衛(wèi)星電視下變頻器中的低噪聲放大器一般是將波導同軸轉(zhuǎn)換器與低噪聲放大器合成一個部件。如果要達到噪聲溫度低和增益高，通常包含3～4級放大，前兩級為低噪聲放大器，主要采用高電子遷移率晶體管HEMT器件，后兩級為高增益放大器，主要采用砷化鎵場效應(yīng)晶體管GaAsFET。典型的LNA的噪聲溫度在C波段約為(20～40)°K。增益約為(40～50) dB，輸出輸入電壓駐波比(VSMR)小于1.5。圖3給出了低噪聲放大器(LNA)的電原理圖，設(shè)計時通常先給出必要的參數(shù)，如S參數(shù)、電路級數(shù)、匹配電路的方式、噪聲參數(shù)、輸出輸入阻抗等等，然后利用計算機CAD軟件進行優(yōu)化設(shè)計并作出微帶線電路圖。

圖3　低噪聲放大器的電原理圖

　　第一變頻器和帶通濾波器是由第一本振、第一混頻器及帶通濾波器組成的，其作用是將低噪聲放大器輸出的下行微波信號變?yōu)橹蓄l信號，變頻前后信號的帶寬保持不變。
　　第一本振通常以介質(zhì)諧振器振蕩器作為諧振回路，采用耦合微帶線耦合能量，使用CaAs-FET作為基本放大電路來實現(xiàn)振蕩器。介質(zhì)諧振器的介電常數(shù)很高，通常在35～40之間，諧振時，由于介電常數(shù)高，電磁場大部分集中在介質(zhì)內(nèi)部，與金屬諧振腔類似。介質(zhì)諧振腔的優(yōu)點是溫度穩(wěn)定性好，品質(zhì)因數(shù)Q值高，體積小，價格低，容易和微帶線耦合而制成MMIC。
　　圖4給出2種實際的介質(zhì)諧振器振蕩器電原理圖。

圖4　介質(zhì)振蕩器電原理圖

　　實際的介質(zhì)諧振器振蕩器中不僅需要考慮介質(zhì)諧振器的參數(shù)、位置及微帶線的參數(shù)，還要考慮場效應(yīng)晶體管輸出輸入的阻抗匹配的問題和直流偏置電路的設(shè)置。
　　第一混頻器由非線性元件、輸入信號與本振信號混合網(wǎng)絡(luò)及一些附加電路組成，如圖5所示。

圖5　第一混頻器框圖

　　輸入信號與本振信號混合后疊加在非線性元件上，非線性元件通常采用晶體二極管和三極管，使其工作在伏安特性曲線的非線性區(qū)。由其非線性作用使輸出端產(chǎn)生出和頻、差頻、倍頻等一系列信號，可用濾波器選取所需的差頻信號，應(yīng)能達到混頻的目的。實際電路中，常采用二極管阻抗混頻器，它的結(jié)構(gòu)簡單，便于集成化，工作穩(wěn)定，噪聲系數(shù)低，工作頻帶寬，動態(tài)范圍大。雖然，這種混頻器沒有變頻增益，只有變頻損耗，但這種損耗容易加放大器予以補償。實際應(yīng)用中，還要考慮輸入信號與本振信號的隔離及對寄生頻率的抑制等，通常采用雙平衡混頻器，它主要由二極管橋和平衡、不平衡變換器組成，電原理圖如圖6(圖中巴侖(balun)為平衡、不平衡線路變壓器)所示。

圖6　雙平衡混頻器電原理圖

　　四個特性相同的混頻二極管按同一極性順序連接成環(huán)形橋路，輸入和本振信號通過變壓器耦合，將不平衡的輸入變換為平衡輸出加到二極管橋的兩對角線上，從而總的中頻電流等于四個二極管所產(chǎn)生的中頻電流的總和。
　　雙平衡混頻器具有主要特點如下：
　　(1)輸入信號與本振信號之間有高隔離度；
　　(2)工作頻帶寬；
　　(3)動態(tài)范圍大，抗過載能力強；
　　(4)對寄生頻率有很好的抑制能力；
　　(5)能抑制本振引入的噪聲。
　　第一中放也稱前置中放，通常是直接和混頻器相接的，它的作用是把混頻器輸出的微弱中頻進行放大、以補償混頻器、帶通濾波器以及室外、室內(nèi)單元間連接的高頻電纜所引起的衰減。第一中放通常直接采用集成電路塊。
　　由于二次變頻式的衛(wèi)星接收系統(tǒng)第一中頻通常選擇在1 GHz左右，這個頻率處于微波放大器和高頻放大器的交界處，因而電路結(jié)構(gòu)方式可以用分布參數(shù)、集中參數(shù)或二者的混合形式三種。
　　集中參數(shù)電路與一般高頻放大器基本相同，電路元件用集中參數(shù)的電阻、電容和電感，參見圖7。

