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肖特基二極管的工作原理和優(yōu)缺點

肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢壘二極管（SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD）的簡稱。

2024-11-05 標簽：二極管半導體肖特基二極管 471 0

具有低導通電阻的GaN-on-SiC肖特基勢壘二極管設計

北京工業(yè)大學和中國北京大學報道了碳化硅襯底（GaN/SiC）上由氮化鎵制成的全垂直結(jié)構肖特基勢壘二極管（SBD）的性能

2024-02-19 標簽：SBD SiC GaN 1336 0

碳化硅功率器件的技術、應用與發(fā)展簡析

碳化硅（SiC）是一種具有優(yōu)異物理特性的半導體材料，其高電子飽和遷移率、高熱導率、高擊穿場強和高電子飽和遷移率等特點使其在功率器件領域具有廣泛的應用前景。

2023-12-19 標簽：二極管 MOSFET SBD 746 0

改進JBS結(jié)構以降低泄漏電流和提高浪涌電流能力

2023-11-23 標簽：二極管 SBD 浪涌電流 844 0

SiC SBD的高耐壓（反壓）特性

2023-12-13 標簽：半導體 SBD SiC 621 0

【科普小貼士】什么是肖特基勢壘二極管（SBD）？

2023-12-13 標簽：二極管半導體 SBD 1637 0

【科普小貼士】肖特基勢壘二極管（SBD）的反向恢復特性

2023-12-13 標簽：二極管諧振電路 SBD 897 0

如何在linux系統(tǒng)配置交換分區(qū)（swap）呢？

SWAP（交換）分區(qū)是一種通過在硬盤中預先劃分一定的空間，然后將把內(nèi)存中暫時不常用的數(shù)據(jù)臨時存放到硬盤中

2023-11-14 標簽：Linux系統(tǒng)交換機 SBD 1502 0

二極管的主要參數(shù) 常用二極管的類型

二極管通常是由PN結(jié)加上電極引線和外殼制成的， **基本特性是單向?qū)щ娦?* 。

2023-10-25 標簽：二極管 SBD 整流管 7397 0

混合碳化硅分立器件的特性與優(yōu)點

IGBT分立器件一般由IGBT和續(xù)流二極管(FWD)構成，續(xù)流二極管按材料可分為硅材料和碳化硅材料，按照器件結(jié)構可分為PIN二極管和肖特基勢壘二極管(S...

2023-09-22 標簽：二極管 IGBT 分立器件 456 0

sbd帖子

碳化硅肖特基二極管技術演進解析

標簽：PFC SBD 碳化硅 1395 0

反激式開關電源二次側(cè)輸出電路整流二極管分析

標簽：開關電源整流二極管 SBD 1338 0

這個FRD的快和SBD的快差別是什么呢？如何選擇呢？

標簽：CMOS 肖特基二極管 SBD 1330 0

肖特基二級管有什么作用？

標簽：SBD 二級管華強芯城 1894 3

SiC-SBD的產(chǎn)品陣容支持車載的650V/1200V、5A～40A

標簽：SBD SiC 2030 0

肖特基勢壘二極管的特征

標簽：肖特基二極管 SBD 1732 0

SiC-SBD關于可靠性試驗

標簽：SBD SiC 半導體元器件 3035 0

功率元器件

標簽：二極管 MOSFET SBD 2429 0

SiC-SBD的特征以及與Si二極管的比較

標簽：二極管 SBD 4139 0

使用SiC-SBD的優(yōu)勢

標簽：二極管 SBD SiC 3873 0

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KUU 肖特基 KSB1045L TO-277立即下載

類別：電子資料 2022-09-23 標簽：二極管肖特基二極管 SBD 161 0

KUU 肖特基 KBR10100CT TO-252立即下載

類別：電子資料 2022-09-23 標簽：二極管肖特基二極管 SBD 205 0

KUU 肖特基 KBAT54SW-7-F SOT-323立即下載

類別：電子資料 2022-09-23 標簽：二極管肖特基二極管 SBD 176 0

KUU 肖特基 KBAT54CW-7-F SOT-323立即下載

類別：電子資料 2022-09-23 標簽：二極管肖特基二極管 SBD 172 0

KUU 肖特基 KBAT54AW-7-F SOT-323立即下載

類別：電子資料 2022-09-23 標簽：二極管肖特基二極管 SBD 151 0

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類別：電子資料 2022-09-23 標簽：二極管肖特基二極管 SBD 173 0

