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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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IGBT驅(qū)動(dòng)電路布線(xiàn)設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)
IGBT驅(qū)動(dòng)電路布線(xiàn)設(shè)計(jì)注意事項(xiàng) 1.The layout must minimize the parasitic inductance betwee...
2008-11-05 標(biāo)簽:IGBT 4119 0
IBGT驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì) 我們?cè)O(shè)計(jì)了一種基于光耦HCPL-316J的IGBT驅(qū)動(dòng)電路。實(shí)驗(yàn)證明該電路具有良好的驅(qū)動(dòng)及保護(hù)能力。下面是此IBGT驅(qū)動(dòng)電路的原
2008-10-21 標(biāo)簽:igbt驅(qū)動(dòng)電路 9800 0
igbt工作原理及應(yīng)用 絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)的保護(hù)引言 絕緣柵雙極型晶體管IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復(fù)合而成的一種器件,其
2008-06-19 標(biāo)簽:igbt 1.1萬(wàn) 0
900A IGBT半橋模塊 SEMiXTM4 SEMiXTM IGBT系列采用溝道技術(shù),具有600V、1200V 和 1700V三種電壓等級(jí) 相對(duì)于...
2007-12-22 標(biāo)簽:IGBT 1049 0
IGBT中頻、超音頻感應(yīng)加熱電源 IPS系列中頻、超音頻電源是清華大學(xué)自行研制的新產(chǎn)品,該電源的逆變電路采用新型大功率電力電子器件IGBT 簡(jiǎn)介:
SEMiX13六管封裝IGBT模塊 電流達(dá)到200A,采用經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的無(wú)焊壓接技術(shù)用于PCB裝配和電纜連接 電流達(dá)到200A,采用經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的無(wú)焊壓接技...
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