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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
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當IGBT功率器件模塊組裝完成后,就是進入最后的封裝外殼組裝工序了。這個工序需要在外殼邊緣涂上凝膠層,然后再把IGBT模塊放置在外殼內(nèi),最后采用螺絲將外...
芯導科技推出650V/1200V高性能IGBT產(chǎn)品
能源是經(jīng)濟社會發(fā)展的重要物質(zhì)基礎和動力源泉。近些年,“雙碳”戰(zhàn)略引領能源轉(zhuǎn)型革命,發(fā)展綠色低碳新質(zhì)生產(chǎn)力既是解決全球環(huán)境問題的重要保障,更是國家經(jīng)濟與民...
投資近5億,林眾電子研發(fā)及智能質(zhì)造中心正式啟用
來源:上海林眾電子科技有限公司 2024年11月11日,上海林眾電子科技有限公司(以下簡稱林眾電子)研發(fā)及智能質(zhì)造中心正式啟用。其位于上海市松江區(qū),占地...
?1200V光伏逆變器的工作原理?是通過將光伏電池板產(chǎn)生的可變直流電壓轉(zhuǎn)換為市電頻率的交流電(AC),以供電網(wǎng)使用或反饋回商用輸電系統(tǒng)。逆變器的主要功能...
近日,2024中國電力電子與能量轉(zhuǎn)換大會暨中國電源學會第二十七屆學術年會及展覽會(CPEEC & CPSSC 2024)在西安隆重召開。會議通過...
中國IGBT芯片細分應用領域分析 高壓IGBT打破國外技術壟斷
來源: 電力電子技術與應用 1、中國 IGBT芯片 應用領域:三大類產(chǎn)品的應用場景 IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是電力控制和電力轉(zhuǎn)換的核心器件,是由B...
在現(xiàn)代電子技術中,功率半導體器件是實現(xiàn)電能轉(zhuǎn)換和控制的關鍵組件。MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)和IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是兩種廣泛使用...
IGBT 和 MOSFET 驅(qū)動器-延展型 SO-6 封裝,實現(xiàn)緊湊設計、快速開關和高壓
最新 IGBT 和 MOSFET 驅(qū)動器 器件峰值輸出電流高達?4 A 工作溫度高達?+125 °C,傳播延遲低至?200 ns Vishay 推出兩款...
采用IGBT5.XT技術的PrimePACK?為風能變流器提供卓越解決方案
鑒于迫切的環(huán)境需求,我們必須確保清潔能源基礎設施的啟用,以減少碳排放對環(huán)境的負面影響。在這一至關重要的舉措中,風力發(fā)電技術扮演了關鍵角色,并已處于領先地...
機床在制造業(yè)中具有基礎性和戰(zhàn)略性地位,是衡量國家工業(yè)發(fā)展水平的重要標志。在當前我國制造業(yè)向中高端轉(zhuǎn)型升級背景下,Grecon助力機床廠家向中高端發(fā)展。
森國科近期推出的650V/60A IGBT(型號:KG060N065LD-R),憑借其業(yè)界領先的低傳導損耗和高速開關性能,在電力電子領域引起了廣泛關注。
2024北京國際風能大會暨展覽會(CWP2024)在北京順利拉開帷幕。大會以“構筑發(fā)展新格局·踐行時代新使命”為主題,有近1000家企業(yè)參展,聚焦風電全...
IGBT還是SiC?英飛凌新型混合功率器件助力新能源汽車實現(xiàn)高性價比電驅(qū)
如何設計更高效的牽引逆變器使整車獲得更長的續(xù)航里程一直是研發(fā)技術人員探討的最重要話題之一。高效的牽引逆變器需要在功率、效率和材料利用率之間取得適當?shù)钠胶狻?/p>
新品 | 1200A 4500V IGBT模塊FZ1200R45HL4和FZ1200R45HL4_S7
新品1200A4500VIGBT模塊FZ1200R45HL4和FZ1200R45HL4_S7知名的IHVB4.5kV單開關IGBT模塊已采用我們最新一代...
真空回流焊爐/真空焊接爐——新能源汽車的IGBT模塊封裝技術
由于新能源的流行,加上新能源汽車對于高電壓需求越來越大,IGBT成為了產(chǎn)品發(fā)展的焦點。今天我們就來著重探討一下新能源汽車的IGBT模塊封裝技術。
新品 | 采用IGBT7的CIPOS? Maxi 10-20A 1200V IPM
新品采用IGBT7的CIPOSMaxi10-20A1200VIPM高性能CIPOSMaxi轉(zhuǎn)模封裝IPMIM12BxxxC1系列基于新型1200VTRE...
據(jù)高盛最新數(shù)據(jù)顯示,2023年中國在全球功率半導體(IGBT)市場中占據(jù)了舉足輕重的地位,其供應量已達到全球總量的29%,彰顯了我國在該領域的強勁實力與...
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