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標(biāo)簽 > VCO
VCO即壓控振蕩器,是射頻電路的重要組成部分。 射頻電路多采用調(diào)制解調(diào)方式,因此嚴(yán)重依賴本振。本文詳細(xì)介紹了vco電路,vco的工作原理,壓控振蕩器,vco設(shè)計(jì)等內(nèi)容
VCO即壓控振蕩器,是射頻電路的重要組成部分。 射頻電路多采用調(diào)制解調(diào)方式,因此嚴(yán)重依賴本振。而現(xiàn)代通信技術(shù)要求復(fù)用、跳頻等新技術(shù),采用電壓控制振蕩回路中電容的電容量,進(jìn)而改變振蕩回路諧振頻率就成為實(shí)現(xiàn)這些技術(shù)的手段之一。
VCO即壓控振蕩器,是射頻電路的重要組成部分。 射頻電路多采用調(diào)制解調(diào)方式,因此嚴(yán)重依賴本振。而現(xiàn)代通信技術(shù)要求復(fù)用、跳頻等新技術(shù),采用電壓控制振蕩回路中電容的電容量,進(jìn)而改變振蕩回路諧振頻率就成為實(shí)現(xiàn)這些技術(shù)的手段之一。
設(shè)計(jì)介紹
電壓控制
藍(lán)牙收發(fā)器
◆藍(lán)牙發(fā)射器 藍(lán)牙無線信號(hào)采用高斯頻移鍵控(GFSK)方式調(diào)制,發(fā)射數(shù)據(jù)(Tx)通過高斯濾波器濾波后,用濾波器的輸出對(duì)VCO頻率進(jìn)行調(diào)制。根據(jù)串行輸入數(shù)據(jù)流邏輯電平,VCO頻率會(huì)從其中心頻率向正負(fù)兩端偏離,偏移量決定了發(fā)射器的調(diào)制指數(shù),調(diào)制的信號(hào)經(jīng)放大后由天線發(fā)射出去。
藍(lán)牙無線信號(hào)在半雙工模式下工作,用一個(gè)RF多路復(fù)用開關(guān)(位于天線前)將天線連接到發(fā)射或接收模式。
藍(lán)牙
與設(shè)備接收部分相似,從另一個(gè)藍(lán)牙設(shè)備發(fā)射來的GFSK信號(hào)也是由天線接收的。在這期間,開關(guān)與低噪聲放大器(LNA)相連,對(duì)接收到的信號(hào)(Rx)進(jìn)行放大。下一級(jí)混頻器將接收信號(hào)下變換到IF頻率(一般為幾MHz),進(jìn)行該步驟時(shí)用于發(fā)射的PLL/VCO部分作為接收器下變頻本機(jī)振蕩器使用,將IF信號(hào)解調(diào)并恢復(fù)出數(shù)據(jù)。
擴(kuò)展頻譜
藍(lán)牙無線通信的一個(gè)獨(dú)特之處就是它使用了擴(kuò)頻技術(shù),該技術(shù)原來是為軍事應(yīng)用開發(fā)的,因?yàn)檐娛聭?yīng)用中無線數(shù)據(jù)傳送必須安全可靠。傳統(tǒng)意義上的窄帶應(yīng)用要消耗更多功率,在一個(gè)頻率上停留的時(shí)間很長,因此頻譜很容易被檢測(cè)到;而將發(fā)射器功率分配(擴(kuò)展)到更大的帶寬上之后,此時(shí)信號(hào)看起來更像隨機(jī)噪聲,這相當(dāng)于犧牲帶寬效率來換取可靠性和安全性。由于功率密度較低,這些系統(tǒng)對(duì)其它信號(hào)接收器干擾小,而且即便存在信號(hào)丟失頻段,數(shù)據(jù)也可以在其它頻率恢復(fù),從而增強(qiáng)了對(duì)干擾和噪聲的抵抗能力。兩種最主要的擴(kuò)頻形式是跳頻(FHSS)和直接序列(DSSS),用原始數(shù)據(jù)對(duì)載波進(jìn)行調(diào)制并使用與每個(gè)鏈路端點(diǎn)跳頻代碼一致的頻率范圍發(fā)射時(shí)(圖2)使用FHSS系統(tǒng)。采用這種方式后,由于某個(gè)頻率干擾而丟失的數(shù)據(jù)可以通過另一個(gè)頻率發(fā)射,F(xiàn)HSS中的擴(kuò)展代碼生成器直接用GFSK調(diào)制技術(shù)對(duì)載波頻率進(jìn)行調(diào)制。
