非易失性存儲(chǔ)器芯片又可分為快閃存儲(chǔ)器 （Flash Memory） 與只讀存儲(chǔ)器 （Read-Only Memory）。其中，快閃存儲(chǔ)器又可以分為 NAND 存儲(chǔ)和 NOR 存儲(chǔ)。
2024-03-22 10:54:15
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HBM3E的推出，標(biāo)志著SK海力士在高性能存儲(chǔ)器領(lǐng)域取得了重大突破，將現(xiàn)有DRAM技術(shù)推向了新的高度。
2024-03-20 15:23:53260 2D NAND和3D NAND都是非易失性存儲(chǔ)技術(shù)（NVM Non-VolatileMemory），屬于Memory（存儲(chǔ)器）的一種。
2024-03-17 15:31:39268 
三星計(jì)劃NAND閃存價(jià)格談判 欲漲價(jià)15%—20% 三星認(rèn)為NAND Flash價(jià)格過(guò)低；在減產(chǎn)和獲利優(yōu)先政策的促使下三星計(jì)劃與客戶就NAND閃存價(jià)格重新談判，目標(biāo)價(jià)位是漲價(jià)15%—20%。
2024-03-14 15:35:22216 數(shù)據(jù)處理指令和數(shù)據(jù)類型。它還實(shí)現(xiàn)了一整套DSP指令和增強(qiáng)應(yīng)用程序安全性的存儲(chǔ)器保護(hù)單元（MPU）。
STM32F429IIT6包含高速嵌入式存儲(chǔ)器（最高2兆字節(jié)的閃存，最高256千字節(jié)的SRAM），最高4千字
2024-03-12 09:39:01
的基礎(chǔ)。同時(shí)STM32MP135支持高性能DDR3存儲(chǔ)器，在存儲(chǔ)器性能與抖動(dòng)抑制方面實(shí)現(xiàn)極大的優(yōu)化。為了實(shí)現(xiàn)工業(yè)實(shí)時(shí)以太網(wǎng)EtherCAT與標(biāo)準(zhǔn)以太網(wǎng)TCP/IP通訊同時(shí)運(yùn)行，STM32MP135設(shè)計(jì)了
2024-03-07 20:06:14
前言 NAND Flash 和 NOR Flash是現(xiàn)在市場(chǎng)上兩種主要的閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開(kāi)發(fā)出 NOR Flash 技術(shù),徹底改變了原先由 EPROM 和 EEPROM 一統(tǒng)天下
2024-03-01 17:08:45158 
飛創(chuàng)高性能直線電機(jī)模組FCL系列具備超長(zhǎng)行程、超高速度、超高精度、超重負(fù)載以及速度平穩(wěn)的特點(diǎn)，可滿足LDI設(shè)備制備等制造過(guò)程中對(duì)精密運(yùn)動(dòng)控制的需求。該模組作為高精密自動(dòng)化設(shè)備的重要傳動(dòng)元件，有助于實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化生產(chǎn)，提高效率和降低成本。
2024-02-29 15:41:30154 
NAND閃存作為如今各種電子設(shè)備中常見(jiàn)的非易失性存儲(chǔ)器，存在于固態(tài)硬盤（SSD）、USB閃存驅(qū)動(dòng)器和智能手機(jī)存儲(chǔ)等器件。而隨著電腦終端、企業(yè)存儲(chǔ)、數(shù)據(jù)中心、甚至汽車配件等應(yīng)用場(chǎng)景要求的多樣化
2024-02-05 18:01:17418 
1) 允許一個(gè)物理內(nèi)存（即 XRAM) 可同時(shí)作為程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器進(jìn)行訪問(wèn)
如何使用 SCR XRAM 作為程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。
1) 用于存儲(chǔ) scr 程序的程序存儲(chǔ)器
2) 用于在 tricore 和 scr 之間交換數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。
2024-01-30 08:18:12
高精度納米級(jí)壓電位移平臺(tái)“PIEZOCONCEPT”半導(dǎo)體界后摩爾時(shí)代的手術(shù)刀！第三代半導(dǎo)體是后摩爾時(shí)代實(shí)現(xiàn)芯片性能突破的核心技術(shù)之一，優(yōu)越性能和廣泛的下游應(yīng)用使相關(guān)廠商存在良好發(fā)展前景。隨著下
2024-01-26 08:16:17162 
閃存技術(shù)，通常用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，并且具有一些額外的安全特性。這種技術(shù)結(jié)合了 NAND 閃存的高密度存儲(chǔ)能力和安全性能。它通常用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，如圖像、視頻、音頻、文檔等，同時(shí)具備保護(hù)數(shù)據(jù)免受未經(jīng)授權(quán)訪問(wèn)或篡改