圖7　集中參數(shù)電路

　　由于中放是寬頻帶電路，所以不能使用調(diào)諧回路，元件為無引線型，電路尺寸緊湊。但由于R、C元件的離散性，往往難以得到嚴格符合設(shè)計要求的數(shù)值，所以單級增益低；但可以用增加級數(shù)的方法加以解決，一般由3～4級組成，增益約為20 dB。
　　分布參數(shù)的中放電路可以用微帶形式實現(xiàn)，參見圖8所示?？上葴y出晶體管的S參數(shù)，然后設(shè)計微帶匹配電路。分布參數(shù)電路的優(yōu)點是電路一致性較好，容易達到單級最佳性能，所以放大器一般是2～3級。

圖8　分布參數(shù)電路

　　混合形式的電路是用一部分微帶線和部分集中參數(shù)元件組成的。當?shù)谝患壒茏拥腟₁₁值適當時，可用較短的傳輸線和分支微帶組成輸入電路，能獲得較低的噪聲。級間和輸出電路可采用微帶和集中參數(shù)元件的結(jié)合。它設(shè)計靈活，兼有分布和集中參數(shù)電路的優(yōu)點。
　　室外單元的直流供電由連接室外單元的75 Ω高電纜芯線提供。室內(nèi)單元的直流電源通過高頻扼流圈傳送給室外單元，它對(3.7～4.2) GHz的微波信號和第一中頻信號均無影響。通常16 V～24 V的電壓，一路送去LNA，另一路送到室外單元的穩(wěn)壓電路，穩(wěn)壓后供室外單元其他各級使用。

　　由于衛(wèi)星電視接收系統(tǒng)中天線接收到的衛(wèi)星下行微波信號非常微弱，為保證信號的質(zhì)量，將接收到的衛(wèi)星下行頻率信號進行放大并變頻，C頻段衛(wèi)星電視下變頻器應(yīng)該滿足的主要技術(shù)要求如下：
　　(1)振幅—頻率特性好。振幅—頻率特性是指輸入電平恒定下，輸入信號頻率變化時輸出端電平變化的特性，主要包括通頻帶、功率增益、增益波動及增益斜率幾方面。
　　通頻帶要求下變頻器的輸入頻段與衛(wèi)星下行頻段一致，輸出頻段與衛(wèi)星接收機的輸入頻段一致，而且下變頻器的輸入輸出頻段的帶寬一致；
　　功率增益是指輸出功率與輸入功率之比；
　　增益波動是指在中頻輸出的頻帶內(nèi)，最大增益與最小增益之差；
　　增益斜率是指在中頻輸出的頻帶內(nèi)，單位頻帶內(nèi)增益的變化率。
　　(2)噪聲系數(shù)低。噪聲系數(shù)是指下變頻器整體的等效輸入噪聲，即將整個電路產(chǎn)生的熱噪聲等效于在輸入端的一個噪聲源，通常用噪聲溫度表示。
　　(3)本振頻率特性好。它包括第一本振頻率的標稱值、第一本振頻率的穩(wěn)定度、第一本振頻率的泄漏。
　　(4)輸入輸出的電壓駐波比及回波損耗小，輸出的電壓駐波比及回波損耗在中頻頻段內(nèi)測量，輸入的電壓駐波比及回波損耗在下行微波頻段內(nèi)測量。
　　(5)功率增益高。它是指下變頻器的中頻信號輸出功率大。
　　(6)增益穩(wěn)定性好。這是指在中頻輸出的頻帶內(nèi)增益隨時間變化的起伏小。
　　(7)多載波互調(diào)比小。這是指多個不同頻率的信號進入下變頻器時的相互調(diào)制產(chǎn)物小。
　　(8)輸入飽和電平高。這主要是指輸入信號超過額定范圍時，引起下變頻器進入非線性工作區(qū)的影響小。
　　(9)鏡像干擾抑制比高。這是表示下變頻器抑制鏡頻信號的能力好。當下變頻器工作在線性范圍時，輸入幅度相等的帶內(nèi)信號和鏡頻信號兩者在輸出端電平比即鏡像干擾抑制比。
　　(10)群時延特性好。這是指下變頻器造成的群時延小。
　　(11)雜散信號少。這是指互調(diào)產(chǎn)物之外的無用信號少。
　　(12)殘余調(diào)制噪聲小。這是指當輸入端加一標稱頻率、標稱電平的純正弦信號時，輸出信號中含有的附加噪聲小。
　　這些技術(shù)要求中，以本振頻率穩(wěn)定度高、噪聲溫度低、幅頻特性好為最重要。
　　以上對C頻段高頻頭的主要技術(shù)要求可以概括成表1所示。但表1是針對接收C頻段衛(wèi)星模擬電視信號的高頻頭而言的，如果在接收衛(wèi)星數(shù)字信號時，則除了選用噪聲溫度低，本振頻率穩(wěn)定度高，動態(tài)增益大外，還必須選用本振相位噪聲小的高頻頭，因為在接收衛(wèi)星數(shù)字信號時，高頻頭的本振相位噪聲和本振頻率穩(wěn)定度大小對接收信號質(zhì)量是至關(guān)重要的(因為會影響到數(shù)字信號的誤碼率)。用于數(shù)字壓縮衛(wèi)星接收系統(tǒng)的高頻頭要求本振相位噪聲小于-65 dBc/Hz(在1 kHz處)；本振頻率穩(wěn)定度小于±500 kHz。