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標簽 > reram
ReRAM代表電阻式RAM,將DRAM的讀寫速度與SSD的非易失性結(jié)合于一身。換句話說,關(guān)閉電源后存儲器仍能記住數(shù)據(jù)。如果ReRAM有足夠大的空間,一臺配備ReRAM的PC將不需要載入時間。
ReRAM代表電阻式RAM,將DRAM的讀寫速度與SSD的非易失性結(jié)合于一身。換句話說,關(guān)閉電源后存儲器仍能記住數(shù)據(jù)。如果ReRAM有足夠大的空間,一臺配備ReRAM的PC將不需要載入時間。
ReRAM與DB HiTek的BCD工藝集成的關(guān)鍵優(yōu)勢
通過ReRAM和BCD技術(shù)的協(xié)同作用,通關(guān)鍵目標之一是實現(xiàn)單片集成,讓模擬、數(shù)字和功率組件能夠無縫地共存于同一芯片上,不僅僅簡化了設計流程,還提升了整體...
存儲芯片是半導體行業(yè)中非常重要的一類產(chǎn)品,我們?nèi)粘K械碾娮釉O備基本都會用到存儲器。據(jù)WSTS預測,2023年全球存儲芯片市場規(guī)模將達到1675億美元,...
ReRAM代表電阻式隨機存取存儲器,是一種非易失性存儲器,具有如低功耗和快速寫入的特長。該存儲器在所有存儲器產(chǎn)品中的讀取電流都最小,特別適合于助聽器等可...
新型存儲MRAM 技術(shù)及產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀
全新的存儲器MRAM,ReRAM,PCRAM,相對于傳統(tǒng)存儲器來說,具有很多方面獨特的優(yōu)勢,能夠在計算系統(tǒng)層級實現(xiàn)更優(yōu)的計算性能、功耗和成本。
全面介紹新型存儲技術(shù):PCM/MRAM/RRAM/ReRAM
MRAM是一種基于隧穿磁阻效應的技術(shù),MRAM的產(chǎn)品主要適用于容量要求低的特殊應用領域以及新興的IoT嵌入式存儲領域,該技術(shù)擁有讀寫次數(shù)無限、寫入速度快...
2023-01-07 標簽:DRAM存儲器Nand flash 5443 0
在傳統(tǒng)的馮·諾依曼架構(gòu)中,處理與存儲單元是分離的。由于存算分離,AI計算的數(shù)據(jù)搬運量非常大,會導致功耗大大增加,也就是存儲墻。
面向?qū)ο笙到y(tǒng)的采用,以及限制類型轉(zhuǎn)換的強類型語言和對程序員的一些限制,可以使執(zhí)行流程可預測并避免對單個連續(xù)內(nèi)存空間的需求。諸如在圖形和機器學習中發(fā)現(xiàn)的任...
雖然 PCRAM、MRAM、ReRAM 和 NRAM 等各種 NVM 技術(shù)具有相似的高級特征,但它們的物理渲染卻大相徑庭。這為每個人提供了自己的一系列...
字節(jié)跳動的進與退:低調(diào)發(fā)起MR市場攻勢,TikTok國際市場受阻
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/莫婷婷)通過擴大投資版圖,尋找第二增長曲線是不少上市公司的策略。3月13日,天眼查顯示字條跳動投資了昕原半導體,持股比例為9.5%...
2024-03-15 標簽:虛擬現(xiàn)實MRreram 5721 0
ReRAM 代工工藝由臺積電、華邦和 Globalfoundries 提供支持,ReRAM 由瑞薩(通過收購 Adesto)、富士通、Microchip...
國產(chǎn)存算一體超速前進 存算一體架構(gòu)有機會解決很多AI面臨的問題
僅僅在五、六年前,人工智能還只存在于人們的想象。雷峰網(wǎng)雷峰網(wǎng) 短短幾年間AI快速擴張,AI算力和運算數(shù)據(jù)量每年都在以指數(shù)級增加,對算力的需求空前,但摩爾...
億鑄科技聚焦國產(chǎn)存算一體AI大算力芯片,28納米工藝實現(xiàn)10倍能效比
“數(shù)字時代的關(guān)鍵資源是數(shù)據(jù)、算力和算法,其中數(shù)據(jù)是新生產(chǎn)資料,算力是新生產(chǎn)力,算法是新生產(chǎn)關(guān)系,三者構(gòu)成數(shù)字經(jīng)濟時代最基本的生產(chǎn)基石。” 2021年9月...
具有快速數(shù)據(jù)傳輸功能的4Mbit FeRAM MB85RQ4ML
加賀富儀艾電子旗下代理品牌富士通半導體正在批量生產(chǎn)具有快速數(shù)據(jù)傳輸功能的 4Mbit FeRAM MB85RQ4ML。這種非易失性存儲器可以在最大 10...
2022-08-26 標簽:存儲器Nand flashMRAM 637 0
近幾年,隨著傳統(tǒng)馮·諾依曼結(jié)構(gòu)的瓶頸逐漸顯現(xiàn),越來越多企業(yè)投身于存算一體芯片研發(fā)的浪潮中,試圖打破“存算墻”、“能耗墻”和“編譯墻”對AI應用進一步發(fā)展...
富士通推出12Mbit電阻式隨機存取存儲器MB85AS12MT
富士通半導體存儲器解決方案有限公司推出12Mbit ReRAM(電阻式隨機存取存儲器)MB85AS12MT,這是富士通ReRAM產(chǎn)品系列中密度最大的產(chǎn)品。
專注ReRAM新型存儲器,昕原半導體宣布完成近億美元Pre-A輪融資
新型半導體存儲技術(shù)公司「昕原半導體」宣布完成近億美元的Pre-A輪融資,本輪融資由上海聯(lián)和投資領投,聯(lián)升投資、昆橋資本、聯(lián)新資本等基金跟投,主要用于存儲...
Dialog將非易失性電阻式RAM技術(shù)授權(quán)與格芯22FDX平臺,服務IoT和AI應用
Dialog獨有的且經(jīng)過生產(chǎn)驗證的CBRAM技術(shù)是一項低功耗的NVM解決方案,專為物聯(lián)網(wǎng)(IoT)、5G連接、人工智能(AI)等一系列應用而設計。
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