2024-01-24 18:30:00
特性。這種技術(shù)結(jié)合了NAND閃存的高密度存儲(chǔ)能力和安全性能。它通常用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，如圖像、視頻、音頻、文檔等，同時(shí)具備保護(hù)數(shù)據(jù)免受未經(jīng)授權(quán)訪問(wèn)或篡改的能力。SDNA
2024-01-24 18:29:55373 
ADuCM360/1是否支持存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器DMA傳輸？
2024-01-15 07:43:09
）和NAND（NAND Flash Memory）。 eMMC是一種嵌入式多媒體控制器，它為移動(dòng)設(shè)備（如智能手機(jī)和平板電腦）提供了一種高性能的存儲(chǔ)解決方案。它包括一個(gè)閃存控制器、一個(gè)NAND閃存芯片和一些
2024-01-08 13:51:46597
SD NAND是一種基于NAND閃存技術(shù)的存儲(chǔ)設(shè)備，與其他存儲(chǔ)設(shè)備相比，它具有以下幾個(gè)顯著的優(yōu)點(diǎn)：
高可靠性：SD NAND針對(duì)嵌入式系統(tǒng)的特殊需求進(jìn)行了設(shè)計(jì)，具有更高的可靠性。它內(nèi)置了閃存控制器
2024-01-05 17:54:39
人工智能芯片通常使用 SRAM 存儲(chǔ)器作為緩沖器（buffers），其可靠性和速度有助于實(shí)現(xiàn)高性能。
2024-01-03 17:16:041431 
從存儲(chǔ)芯片的市場(chǎng)表現(xiàn)來(lái)看，兩大類別DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）與NAND Flash（閃存存儲(chǔ)器）目前的價(jià)格較今年谷底都出現(xiàn)了上漲。
2023-12-19 15:19:32136 描述AT28C256是一種高性能的電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器。它的256K內(nèi)存由8位的32，768個(gè)字組成。該器件采用Atmel先進(jìn)的非易失性CMOS技術(shù)制造，訪問(wèn)時(shí)間高達(dá)150 ns，功耗僅為440
2023-12-08 15:05:01
dram和nand的區(qū)別? DRAM和NAND是兩種不同類型的存儲(chǔ)器。DRAM（Dynamic Random Access Memory）是一種隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，而NAND（Not AND）是一種邏輯
2023-12-08 10:32:003897 本編程手冊(cè)介紹了如何燒寫STM32F101xx、STM32F102xx和STM32F103xx微控制器的閃存存儲(chǔ)器。為方便起見(jiàn)，在本文中除特別說(shuō)明外，統(tǒng)稱它們?yōu)镾TM32F10xxx。 STM32F10xxx內(nèi)嵌的閃存存儲(chǔ)器可以用于在線編程(ICP)或在程序中編程(IAP)燒寫。
2023-11-28 15:16:56
2 閃速存儲(chǔ)器 （Flash Memory）簡(jiǎn)稱閃存器或閃存，是一種非易失性存儲(chǔ)器(Non-volatile Memory， NVM)。目前常用的兩種閃存器是或非閃存器 (NOR Flash）和與非閃存
2023-11-23 09:36:17910 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《性能超群的含閃存存儲(chǔ)器、8引腳PIC微控制器.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-17 11:02:010 。CSNP4GCR01-AMW是一種基于NAND閃存和SD控制器的4Gb密度嵌入式存儲(chǔ)；而CSNP32GCR01-AOW是一種基于NAND閃存和SD控制器的32Gb密度嵌入式存儲(chǔ)。與原始NAND相比其具有
2023-11-15 18:07:57
但是，存儲(chǔ)芯片大企業(yè)的價(jià)格已經(jīng)出現(xiàn)上漲跡象。還有外電報(bào)道說(shuō)，已經(jīng)從dram開(kāi)始的存儲(chǔ)器價(jià)格上升趨勢(shì)正在擴(kuò)大到nand閃存。
2023-11-13 14:53:28487 中圖儀器SJ5730系列納米探針式輪廓儀采用超高精度納米衍射光學(xué)測(cè)量系統(tǒng)、超高直線度研磨級(jí)摩擦導(dǎo)軌、高性能直流伺服驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)、高性能計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)技術(shù)，分辨率高達(dá)0.1nm，系統(tǒng)殘差小于3nm
