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標(biāo)簽 > igbt芯片
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青島佳恩半導(dǎo)體有限公司與西安電子科技大學(xué)合作簽約儀式圓滿成功!
5月28日,青島佳恩半導(dǎo)體有限公司與西安電子科技大學(xué)戰(zhàn)略合作簽約儀式在青島隆重舉行,參加此次簽約儀式的嘉賓有城陽(yáng)區(qū)科學(xué)與技術(shù)局領(lǐng)導(dǎo)、城陽(yáng)區(qū)工業(yè)與信息化局...
中國(guó)中車(chē)五個(gè)青年集體榮獲“全國(guó)青年安全生產(chǎn)示范崗”稱(chēng)號(hào)
近日,共青團(tuán)中央、應(yīng)急管理部聯(lián)合下發(fā)通知,公布了2023年度全國(guó)青年安全生產(chǎn)示范崗,中國(guó)中車(chē)5個(gè)青年集體獲此殊榮。
2024-03-21 標(biāo)簽:半導(dǎo)體igbt芯片中國(guó)中車(chē) 418 0
igbt芯片、igbt單管、igbt模塊、igbt器件等這些的區(qū)別是什么?
igbt芯片、igbt單管、igbt模塊、igbt器件等這些的區(qū)別是什么? IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor...
近期,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)記者從安建科技官微獲悉,安建科技將自有專(zhuān)利的第7層光罩工藝流程成功轉(zhuǎn)移至國(guó)內(nèi)頂級(jí)12-inch IGBT加工平臺(tái),也是國(guó)內(nèi)首家推出基于...
江蘇長(zhǎng)晶發(fā)布FST2.0高性能IGBT系列產(chǎn)品
江蘇長(zhǎng)晶科技股份有限公司是一家專(zhuān)業(yè)從事半導(dǎo)體產(chǎn)品研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售的企業(yè)。
積塔半導(dǎo)體聯(lián)合制作的第一款車(chē)規(guī)750V IGBT芯片通過(guò)車(chē)規(guī)級(jí)驗(yàn)證
2023年9月,由上海積塔半導(dǎo)體有限公司牽頭組建的臨港車(chē)規(guī)半導(dǎo)體創(chuàng)新聯(lián)合體啟動(dòng)大會(huì)暨第一屆聯(lián)合體戰(zhàn)略合作成果大會(huì)在上海臨港科技智慧圖書(shū)館舉行。臨港新片區(qū)...
比亞迪半導(dǎo)體榮獲21年度廣東省科技進(jìn)步二等獎(jiǎng)
4月15日上午,一年一度的省級(jí)科學(xué)技術(shù)領(lǐng)域最高級(jí)別盛會(huì)——廣東省科技創(chuàng)新大會(huì)在廣州召開(kāi)。會(huì)上頒發(fā)了2021年度廣東省科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)。
2022-04-18 標(biāo)簽:晶體管igbt芯片比亞迪半導(dǎo)體 1133 0
關(guān)于IGBT芯片的簡(jiǎn)介與發(fā)展方向及應(yīng)用領(lǐng)域
芯片的種類(lèi)五花八門(mén),今天跟大家介紹一種與我們的生活息息相關(guān)的芯片IGBT(絕緣柵雙極晶體管 Insulated-gate bipolar transis...
2021-03-19 標(biāo)簽:半導(dǎo)體器件igbt芯片 1.8萬(wàn) 0
IGBT芯片技術(shù):首次將壓降芯片的工作結(jié)溫提高到150℃
IGBT芯片采用領(lǐng)先的Trench+Fieldstop技術(shù),業(yè)內(nèi)首次將壓降芯片的工作結(jié)溫提高到150℃,并大幅降低了其導(dǎo)通壓降VCEsat(150℃下典...
海外專(zhuān)家回國(guó)合作研發(fā)“芯片” 公司買(mǎi)地建完一棟樓就沒(méi)錢(qián)了
2015年回家鄉(xiāng)河北創(chuàng)業(yè),經(jīng)人介紹和石家莊循環(huán)化工園區(qū)徐村村民徐國(guó)中合作,在石家莊成立了昂揚(yáng)公司,致力于研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化“高端大功率IGBT芯片”。相關(guān)材料...
IGBT的結(jié)構(gòu)多種多樣,但從縱向結(jié)構(gòu)來(lái)看可歸為穿通型,非穿通型。這兩類(lèi)IGBT的劃分依據(jù)為:臨界擊穿電壓下Pbase-Ndrift結(jié)耗盡層的擴(kuò)展是否穿透...
2019年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)增速將進(jìn)一步放緩
李健指出:“當(dāng)傳統(tǒng)的汽車(chē)制造業(yè)遇到當(dāng)今的半導(dǎo)體,將會(huì)變成下一個(gè)引領(lǐng)浪潮的應(yīng)用載體?!卑雽?dǎo)體能為電動(dòng)汽車(chē)帶來(lái)更強(qiáng)大的“心臟”,如自動(dòng)駕駛處理器、ADAS芯...
在大力倡導(dǎo)節(jié)能減排的大前提下,IGBT芯片既具有了MOS管的易于驅(qū)動(dòng)、控制簡(jiǎn)單、開(kāi)關(guān)頻率高的有點(diǎn),還兼?zhèn)淞斯β示w管導(dǎo)通電壓低、通態(tài)電流大和損耗小的優(yōu)...
2018-01-26 標(biāo)簽:igbt芯片 4.6萬(wàn) 0
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