振蕩器自其誕生以來就一直在通信、電子、航海航空航天及醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域扮演重要的角色,具有廣泛的用途。在無線電技術(shù)發(fā)展的初期,它就在發(fā)射機(jī)中用來產(chǎn)生高頻載波電壓,在超外差接收機(jī)中用作本機(jī)振蕩器,成為發(fā)射和接收設(shè)備的基本部件。隨著電子技術(shù)的迅速發(fā)展,振蕩器的用途也越來越廣泛,例如在無線電測(cè)量儀器中,它產(chǎn)生各種頻段的正弦信號(hào)電壓:在熱加工、熱處理、超聲波加工和某些醫(yī)療設(shè)備中,它產(chǎn)生大功率的高頻電能對(duì)負(fù)載加熱;某些電氣設(shè)備用振蕩器做成的無觸點(diǎn)開關(guān)進(jìn)行控制;電子鐘和電子手表中采用頻率穩(wěn)定度很高的振蕩電路作為定時(shí)部件等。尤其在通信系統(tǒng)電路中,壓控振蕩器(VCO)是其關(guān)鍵部件,特別是在鎖相環(huán)電路、時(shí)鐘恢復(fù)電路和頻率綜合器電路等更是重中之重,可以毫不夸張地說在電子通信技術(shù)領(lǐng)域,VCO幾乎與電流源和運(yùn)放具有同等重要地位。
對(duì)振蕩器的研究未曾停止過。從早期的真空管時(shí)代到后期的晶體管時(shí)代,無論是理論上還是電路結(jié)構(gòu)和性能上,無論是體積上還是制作成本上無疑都取得了飛躍性的進(jìn)展,但在很長的一段時(shí)期內(nèi)都是處在用分離元件組裝而成的階段,其性能較差,成本相對(duì)較高,體積較大和難以大批量生產(chǎn)。隨著通信領(lǐng)域的不斷向前推進(jìn),終端產(chǎn)品越來越要求輕、薄、短、小,越來越要求低成本、高性能、大批量生產(chǎn),這對(duì)于先前的分離元件組合模式將不再勝任,并提出新的要求和挑戰(zhàn)。集成電路各項(xiàng)技術(shù)的發(fā)展迎合了這些要求,特別是主流CMOS工藝提供以上要求的解決方案,單片集成振蕩器的研制取得了極大的進(jìn)步。
然而,由于工藝條件的限制,RF電路的設(shè)計(jì)多采用GaAs, Bipolar, BiCMOS工藝實(shí)現(xiàn),難以和主流的標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝集成。因此,優(yōu)性能的標(biāo)準(zhǔn)的CMOS VCO設(shè)計(jì)成為RF電路設(shè)計(jì)的熱門課題。
vco振蕩器
VCO是一個(gè)簡單的LC振蕩器,可以采用直流輸入控制電壓改變其輸出頻率??梢允褂米?nèi)荻O管來達(dá)到這個(gè)目的。這些二極管根據(jù)直流電壓來改變電容值。
當(dāng)被放在LC振蕩器的振蕩回路中時(shí),振蕩回路的諧振頻率,也就是振蕩器的諧振頻率,在靜態(tài)頻率(或中心頻率)上下變化。靜態(tài)頻率由變?nèi)荻O管兩端的DC偏置產(chǎn)生,一般初始值被設(shè)置為某個(gè)中間值。因此,通過升高或降低靜態(tài)偏執(zhí)只,振蕩器的頻率可以在一個(gè)大范圍內(nèi)變動(dòng)。
在VCO電路中,有兩種不同的變?nèi)荻O管。一種是突變性變?nèi)荻O管,具有很高的Q值和較低的相位噪聲,在整個(gè)電容值范圍內(nèi)其輸入電壓的調(diào)節(jié)范圍也很寬(0~50V)。這點(diǎn)說明變?nèi)荻O管的調(diào)諧靈敏度不高。另外,突變二極管的電容值變化范圍很小,可能失真也很小。
另一種是超圖變性變?nèi)荻O管,為了提高靈敏度,電壓調(diào)節(jié)范圍大約是0~20V,所以經(jīng)常應(yīng)用在寬帶和低電壓情況下。與突變二極管相比,超突變二極管具有較低的Q值和較大的相位噪聲。
兩種類型的變?nèi)荻O管都具有0V電容特性,但是由于非線性和Q值問題,二極管的兩端總是至少有0.1V的電壓,有時(shí)會(huì)更高。
壓控振蕩器(VCO)的設(shè)計(jì)
壓控振蕩器(以下簡稱VCO)已經(jīng)成為當(dāng)今無線收發(fā)器系統(tǒng)中不可缺少的模塊, 它是鎖相環(huán)中最重要的block, 他的噪聲性能直接決定了PLL輸出相位噪聲的噪聲性能。 有關(guān)PLL整體的分析和設(shè)計(jì), 我們將在后期重點(diǎn)討論。 這里先重點(diǎn)討論一下VCO的理論, 設(shè)計(jì)以及對(duì)于廣大初學(xué)者最為關(guān)心的設(shè)計(jì)注意點(diǎn)。
根據(jù)參考書的理論, 振蕩器其實(shí)就是帶有”設(shè)計(jì)缺陷”的放大器, 分析振蕩器原理主要有兩個(gè)方法, 第一。 負(fù)反饋理論
ABS(H(jw))》1, 并且deg(H(jw)) =180度, 注意, 這里180度指的是反饋回路是與輸入信號(hào)相減再輸入到放大器A中的, 而放大器A的增益絕對(duì)值實(shí)際上要至少要為1dB, 而不是理論上的0dB.