2023-11-09 09:14:22
三星采取此舉的目的很明確，希望通過(guò)此舉逆轉(zhuǎn)整個(gè)閃存市場(chǎng)，穩(wěn)定NAND閃存價(jià)格，并實(shí)現(xiàn)明年上半年逆轉(zhuǎn)市場(chǎng)等目標(biāo)。
2023-11-03 17:21:111214 據(jù)多名半導(dǎo)體業(yè)界消息人士稱，三星繼本季度將nand閃存價(jià)格上調(diào)10至20%后，決定明年第一季度和第二季度也分別上調(diào)20%。三星電子正在努力穩(wěn)定nand閃存價(jià)格，試圖在明年上半年逆轉(zhuǎn)市場(chǎng)。
2023-11-02 10:35:01523 單片機(jī)的存儲(chǔ)器主要有幾個(gè)物理存儲(chǔ)空間
2023-11-01 06:22:38
單片機(jī)的存儲(chǔ)器從物理上可劃分為4個(gè)存儲(chǔ)空間，其存儲(chǔ)器的空間范圍是多少？
2023-11-01 06:20:34
描述AT28C256是一種高性能的電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器。它的256K內(nèi)存由8位的32，768個(gè)字組成。該器件采用Atmel先進(jìn)的非易失性CMOS技術(shù)制造，訪問(wèn)時(shí)間高達(dá)150 ns，功耗僅為440
2023-10-26 10:45:10
大家有誰(shuí)知道AT89C52怎么選擇外部存儲(chǔ)器，我之前用的是P89V51，選擇外部存儲(chǔ)器是定義AUXR=0x02;，但是現(xiàn)在想用AT89C52單片了，程序該怎么改了啊？？AT89C52手??冊(cè)上找不到怎么選擇外部存儲(chǔ)器說(shuō)明，各位高手有誰(shuí)知道啊 ？?
2023-10-26 06:11:25
從2024年第四季度開(kāi)始，DRAM和NAND閃存的價(jià)格將全面上漲，這已經(jīng)導(dǎo)致國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器下游企業(yè)的閃存采購(gòu)成本上漲了近20%，而內(nèi)存采購(gòu)成本上漲了約30%。
2023-10-17 17:13:49793 中芯國(guó)際方面表示：“nand閃存憑借較高的單元密度和存儲(chǔ)器密度、快速使用和刪除速度等優(yōu)點(diǎn)，已成為廣泛使用在閃存上的結(jié)構(gòu)?！蹦壳爸饕糜跀?shù)碼相機(jī)等的閃存卡和mp3播放器。
2023-10-17 09:46:07265 存儲(chǔ)器測(cè)試問(wèn)題怎么才能穩(wěn)定
2023-10-17 06:51:11
據(jù)悉，東京電子新技術(shù)的目標(biāo)是能夠長(zhǎng)時(shí)間儲(chǔ)存數(shù)據(jù)的3d nand閃存。該公司開(kāi)發(fā)了一種新的通道孔蝕刻方法，該方法是將垂直孔快速深插入存儲(chǔ)單元。3D nand的存儲(chǔ)器容量可以通過(guò)將存儲(chǔ)器單元層垂直堆積來(lái)增加，如果層數(shù)增加，就需要性能更高的裝置。
2023-10-16 14:39:49368 據(jù)韓國(guó)貿(mào)易部16日公布的資料顯示，韓國(guó)9月份的nand閃存出口額比去年同期增加了5.6%，但8月份減少了8.9%。存儲(chǔ)器半導(dǎo)體業(yè)界的另一個(gè)支柱——3.3354萬(wàn)dram的出口在同期減少了24.6%。這比上個(gè)月的35.2%有所減少。
2023-10-16 14:17:21244 納米科技的迅猛發(fā)展將我們的視野拓展到了微觀世界，而測(cè)量納米級(jí)尺寸的物體和現(xiàn)象則成為了時(shí)下熱門的研究領(lǐng)域。納米級(jí)測(cè)量?jī)x器作為一種重要的工具，扮演著重要的角色。那么，如何才能準(zhǔn)確測(cè)量納米級(jí)物體
2023-10-12 09:12:161 在納米級(jí)測(cè)量中，由于物體尺寸的相對(duì)較小，傳統(tǒng)的測(cè)量?jī)x器往往無(wú)法滿足精確的要求。而納米級(jí)測(cè)量?jī)x器具備高精度、高分辨率和非破壞性的特點(diǎn)，可以測(cè)量微小的尺寸。納米級(jí)測(cè)量?jī)x器在納米科技研究領(lǐng)域中扮演著重要的角色。通過(guò)共聚焦顯微鏡、光學(xué)輪廓儀等的運(yùn)用，科研人員們能夠更加深入地了解納米世界的奧秘。
2023-10-11 15:23:160 納米科技的迅猛發(fā)展將我們的視野拓展到了微觀世界，而測(cè)量納米級(jí)尺寸的物體和現(xiàn)象則成為了時(shí)下熱門的研究領(lǐng)域。納米級(jí)測(cè)量?jī)x器作為一種重要的工具，扮演著重要的角色。那么，如何才能準(zhǔn)確測(cè)量納米級(jí)物體呢？在
