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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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sic技術(shù)

SiC器件的工作原理與主要優(yōu)勢！

在追求能源效率和對高性能電力電子系統(tǒng)的需求不斷增長的今天，碳化硅（SiC）功率器件憑借其卓越的電氣性能和熱穩(wěn)定性，正在變革傳統(tǒng)功率電子技術(shù)。

2024-04-18 標(biāo)簽：電動汽車功率器件 SiC 1095 0

在EV中使用第4代SiC MOSFET：裝入牽引逆變器實施模擬行駛試驗

使用電機(jī)試驗臺的測試結(jié)果，按照油耗測試方法WTLC進(jìn)行了模擬行駛仿真，確認(rèn)了第4代SiC MOSFET對電耗的改善效果。

2024-04-17 標(biāo)簽：MOSFET 逆變器 PFC 613 0

SiC MOSFET短路失效的兩種典型現(xiàn)象

短路引起的 SiC MOSFET 電學(xué)參數(shù)的退化受到了電、熱、機(jī)械等多種應(yīng)力的作用，其退化機(jī)理需要從外延結(jié)構(gòu)、芯片封裝以及器件可靠性等多方面進(jìn)行論證分析。

2024-04-17 標(biāo)簽：MOSFET 變頻器電機(jī)驅(qū)動 2061 0

碳化硅（SiC）功率器件探討：未來的能源解決方案

隨著全球?qū)Ω咝?、更可持續(xù)能源解決方案的需求不斷增加，碳化硅（SiC）功率器件因其卓越的物理和電氣特性而成為電力電子領(lǐng)域的一個重要進(jìn)展。

2024-04-15 標(biāo)簽：導(dǎo)通電阻功率器件 SiC 707 0

深入探討碳化硅功率器件優(yōu)勢、應(yīng)用

碳化硅是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料，具有比硅（Si）更優(yōu)越的物理和化學(xué)特性，包括更高的臨界擊穿場強(qiáng)、更大的熱導(dǎo)率、更高的工作溫度和更快的開關(guān)速度。

2024-04-12 標(biāo)簽：變壓器電感器功率器件 523 0

碳化硅(SiC)功率器件特性及應(yīng)用

碳化硅是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料，相比于傳統(tǒng)的硅材料，具有更高的熱導(dǎo)率、更大的電場擊穿強(qiáng)度和更高的載流子遷移率等特點。

2024-04-10 標(biāo)簽：電動汽車功率器件 SiC 1348 0

深入對比SiC MOSFET vs Qorvo SiC FET

眾多終端產(chǎn)品制造商紛紛選擇采用SiC技術(shù)替代硅基工藝，來開發(fā)基于雙極結(jié)型晶體管（BJT）、結(jié)柵場效應(yīng)晶體管（JFET）、金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（M...

2024-04-10 標(biāo)簽：MOSFET 場效應(yīng)晶體管 SiC 1438 0

碳化硅功率器件的應(yīng)用優(yōu)勢

碳化硅具有比硅更高的熱導(dǎo)率、更寬的能帶寬度和更高的電子飽和漂移速度。這些特性使得SiC功率器件在高溫、高頻以及高電壓應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異。

2024-04-09 標(biāo)簽：功率器件 SiC 碳化硅 316 0

全面的SiC功率器件行業(yè)概覽

SiC功率器件市場正處于快速增長階段，特別是在汽車電動化趨勢的推動下，其市場規(guī)模預(yù)計將持續(xù)擴(kuò)大。根據(jù)Yole Group的報告，汽車行業(yè)對SiC功...

2024-04-07 標(biāo)簽：新能源汽車晶圓功率器件 797 0

如何增強(qiáng)SiC功率器件的性能與可靠性？

電動汽車 (EV) 市場的快速增長推動了對下一代功率半導(dǎo)體的需求，尤其是對碳化硅 (SiC) 半導(dǎo)體的需求尤為強(qiáng)勁。

2024-04-07 標(biāo)簽：電動汽車半導(dǎo)體功率器件 711 0

碳化硅功率器件：能效革新的催化劑！

隨著全球?qū)δ苄Ш铜h(huán)保的要求日益提高，傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體器件逐漸暴露出其性能瓶頸，特別是在高溫、高壓和高頻應(yīng)用場景中。