第二, 負(fù)阻抗分析法, 這種方法原理簡單, 形象明了, 不僅用于振蕩器分析, 也經(jīng)常用于帶有反饋結(jié)構(gòu)電路的振蕩與否的分析。
振蕩器常用的類型有環(huán)形振蕩器, LC振蕩器, 前者主要應(yīng)用于低頻模擬設(shè)計(jì)中, 今天我們主要談一下LC振蕩器的設(shè)計(jì), 現(xiàn)在IC芯片設(shè)計(jì)中, 比較流行的LC差分結(jié)構(gòu), 核心差分管可以是MOS, 也可以是bipolar, biploar結(jié)構(gòu)一般頻率設(shè)計(jì)的可以較高, 相同電流下易起振(gm較大) , 而MOS管還可以分為NMOS型和PMOS型, 在CMOS工藝下, 比如在64QAM以上的調(diào)制的系統(tǒng)中, 對(duì)相位噪聲的性能要求較高, 則一般設(shè)計(jì)成PMOS結(jié)構(gòu)。
圖2. NMOS型VCO
一般判斷NMOS型VCO是否起振的條件為Rp-2/gm》0, Rp為平行諧振回路的總阻抗(Rl//Rc//Rother), gm為單個(gè)NMOS管子開環(huán)時(shí)的gm,
圖3 bipolar LC VCO
判斷bipolar型VCO是否起振的條件為Rp-1/gm》0, 注意與上式的區(qū)別, gm只要大于1/Rp即可起振, 而NMOS型, gm要大于2/Rp才能起振, 也就是說相同的振蕩頻率, 振蕩范圍, bipolar型VCO所需要的功率消耗是mos的一半, 這也是為什么在高頻振蕩電路中, 現(xiàn)在還往往選用bipolar型VCO結(jié)構(gòu)。
現(xiàn)在最流行的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)即圖3所示, 筆者在VCO設(shè)計(jì)中, 有一定的經(jīng)驗(yàn)和專利, 如果詳細(xì)談VCO的設(shè)計(jì)的話, 可能篇幅會(huì)很長, 這里主要談一下其設(shè)計(jì)要點(diǎn)。
1) 關(guān)于inductor的設(shè)計(jì)
一般受process工藝的限制, ind的選用也有諸多限制, 比如沒有全差分型的ind, 或者ind的寄生電阻值較大, 導(dǎo)致Rp變大, 增加設(shè)計(jì)難度。 如果有條件設(shè)計(jì)ind的話, 我們會(huì)碰到如何對(duì)ind參數(shù)抽出及仿真的問題, 這里我會(huì)另設(shè)一篇文章專門談?wù)刬nd的設(shè)計(jì), 等效電路建立, 參數(shù)提取,以及如何通過S參數(shù)測(cè)試實(shí)際的電感值和Q值, R值。
總的來說, 在設(shè)計(jì)VCO的時(shí)候, 最好對(duì)ind先進(jìn)行AC仿真, 了解你所使用的ind的Q曲線, freq曲線等特性。
2) 圖3中基極電容的作用
基極電容可是使vco振蕩信號(hào)幅度加大, 使其在非放大區(qū)也能工作。 電容要取適當(dāng), 太大相當(dāng)于增加寄生電容, 頻率下降, 太小隔離作用減小, 輸出信號(hào)幅度減少。
3) 關(guān)于varactor
Varactor一般也分MOS型和PN型, MOS型一般可變范圍在-0.5-+0.5V, 變化率較陡, 范圍較窄, 而PN型一般在0-Vdd之間都變法, 范圍較寬, 但是PN型由于要反向加偏壓的緣故, 需要與其串接一個(gè)電容(直流隔離), 這個(gè)電容的大小又反過來影響了varactor的可變范圍。 PN還有一個(gè)缺點(diǎn),就是它的溫度特性要比MOS來的大, 也就是用它來設(shè)計(jì)的VCO的溫度特性需要特別注意, 如果過大, 則需要采取一些溫度補(bǔ)償措施來防止溫度變化中PLL的失鎖問題的出現(xiàn)。
這里還有一點(diǎn)需要注意, 從Vctrl端看VCO, 往往存在較大的寄生電容, 所以在設(shè)計(jì)PLL的環(huán)形濾波器時(shí), 需要把其考慮進(jìn)去
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類別:電子資料 2020-11-25 標(biāo)簽:控制系統(tǒng)VCO
VCO壓控振蕩器的結(jié)構(gòu)圖和數(shù)據(jù)手冊(cè)免費(fèi)下載立即下載
類別:工控技術(shù) 2020-10-26 標(biāo)簽:振蕩器VCO結(jié)構(gòu)圖
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