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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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中國碳化硅襯底價格2024年快速滑落 800V的春天看來要到了
國際半導體IDM廠商,如意法半導體、英飛凌、安森美、羅姆電子等,在中國市場仍然占據(jù)碳化硅元件的重要地位。消息人士補充,外國汽車品牌或與中國合資的汽車品牌...
Infineon碳化硅布局加速,晶圓廠投資引發(fā)市場疑慮
雖然Infineon是歐洲五大芯片制造商之一,但他的作風一向非常低調(diào)。就連Infineon的收購行動也常常被低調(diào)處理。
如何實現(xiàn)高功率密度三相全橋SiC功率模塊設計與開發(fā)呢?
為滿足快速發(fā)展的電動汽車行業(yè)對高功率密度 SiC 功率模塊的需求,進行了 1 200 V/500 A 高功率密度三相 全橋 SiC 功率模塊設計與開發(fā),...
柵極環(huán)路電感對IGBT和EliteSiC Power功率模塊開關(guān)特性的影響簡析
IGBT和碳化硅(SiC)模塊的開關(guān)特性受到許多外部參數(shù)的影響,例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散元件。
碳化硅(SiC)功率器件核心優(yōu)勢及技術(shù)挑戰(zhàn)
SiC器件的核心優(yōu)勢在于其寬禁帶、高熱導率、以及高擊穿電壓。具體來說,SiC的禁帶寬度是硅的近3倍,這意味著在高溫下仍可保持良好的電性能;其熱導率是硅的...
新型隔離式Σ-Δ調(diào)制器如何提高和增強系統(tǒng)電流測量精度
最新的隔離式調(diào)制器通過優(yōu)化內(nèi)部模擬設計和使用最新斬波技術(shù)來改善失調(diào)和增益誤差相關(guān)的性能,這極大地簡化了系統(tǒng)設計并減少了校準時間。最新ADuM770x器件...
碳化硅功率器件主要包括碳化硅二極管(SiC Diode)、碳化硅晶體管(SiC Transistor)等。這些器件通過利用碳化硅材料的優(yōu)良特性,可以在更...
內(nèi)置1700V耐壓SiC MOSFET的AC-DC轉(zhuǎn)換器IC助推工廠智能化
各行各業(yè)的工廠都在擴大生產(chǎn)線的智能化程度,在生產(chǎn)線上的裝置和設備旁邊導入先進信息通信設備的工廠越來越多。
2024-02-21 標簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETSiC 811 0
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