2023-10-11 14:37:46
納米科技的迅猛發(fā)展將我們的視野拓展到了微觀世界，而測(cè)量納米級(jí)尺寸的物體和現(xiàn)象則成為了時(shí)下熱門的研究領(lǐng)域。納米級(jí)測(cè)量?jī)x器作為一種重要的工具，扮演著重要的角色。那么，如何才能準(zhǔn)確測(cè)量納米級(jí)物體呢？在
2023-10-11 13:49:37
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《如何對(duì)STM8S和STM8A閃存程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)EEPROM進(jìn)行編程.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-10-07 16:05:500 怎么隨機(jī)存取存儲(chǔ)器ram中的存儲(chǔ)單元
2023-09-28 06:17:04
隨著信息技術(shù)的飛速發(fā)展，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求日益增長(zhǎng)。作為一種新型的非易失性存儲(chǔ)器，NAND Flash因其高容量、低功耗、高密度等優(yōu)勢(shì)，在各個(gè)領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。本文將對(duì)NAND Flash存儲(chǔ)器的工作原理、結(jié)構(gòu)特點(diǎn)、性能指標(biāo)及應(yīng)用領(lǐng)域進(jìn)行詳細(xì)解析，以期為讀者提供一個(gè)全面的了解。
2023-09-27 18:26:171437 摘要：本文主要對(duì)兩種常見(jiàn)的非易失性存儲(chǔ)器——NAND Flash和NOR Flash進(jìn)行了詳細(xì)的比較分析。從存儲(chǔ)容量、性能、成本等方面進(jìn)行了深入探討，以幫助讀者更好地理解這兩種存儲(chǔ)器的特性和應(yīng)用。
2023-09-27 17:46:06490 本編程手冊(cè)介紹了如何燒寫STM32F101xx、STM32F102xx和STM32F103xx微控制器的閃存存儲(chǔ)器。為方便起見(jiàn)，在本文中出特別說(shuō)明外，統(tǒng)稱它們?yōu)镾TM32F10xxx
2023-09-26 06:18:33
如何檢測(cè)24c存儲(chǔ)器容量
2023-09-25 06:48:32
在SoC中，存儲(chǔ)器是決定性能的另一個(gè)重要因素。不同的SoC設(shè)計(jì)中，根據(jù)實(shí)際需要采用不同的存儲(chǔ)器類型和大小。
2023-09-18 16:22:19325 
)都是獨(dú)立和軟件可配置的 每個(gè)通道都有3個(gè)事件標(biāo)志位DMA半傳輸DMA傳輸完成和DMA傳輸出錯(cuò) 支持存儲(chǔ)器->存儲(chǔ)器外設(shè)->存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器->外設(shè)和外設(shè)-&
2023-09-13 08:06:16
FSMC特性簡(jiǎn)介和FSMC框圖外掛存儲(chǔ)器地址映射
AHB接口
NOR/PSRAM控制器
接口信號(hào)
支持的存儲(chǔ)器和訪問(wèn)方式異步傳輸
同步突發(fā)傳輸
NAND/PC card控制器
接口信號(hào)
·支持的存儲(chǔ)器和訪問(wèn)方式NAND操作
.ECC計(jì)算
.PC card/Compact Flash操作
2023-09-13 06:54:41
系統(tǒng)架構(gòu)
? 多層AHB總線矩陣
? 存儲(chǔ)空間
? 存儲(chǔ)器映射
? 片上SRAM
? 位帶操作
? 片上閃存
? 自適應(yīng)閃存加速器（STM32F2新增）
? 啟動(dòng)模式
? 代碼空間的動(dòng)態(tài)重映射（STM32F2新增）
? 內(nèi)嵌bootloader
2023-09-13 06:20:58
NAND Flash是一種非易失存儲(chǔ)器，也就是掉電不丟失類型，現(xiàn)在我們常見(jiàn)的存儲(chǔ)設(shè)備基本都是NAND Flash，比如U盤、固態(tài)硬盤，手機(jī)存儲(chǔ)等等，電腦傳統(tǒng)硬盤除外。
2023-09-11 14:48:23553 
STM32 F7 概述? STM32總線架構(gòu)和存儲(chǔ)器映射? 總線架構(gòu)? 存儲(chǔ)器映射? Cache? STM32F7性能? Boot模式? 片上閃存(Flash)? 系統(tǒng)配置控制器(SYSCFG)? 復(fù)位和時(shí)鐘控制(RCC)? 電源管理(PWR)
2023-09-08 06:53:32
