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來源:內(nèi)容來自「馭勢資本」,謝謝。 半導體封裝基礎 半導體制造工藝流程 半導體制造的工藝過程由晶圓制造(Wafer Fabr ication)、晶圓測試...
得捷新品Nexperia小型化高效SiGe整流器和PUI微型移動揚聲器介紹
本期Digi-Key Daily向大家推介兩款產(chǎn)品——Nexperia的CFP封裝SiGe整流器和PUI 12mm x 6mm移動系列揚聲器。 1 產(chǎn)品...
格芯(GLOBALFOUNDRIES)公布了針對一系列技術平臺而制訂的愿景和路線圖,這些技術平臺旨在幫助客戶過渡到下一代5G無線網(wǎng)絡。格芯為多種5G應用...
美高森美公司(Microsemi Corporation,紐約納斯達克交易所代號:MSCC)日前推出世界首款單晶片硅鍺(SiGe)RF前端(FE)器件L...
據(jù)IEEE報道,來自IMEC的Hans Mertens研究小組,使用8納米寬的密集型納米線堆棧在傳統(tǒng)硅表面上成功制作了環(huán)柵式晶體管,未來經(jīng)過技術改進有可...
格羅方德推出性能增強型130nm硅鍺射頻技術,以促進下一代無線網(wǎng)絡通信發(fā)展
格羅方德半導體(GlobalFoundries)于今日宣布針對硅鍺(SiGe)高性能技術組合,推出新一代射頻芯片解決方案。該項技術專為需要更優(yōu)性能解決方...
英飛凌推出面向毫米波無線回程傳輸?shù)腟iGe收發(fā)器系列
英飛凌科技股份公司(FSE: IFX/OTCQX: IFNNY)今日發(fā)布一個可取代十余個獨立器件從而簡化系統(tǒng)設計和生產(chǎn)工作的收發(fā)器產(chǎn)品線。由于功耗更低,...
眾所週知,恩智浦半導體(NXP Semiconductors)是從荷蘭皇家飛利浦(Philips)獨立而出。而在歷經(jīng)多年的發(fā)展轉變后,今天的恩智浦,已經(jīng)...
恩智浦半導體 NXP近日宣布推出SiGe:C低噪聲放大器(LNA),進一步提高了GPS信號的線性度、噪聲系數(shù)以及GPS(包括GLONASS和伽利略衛(wèi)星定...
瑞薩電子推出新型SiGe:C異質(zhì)接面晶體管NESG7030M04
瑞薩電子宣布推出新款 SiGe :C異質(zhì)接面晶體管 (SiGe:C HBT, 注1)NESG7030M04,可作為低噪聲放大晶體管用于無線局域網(wǎng)絡系統(tǒng)、...
Maxim推出線性度最高的上/下變頻SiGe混頻器 Maxim推出業(yè)內(nèi)性能最佳的完全集成、2300MHz至4000MHz SiGe無源混頻器M...
SiGe全新高集成度前端模塊為WLAN產(chǎn)品載入集成PA選擇
SiGe全新高集成度前端模塊為WLAN產(chǎn)品載入集成PA選擇 SiGe半導體公司 (SiGe Semiconductor) 宣布擴大其無線LAN和藍牙(...
SiGe半導體推出帶藍牙端口的單芯片集成式前端模塊 SiGe半導體公司 (SiGe Semiconductor) 宣布擴大其無線LAN和藍牙(Blue...
SiGe推出集成式前端模塊SE2600S SiGe半導體公司 宣布擴大其無線LAN和藍牙(Bluetooth™) 產(chǎn)品系列,推出帶有藍牙端...
SiGe前端Wi-Fi /藍牙模組(SE2571U前端模組)
SiGe前端Wi-Fi /藍牙模組(SE2571U前端模組)輸出功率20dBm SiGe Semiconductor推出SE2571U前端模組,目標是...
2009-07-01 標簽:SiGe 1061 0
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