sbd資訊

瞻芯電子推出車規(guī)級1200V 60A SiC 肖特基二極管(SBD)產(chǎn)品，助力高效大功率應用

為了滿足高效、大功率變換系統(tǒng)應用需要，瞻芯電子開發(fā)了4款1200V 60A SiC肖特基二極管(SBD)產(chǎn)品，其中TO247-2封裝器件產(chǎn)品IV2D12...

2024-12-02 標簽：肖特基二極管 SBD SiC 575 0

ROHM推出表面貼裝型SiC肖特基勢壘二極管

全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開發(fā)出引腳間爬電距離*1更長、絕緣電阻更高的表面貼裝型SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SBD”）。目...

2024-11-26 標簽：二極管 SBD SiC 212 0

北京順義泰科天潤項目一期投資4億元，預計2028年達產(chǎn)

3月4日，北京順義消息顯示，順義區(qū)21個在建市區(qū)重點產(chǎn)業(yè)項目全部復工復產(chǎn)，其中包括泰科天潤建設公司總部、研發(fā)中心及8英寸SiC功率器件生產(chǎn)基地項目。

2024-03-11 標簽：新能源汽車 MOSFET 晶圓 1108 0

ROHM推出實現(xiàn)業(yè)界超快trr的100V耐壓SBD

二極管的種類有很多，其中高效率SBD被廣泛用于各種應用。尤其是溝槽MOS結(jié)構的SBD，其VF低于平面結(jié)構的SBD，因此可以在整流等應用中提高效率。而普通...

2024-03-15 標簽：二極管 MOS SBD 482 0

京瓷推出一種功率器件LPTO-263封裝

功率器件，是指用于調(diào)控和變換電力的器件。從民生用品到工業(yè)設備，京瓷集團一直向市場提供各種高品質(zhì)、高可靠性的節(jié)能型產(chǎn)品。

2024-02-23 標簽：散熱片功率器件 SBD 1135 0

羅姆推出新型SBD

來源：Silicon Semiconductor 非常適合汽車LED頭燈和其他高速開關應用。 ROHM（羅姆）開發(fā)了100V擊穿肖特基勢壘二極管 (SB...

2024-02-21 標簽：SBD 羅姆 494 0

ROHM推出實現(xiàn)業(yè)界超快trr的100V耐壓SBD“YQ系列”

全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)面向車載設備、工業(yè)設備、消費電子設備等的電源電路和保護電路，推出trr*1超快的100V耐壓肖特基勢壘...

2024-01-24 標簽：SBD Rohm 550 0

液相法碳化硅單晶生長技術研究

碳化硅具有高熱導率、高擊穿電場、高飽和電子漂移速度、良好的耐輻射性和化學穩(wěn)定性、GaN的近晶格常數(shù)和熱膨脹系數(shù)等優(yōu)勢。

2023-12-18 標簽：新能源汽車晶圓 SBD 1476 0

SiC功率模塊中微米級Ag燒結(jié)連接技術的進展

功率密度的提高及器件小型化等因素使熱量的及時導出成為保證功率器件性能及可靠性的關鍵。

2023-12-13 標簽：功率器件 SBD SiC 1063 0

【科普小貼士】肖特基勢壘二極管（SBD）的金屬差異

2023-12-13 標簽：二極管 MOSFET SBD 697 0

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