Nand Flash存儲(chǔ)器是Flash存儲(chǔ)器的一種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了高性價(jià)比、高性能的解決方案。Nand Flash存儲(chǔ)器具有容量較大、改寫速度快等優(yōu)點(diǎn)
2023-09-05 18:10:011621 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《云優(yōu)化性能：使用基于閃存的存儲(chǔ)的I/O密集型工作負(fù)載.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-08-28 10:04:340 NAND閃存作為一種非易失性存儲(chǔ)介質(zhì)，憑借其功耗低、重量輕、性能佳和斷電后仍然能保存數(shù)據(jù)等特點(diǎn)，成為比硬盤驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)設(shè)備，非常適合作為便攜設(shè)備的存儲(chǔ)器來(lái)使用。 固態(tài)硬盤（Solid State
2023-08-22 18:25:03253 
三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存 存儲(chǔ)領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)愈加激烈，三星電子計(jì)劃在2023年正式生產(chǎn)第9代V-NAND閃存，三星第9代V-NAND閃存
2023-08-21 18:30:53281 庫(kù)的慢-慢工藝點(diǎn)對(duì)塊進(jìn)行合成，以200 MHz的目標(biāo)速度確認(rèn)時(shí)序特性。
接口存儲(chǔ)器端口上的信號(hào)符合RAM編譯器為TSMC CL013G工藝技術(shù)生產(chǎn)的單端口同步存儲(chǔ)器組件所要求的時(shí)序要求
2023-08-21 06:55:33
消息人士補(bǔ)充說(shuō)：“盡管nand閃存價(jià)格上漲，但中國(guó)存儲(chǔ)器模塊企業(yè)最近停止了價(jià)格供應(yīng)和訂單。預(yù)計(jì)不久就會(huì)上調(diào)價(jià)格，因此模塊企業(yè)計(jì)劃將價(jià)格上調(diào)8至10%。”
2023-08-18 09:47:25285 技術(shù)，每種技術(shù)都具有不同的特性和高級(jí)功能。雙數(shù)據(jù)速率 (DDR) 同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (SDRAM) 已成為主系統(tǒng)存儲(chǔ)器最主流的存儲(chǔ)器技術(shù)，因?yàn)樗褂秒娙萜髯鳛?b class="flag-6" style="color: red">存儲(chǔ)元件來(lái)實(shí)現(xiàn)高密度和簡(jiǎn)單架構(gòu)、低延遲和高性能、無(wú)限存取耐力和低功耗。
2023-08-17 09:54:20413 
三星已經(jīng)減少了主要nand閃存生產(chǎn)基地的晶圓投入額。這就是韓國(guó)的平澤、華城和中國(guó)的西安。業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為，三星的nand閃存產(chǎn)量可能會(huì)減少10%左右。但在今年4月公布的2023年q1業(yè)績(jī)中，由于市場(chǎng)持續(xù)低迷，三星電子正式公布了存儲(chǔ)器減產(chǎn)計(jì)劃。
2023-08-16 10:23:58423 在當(dāng)今科技時(shí)代，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求急劇增長(zhǎng)，NAND?閃存技術(shù)作為一種關(guān)鍵的非易失性存儲(chǔ)解決方案持續(xù)發(fā)展。近年來(lái)，虛擬 SLC（pSLC）閃存技術(shù)的引入，為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)領(lǐng)域帶來(lái)了新的創(chuàng)新。本文將探討 pSLC
2023-08-02 15:16:593365 
在當(dāng)今科技時(shí)代，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求急劇增長(zhǎng)，NAND閃存技術(shù)作為一種關(guān)鍵的非易失性存儲(chǔ)解決方案持續(xù)發(fā)展。近年來(lái)，虛擬SLC（pSLC）閃存技術(shù)的引入，為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)領(lǐng)域帶來(lái)了新的創(chuàng)新。本文將探討pSLC閃存
2023-08-02 08:15:35790 
AHB MC是一種符合高級(jí)微控制器總線體系結(jié)構(gòu)（AMBA）的片上系統(tǒng)（SoC）外圍設(shè)備。它由ARM有限公司開(kāi)發(fā)、測(cè)試和許可。
