàn)預(yù)計(jì)將通...

2024-11-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體三星電子NAND閃存 496 0

三星電子計(jì)劃在2026年前推出400層V-NAND閃存芯片

全球領(lǐng)先的存儲(chǔ)芯片制造商三星電子正積極籌備在2026年前推出劃時(shí)代的400層V-NAND閃存芯片，旨在把握人工智能（AI）浪潮帶來的存儲(chǔ)設(shè)備市場(chǎng)快速增長(zhǎng)...

2024-11-01 標(biāo)簽：DRAM三星電子NAND閃存 586 0

SK海力士企業(yè)再獲大額訂單

據(jù)可靠消息，SK海力士已重新啟動(dòng)向Meta（原Facebook）的數(shù)據(jù)中心供應(yīng)固態(tài)硬盤（SSD）的業(yè)務(wù)。此前，由于Meta延遲訂購，與Fadu合作贏得的...

2024-10-17 標(biāo)簽：SSDNAND閃存固態(tài)硬盤 482 0

三星QLC第九代V-NAND量產(chǎn)啟動(dòng),引領(lǐng)AI時(shí)代數(shù)據(jù)存儲(chǔ)新紀(jì)元

三星電子在NAND閃存技術(shù)領(lǐng)域再次邁出重要一步，其最新推出的QLC V-NAND第九代產(chǎn)品，集成了多項(xiàng)前沿技術(shù)突破，標(biāo)志著數(shù)據(jù)存儲(chǔ)性能與容量的全新飛躍。...

2024-09-23 標(biāo)簽：三星電子AINAND閃存 568 0

長(zhǎng)江存儲(chǔ)使用國(guó)產(chǎn)設(shè)備制造出3D NAND閃存芯片

9月20日最新資訊指出，長(zhǎng)江存儲(chǔ)面對(duì)美國(guó)出口禁令及被列入實(shí)體清單的雙重挑戰(zhàn)，展現(xiàn)出了強(qiáng)大的自主創(chuàng)新能力，成功引入國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備以部分替代原有美系設(shè)備，實(shí)...

2024-09-20 標(biāo)簽：3DNAND閃存長(zhǎng)江存儲(chǔ) 2299 0

西部數(shù)據(jù)計(jì)劃剝離NAND與SSD業(yè)務(wù)，估值或達(dá)數(shù)百億美元

近日，西部數(shù)據(jù)宣布了一項(xiàng)重大戰(zhàn)略調(diào)整，計(jì)劃將其NAND閃存和固態(tài)硬盤（SSD）業(yè)務(wù)從現(xiàn)有架構(gòu)中剝離出來，形成兩個(gè)獨(dú)立的業(yè)務(wù)部門。此舉引發(fā)了業(yè)界的廣泛關(guān)注...

2024-08-22 標(biāo)簽：SSDNAND閃存固態(tài)硬盤 651 0

DRAM大廠第三季對(duì)DDR5再度調(diào)漲,價(jià)格將上漲15%以上

8月20日最新供應(yīng)鏈動(dòng)態(tài)揭示，DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）行業(yè)巨頭計(jì)劃在第三季度對(duì)DDR5產(chǎn)品實(shí)施新一輪的價(jià)格上調(diào)，預(yù)計(jì)漲幅將超過15%。此次調(diào)價(jià)背后...

2024-08-20 標(biāo)簽：DRAMNAND閃存DDR5 738 0

鎧俠北上市NAND閃存新工廠竣工，預(yù)計(jì)2025年秋投產(chǎn)

存儲(chǔ)芯片巨頭鎧俠（Kioxia）近日宣布了一項(xiàng)重要進(jìn)展：其位于日本巖手縣北上市的第二家NAND閃存制造工廠（Fab 2，簡(jiǎn)稱K2）已圓滿竣工。此次竣工標(biāo)...

2024-08-06 標(biāo)簽：NAND閃存存儲(chǔ)芯片鎧俠 530 0