2024-04-02 標(biāo)簽：半導(dǎo)體逆變器功率器件 538 0

深度解析碳化硅功率器件原理和優(yōu)勢

SiC市場格局仍由海外巨頭主導(dǎo)，市占率排名依次是：意法半導(dǎo)體、英飛凌、wolfspeed、羅姆、安森美、三菱電機(jī)等。

2024-04-01 標(biāo)簽：功率器件 SiC 碳化硅 2921 0

碳化硅功率器件的工作原理

碳化硅功率器件的核心在于其能夠在極端條件下高效地控制電力的流動。SiC材料的寬帶隙特性意味著它在高溫下仍能維持較高的能量障礙，從而保持穩(wěn)定的半導(dǎo)體特性。

2024-03-26 標(biāo)簽：功率器件 SiC 碳化硅 371 0

碳化硅晶片C面與硅面的存在原因探究

Si-Si鍵能大小為 310 kJ/mol，可以理解鍵能是把這兩個原子拉開的力度，鍵能越大，需要拉開的力越大。 Si-C鍵原子間距為 1.89 ?，...

2024-03-26 標(biāo)簽：SiC 晶片光刻機(jī) 930 0

安森美發(fā)布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET—M3S

安森美(onsemi)發(fā)布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET，命名為M3S，其中S代表開關(guān)。

2024-03-26 標(biāo)簽：電動汽車 MOSFET 安森美 1612 0

碳化硅功率器件：革新未來能源與電力電子技術(shù)的關(guān)鍵材料

隨著全球?qū)Ω咝茉吹牟粩嘧非蠛碗娮蛹夹g(shù)的快速發(fā)展，傳統(tǒng)的硅基功率器件已逐漸達(dá)到其性能邊界。

2024-03-21 標(biāo)簽：電動汽車功率器件 SiC 552 0

淺析功率半導(dǎo)體IGBT及SiC技術(shù)的相關(guān)知識

電力電子技術(shù)在新能源汽車中應(yīng)用廣泛，是汽車動力總成系統(tǒng)高效、快速、穩(wěn)定、安全能量變換的基礎(chǔ)。

2024-03-21 標(biāo)簽：新能源汽車 IGBT 電機(jī)控制器 2033 0

碳化硅MOS、超結(jié)MOS與IGBT性能比較

Si-MOSFET根據(jù)制造工藝可分為平面柵極MOSFET和超結(jié)MOSFET。平面柵極MOSFET在提高額定電壓時，漂移層會變厚，導(dǎo)致導(dǎo)通電阻增加的問題。

2024-03-19 標(biāo)簽：二極管 IGBT MOS 6059 0

碳化硅功率器件特性及基本原理

碳化硅是一種寬帶隙(Wide Bandgap,WBG)半導(dǎo)體材料，與傳統(tǒng)的硅(Si)材料相比，具有更寬的能隙、更高的擊穿電場強(qiáng)度和熱導(dǎo)率。

2024-03-19 標(biāo)簽：功率轉(zhuǎn)換功率器件 SiC 602 0

SiC驅(qū)動電源設(shè)計要點（變壓器部分）

在設(shè)計SiC（碳化硅）驅(qū)動電源時，需要考慮以下幾個關(guān)鍵要點：

2024-03-18 標(biāo)簽：IGBT SiC 驅(qū)動電源 1724 0

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TRINAMIC總部位于德國漢堡，經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個神話，主要致力與運動控制產(chǎn)品的設(shè)計與研發(fā)（步進(jìn)和直流無刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
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無線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無需任何物理上的連接，電能可以近距離無接觸地傳輸給負(fù)載。實際上近距離的無線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無線供電。
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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測試解決方案的研究，通過不斷深入了解各個行業(yè)的測試需求，持續(xù)提供給客戶具有競爭力的測試方案。
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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計升壓電路。
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DC/DC表示的是將某一電壓等級的直流電源變換其他電壓等級直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國在線共享充電寶設(shè)備量已超過440萬，用戶規(guī)模超過2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場景的激增，消費者對共享充電寶的價格變得越來越敏感。
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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級、中國社會科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營部部長、副總經(jīng)理、副董事長。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會副會長、珠海市紅十字會榮譽會長等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日報《中國經(jīng)濟(jì)周刊》評選的2003-2004年度“中國十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評為“2004年度中國十大營銷人物”

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