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標簽 > reram
ReRAM代表電阻式RAM,將DRAM的讀寫速度與SSD的非易失性結(jié)合于一身。換句話說,關(guān)閉電源后存儲器仍能記住數(shù)據(jù)。如果ReRAM有足夠大的空間,一臺配備ReRAM的PC將不需要載入時間。
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字節(jié)跳動的進與退:低調(diào)發(fā)起MR市場攻勢,TikTok國際市場受阻
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/莫婷婷)通過擴大投資版圖,尋找第二增長曲線是不少上市公司的策略。3月13日,天眼查顯示字條跳動投資了昕原半導體,持股比例為9.5%...
2024-03-15 標簽:虛擬現(xiàn)實MRreram 5721 0
ReRAM 代工工藝由臺積電、華邦和 Globalfoundries 提供支持,ReRAM 由瑞薩(通過收購 Adesto)、富士通、Microchip...
國產(chǎn)存算一體超速前進 存算一體架構(gòu)有機會解決很多AI面臨的問題
僅僅在五、六年前,人工智能還只存在于人們的想象。雷峰網(wǎng)雷峰網(wǎng) 短短幾年間AI快速擴張,AI算力和運算數(shù)據(jù)量每年都在以指數(shù)級增加,對算力的需求空前,但摩爾...
億鑄科技聚焦國產(chǎn)存算一體AI大算力芯片,28納米工藝實現(xiàn)10倍能效比
“數(shù)字時代的關(guān)鍵資源是數(shù)據(jù)、算力和算法,其中數(shù)據(jù)是新生產(chǎn)資料,算力是新生產(chǎn)力,算法是新生產(chǎn)關(guān)系,三者構(gòu)成數(shù)字經(jīng)濟時代最基本的生產(chǎn)基石。” 2021年9月...
具有快速數(shù)據(jù)傳輸功能的4Mbit FeRAM MB85RQ4ML
加賀富儀艾電子旗下代理品牌富士通半導體正在批量生產(chǎn)具有快速數(shù)據(jù)傳輸功能的 4Mbit FeRAM MB85RQ4ML。這種非易失性存儲器可以在最大 10...
2022-08-26 標簽:存儲器Nand flashMRAM 637 0
近幾年,隨著傳統(tǒng)馮·諾依曼結(jié)構(gòu)的瓶頸逐漸顯現(xiàn),越來越多企業(yè)投身于存算一體芯片研發(fā)的浪潮中,試圖打破“存算墻”、“能耗墻”和“編譯墻”對AI應(yīng)用進一步發(fā)展...
富士通推出12Mbit電阻式隨機存取存儲器MB85AS12MT
富士通半導體存儲器解決方案有限公司推出12Mbit ReRAM(電阻式隨機存取存儲器)MB85AS12MT,這是富士通ReRAM產(chǎn)品系列中密度最大的產(chǎn)品。
專注ReRAM新型存儲器,昕原半導體宣布完成近億美元Pre-A輪融資
新型半導體存儲技術(shù)公司「昕原半導體」宣布完成近億美元的Pre-A輪融資,本輪融資由上海聯(lián)和投資領(lǐng)投,聯(lián)升投資、昆橋資本、聯(lián)新資本等基金跟投,主要用于存儲...
Dialog將非易失性電阻式RAM技術(shù)授權(quán)與格芯22FDX平臺,服務(wù)IoT和AI應(yīng)用
Dialog獨有的且經(jīng)過生產(chǎn)驗證的CBRAM技術(shù)是一項低功耗的NVM解決方案,專為物聯(lián)網(wǎng)(IoT)、5G連接、人工智能(AI)等一系列應(yīng)用而設(shè)計。
ReRAM技術(shù)將成嵌入式人工智能重要關(guān)鍵
Dialog半導體已將其導電橋接電阻RAM非易失性存儲器(NVM)技術(shù)授權(quán)給Globalfoundries,但生產(chǎn)計劃要等到2022年。 Globalf...
MRAM具有一些獨特的功能 可能導致MRAM替換現(xiàn)有的內(nèi)存
在所有常年興起的記憶中,MRAM似乎最有可能瀕臨大規(guī)模,廣泛采用。這是否會很快發(fā)生取決于制造的進步和支持分立和嵌入式MRAM器件技術(shù)的生態(tài)系統(tǒng)。 MRA...
MRAM PCM還是ReRAM 下一代存儲器非常值得關(guān)注
存儲器芯片開發(fā)的主要挑戰(zhàn)是面對日益增長的微處理器性能提高,如何保持同步提供高吞吐速度與較低功耗?面對挑戰(zhàn)存儲器制造商選擇改變計算架構(gòu)和移至更小的工藝節(jié)點...
ReRAM新存儲技術(shù)有望顛覆目前的數(shù)據(jù)存儲模式
在人工智能的認知系統(tǒng)里,最重要部分就是通過神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)、深度學習等技術(shù)讓機器盡可能像人一樣去思考,而機器的世界里只有0和1,這就需要海量數(shù)據(jù)來幫助機器進行判斷。
富士通業(yè)內(nèi)最高密度8Mbit ReRAM將量產(chǎn)
富士通推出業(yè)內(nèi)最高密度8Mbit ReRAM---“MB85AS8MT”,此款ReRAM量產(chǎn)產(chǎn)品由富士通與松下電器半導體(Panasonic Semic...
ReRAM 在嵌入式應(yīng)用領(lǐng)域還是前景可觀的,但在存儲級內(nèi)存領(lǐng)域,這項技術(shù)將面臨很大的競爭。Applied 的 Ping 說:“它面臨著與已有解決方案的競...
隨著人工智能(AI)的深度學習及機器學習、高效能運算(HPC)、物聯(lián)網(wǎng)裝置的普及,巨量資料組成密集且復雜,除了在處理器上提供運算效能,也需要創(chuàng)新的存儲器...
到目前為止,新興的非易失性存儲器(eNVM),如自旋轉(zhuǎn)矩磁阻RAM(STT-MRAM)、可變電阻式存儲器(ReRAM) 和相變存儲器(PCM),由于可擴...
ARM談新興NVM存儲技術(shù) 存儲市場將改變游戲規(guī)則
ARM正在關(guān)注這些前沿的存儲技術(shù),因為它有可能對邏輯空間產(chǎn)生巨大的顛覆性,在硬件和軟件平臺層面也是如此?!坝懈鞣N類型的電阻式RAM和磁性RAM出現(xiàn),TS...
ReRAM存儲器助物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備降低能源消耗
未來如果該技術(shù)成為全球物聯(lián)網(wǎng)芯片主流內(nèi)存解決方案,將有助除去運算與數(shù)據(jù)儲存之間的界線,有利于以數(shù)據(jù)為中心的運算架構(gòu)發(fā)展。
2018-07-17 標簽:存儲器物聯(lián)網(wǎng)ReRAM 3911 0
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