AHB MC利用了新開(kāi)發(fā)的動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器控制器（DMC）和靜態(tài)存儲(chǔ)器控制器
2023-08-02 06:26:35
當(dāng)前，伴隨千行百業(yè)的數(shù)字化轉(zhuǎn)型，由服務(wù)器、存儲(chǔ)、網(wǎng)絡(luò)等組成的數(shù)據(jù)中心，作為支撐數(shù)字化轉(zhuǎn)型的基礎(chǔ)，迎來(lái)高速發(fā)展。關(guān)于存儲(chǔ)，NAND全閃介質(zhì)的SSD固態(tài)硬盤因其高性能、高可靠、低能耗的特點(diǎn)，可滿足人們
2023-08-01 16:35:03276 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是當(dāng)今電子設(shè)備的核心組件，從智能手機(jī)到高性能計(jì)算機(jī)，幾乎所有設(shè)備都需要某種形式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。根據(jù)應(yīng)用需求和工作原理，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可以分為兩大類：內(nèi)存和閃存。本文將介紹這兩大類存儲(chǔ)器的種類和工作原理。
2023-07-31 09:57:32598 
手機(jī)“性能鐵三角”——SoC、運(yùn)行內(nèi)存、閃存決定了一款手機(jī)的用戶體驗(yàn)和定位，其中存儲(chǔ)器性能和容量對(duì)用戶體驗(yàn)的影響越來(lái)越大。
2023-07-27 17:01:33557 對(duì) NAND 存儲(chǔ)器的需求也大幅增加。從移動(dòng)或便攜式固態(tài)硬盤到數(shù)據(jù)中心，從企業(yè)固態(tài)硬盤再到汽車配件， NAND 閃存的應(yīng)用領(lǐng)域和使用場(chǎng)景愈發(fā)多樣化，各種要求也隨之出現(xiàn)，常見(jiàn)的譬如更高的讀寫速度、最大化的存儲(chǔ)容量、更低的功耗和更低的成本等等
2023-07-24 14:45:03424 
基于232層3D TLC NAND閃存的美光UFS 4.0模塊能效提升25% 此前美光推出了其首個(gè)UFS 4.0移動(dòng)存儲(chǔ)解決方案，采用了232層3D TLC NAND閃存；速度提升很大，可以達(dá)到最高
2023-07-19 19:02:21864 NAND閃存是一種電壓原件，靠其內(nèi)存電壓來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。
2023-07-12 09:43:211444 
閃存存儲(chǔ)設(shè)備：NAND芯片作為主要的閃存存儲(chǔ)媒介，被廣泛用于固態(tài)硬盤（SSD）、USB閃存驅(qū)動(dòng)器、內(nèi)存卡（如SD卡、MicroSD卡）和閃存盤等。
2023-06-28 16:25:495200 全棧式信號(hào)鏈芯片供應(yīng)商列拓科技Leto宣布，最新推出高性能、高閃存、低功耗微控制器芯片LTM32F103ZET6。 LTM32F103ZET6芯片使用ARM 32位Cortex-M3內(nèi)核，最高
2023-06-26 14:12:19793 
8 存儲(chǔ)器 8.4 片上閃存 RA6 MCU具有兩部分閃存：代碼閃存和數(shù)據(jù)閃存，各部分的大小和擦寫周期數(shù)因器件而異。閃存控制單元 (FCU) 控制閃存的編程和擦除。閃存應(yīng)用程序命令接口 (FACI
2023-06-26 12:10:03375 
制造、設(shè)計(jì)或啟用NAND閃存的公司組成的行業(yè)工作組,主要是Intel和鎂光。致力于簡(jiǎn)化NAND閃存集成到消費(fèi)電子產(chǎn)品、計(jì)算平臺(tái)和任何其他需要固態(tài)大容量存儲(chǔ)的應(yīng)用程序中。為NAND閃存定義標(biāo)準(zhǔn)化的組件
2023-06-21 17:36:325865 
該控制器訪問(wèn)連接到外部存儲(chǔ)器總線的SDRAM器件。程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器共用地址空間；使用單獨(dú)的總線分別訪問(wèn)這兩個(gè)存儲(chǔ)器，從而提高性能并允許在同一個(gè)周期訪問(wèn)程序和數(shù)據(jù)。存儲(chǔ)器映射中包含片上RAM、外設(shè)
2023-06-21 12:15:03421 
珠海創(chuàng)飛芯科技有限公司作為國(guó)內(nèi)首家一站式非易失存儲(chǔ)IP 供應(yīng)商，將先進(jìn)的OTP（一次性可編程存儲(chǔ)器）、NOR閃存和NAND SLC（單層單元）閃存技術(shù)推向市場(chǎng)。此外，創(chuàng)飛芯還為IP產(chǎn)品組合提供OTP
2023-06-15 15:44:541283 3D NAND閃存是一種把內(nèi)存顆粒堆疊在一起解決2D或平面NAND閃存限制的技術(shù)。這種技術(shù)垂直堆疊了多層數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元，具備卓越的精度，可支持在更小的空間內(nèi)，容納更高的存儲(chǔ)容量，從而有效節(jié)約成本、降低能耗，以及大幅度地提升性能。
2023-06-15 09:37:561727 
內(nèi)存和NOR型閃存的基本存儲(chǔ)單元是bit，用戶可以隨機(jī)訪問(wèn)任何一個(gè)bit的信息。而NAND型閃存的基本存儲(chǔ)單元是頁(yè)（Page）（可以看到，NAND型閃存的頁(yè)就類似硬盤的扇區(qū)，硬盤的一個(gè)扇區(qū)也為512
2023-06-10 17:21:001982 NAND 存儲(chǔ)器制造商三星和 SK 海力士已尋求將 NAND 閃存價(jià)格提高 3%-5% 以試探市場(chǎng)反應(yīng)，并表示 NAND 閃存的價(jià)格已降至可變成本以下。 ? 2. 日媒：蘋果Vision Pro 給電子
2023-06-09 12:01:041114 
4 選項(xiàng)設(shè)置存儲(chǔ)器 選項(xiàng)設(shè)置存儲(chǔ)器用于確定復(fù)位后MCU的狀態(tài)。該存儲(chǔ)器分配在閃存中的配置設(shè)置區(qū)域和程序閃存區(qū)域。這兩個(gè)區(qū)域的可用設(shè)置方法不同。Cortex-M33內(nèi)核MCU的選項(xiàng)設(shè)置存儲(chǔ)器可能具有
2023-06-08 17:00:04411 
為了進(jìn)行性能比較，使用了三種不同的存儲(chǔ)芯片，即Everspin EM064LX 64Mib STT‐MRAM、Micron MT25Q 128Mib NOR閃存和Micron MT29F 1Gib SLC NAND閃存。
2023-05-31 17:14:24788 
以更低的成本獲得更高的存儲(chǔ)性能可能會(huì)在存儲(chǔ)設(shè)備的設(shè)計(jì)中造成瓶頸。為了實(shí)現(xiàn)更高的性能，設(shè)備必須使用片上DRAM，這增加了總體成本。這就是統(tǒng)一內(nèi)存擴(kuò)展（UME），JEDEC規(guī)范的出現(xiàn)。它被定義為 JEDEC UFS（通用閃存）規(guī)范的擴(kuò)展。JEDEC UFS設(shè)備使用NAND閃存技術(shù)進(jìn)行數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。
2023-05-26 14:22:28673 
NAND閃存上的位密度隨著時(shí)間的推移而變化。早期的NAND設(shè)備是單層單元（SLC）閃存。這表明每個(gè)閃存單元存儲(chǔ)一個(gè)位。使用多層單元（MLC），閃存可以為每個(gè)單元存儲(chǔ)兩個(gè)或更多位，因此位密度會(huì)增加
2023-05-25 15:36:031193 
在單板設(shè)計(jì)中，無(wú)論是涉及到一個(gè)簡(jiǎn)易的CPU、MCU小系統(tǒng)或者是復(fù)雜的單板設(shè)計(jì)，都離不開(kāi)存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)：1、存儲(chǔ)器介紹存儲(chǔ)器的分類大致可以劃分如下：ROM和RAM指的都是半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，ROM在系統(tǒng)停止供電
2023-05-19 17:04:36766 
flash中運(yùn)行。嵌入式系統(tǒng)多用一個(gè)小容量的nor flash存儲(chǔ)引導(dǎo)代碼，用一個(gè)大容量的nand flash存放文件系統(tǒng)和內(nèi)核。
1.2 存儲(chǔ)器RAM介紹
RAM有兩大類，一種稱為靜態(tài)RAM（Static
2023-05-19 15:59:37
Flash的容量往往較小。NOR設(shè)備在每次寫操作時(shí)都必須以塊的方式寫入數(shù)據(jù)。并行NOR閃存利用靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)快速訪問(wèn)芯片的可尋址區(qū)域，實(shí)現(xiàn)了存儲(chǔ)字節(jié)的快速訪問(wèn)。與NAND Flash相比
2023-05-18 14:13:37
單片機(jī)的程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器共處同一地址空間為什么不會(huì)發(fā)生總線沖突呢？
2023-05-10 15:17:56
極高的運(yùn)動(dòng)定位精度和穩(wěn)定性，在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)中具有著非常廣泛的應(yīng)用。在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的領(lǐng)域，通常需要壓電納米定位臺(tái)來(lái)實(shí)現(xiàn)納米甚至亞納米級(jí)別的運(yùn)動(dòng)控制精度。 壓電納米定位臺(tái)用于讀寫頭的高精度調(diào)節(jié) 壓電納米定位臺(tái)可以在光盤數(shù)據(jù)存儲(chǔ)
2023-04-26 16:23:02431 
白光干涉儀和激光共聚焦顯微鏡同為微納米級(jí)表面光學(xué)分析儀器，都具有非接觸式、高速度測(cè)量、高穩(wěn)定性的特點(diǎn)，都有表征微觀形貌的輪廓尺寸測(cè)量功能，適用范圍廣，可測(cè)多種類型樣品的表面微細(xì)結(jié)構(gòu)
2023-04-20 14:38:431595 
我正在嘗試啟動(dòng) IMX6ULL NAND 閃存。供您參考，我使用 buildroot 2018_11_4 成功啟動(dòng)了 IMX6ULL NAND 閃存。（uboot 4.15 和 linux 4.15
2023-04-20 07:55:17
本章教程講解DMA存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器模式。存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器模式可以實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)在兩個(gè)內(nèi)存的快速拷貝。程序中，首先定義一個(gè)靜態(tài)的源數(shù)據(jù)，存放在內(nèi)部 FLASH，然后使用DMA傳輸把源數(shù)據(jù)拷貝到目標(biāo)地址上（內(nèi)部SRAM），最后對(duì)比源數(shù)據(jù)和目標(biāo)地址的數(shù)據(jù)，判斷傳輸是否準(zhǔn)確。
2023-04-17 15:28:08
存儲(chǔ)設(shè)備，包括Flash和EEPROM。一、Flash和EEPROM之間的差異Flash和EEPROM均被視為非易失性存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器意味著該設(shè)備能夠保存數(shù)據(jù)且無(wú)需持續(xù)供電，即使關(guān)閉電源也能保存
2023-04-07 16:42:42
自旋注入MRAM在功能方面兼具了DRAM及NAND閃存等現(xiàn)有存儲(chǔ)器的優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)在性能方面又超過(guò)了現(xiàn)有幾乎所有的存儲(chǔ)器，因此有可能會(huì)贏得巨大的市場(chǎng)(見(jiàn)表1)。具體在功能方面，自旋注入MRAM與閃存一樣
2023-04-07 16:41:05
這兩個(gè)存儲(chǔ)器，從而提高性能并允許在同一個(gè)周期訪問(wèn)程序和數(shù)據(jù)。存儲(chǔ)器映射中包含片上RAM、外設(shè)I/O寄存器、程序ROM、數(shù)據(jù)閃存和外部存儲(chǔ)器區(qū)域。 圖13. RA2A1存儲(chǔ)器映射 7.1 SRAM
2023-04-06 16:45:03466 除了SPI這種串行接口比較受存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)廠商的歡迎，還有比如由samsung和toshiba設(shè)計(jì)的Toggle NAND Interface，也被稱為 Asynchronous DDR NAND
2023-04-04 15:16:19763 
我們正在嘗試將內(nèi)部 ROM 閃存用作 LPC 1768、LPC 55S16 中的輔助存儲(chǔ)器（而不是 EEPROM）。是否可以將 FLASH 用作輔助存儲(chǔ)器，如果可能，我們?nèi)绾问褂?。?qǐng)指導(dǎo)我們實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)
2023-04-04 08:16:50
我們之前見(jiàn)過(guò)的閃存多屬于Planar NAND平面閃存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 閃存，顧名思義，就是它是立體堆疊的，Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高樓大廈，建筑面積一下子就多起來(lái)了，理論上可以無(wú)線堆疊。
2023-03-30 14:02:392147 大家好， 我正在研究 IMXRT1176，我對(duì)內(nèi)存使用有一些疑問(wèn)： XIP 是否通過(guò) QSPI 支持 NAND 閃存？如果 IMXRT1170 從 NAND 閃存啟動(dòng)，則加載程序必須將應(yīng)用程序復(fù)制到
2023-03-29 07:06:44
并行NOR閃存嵌入式存儲(chǔ)器
2023-03-24 14:01:23
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