你 IGBT7 S7和T7系列主要面向需要短路電流能力的應(yīng)用，例如馬達(dá)驅(qū)動(dòng)。該系列可實(shí)現(xiàn)更高的功率輸出以及更高的功率密度，無需重新設(shè)計(jì)散熱器，縮短設(shè)計(jì)周期和降低設(shè)計(jì)成本。 H7采用最新型微溝槽柵技術(shù)，通過優(yōu)化元胞結(jié)構(gòu)，極大程度上降低了器件
2024-03-13 15:14:54
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意法半導(dǎo)體（ST）近日推出了一系列功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器，這些產(chǎn)品不僅在設(shè)計(jì)上追求穩(wěn)健性和可靠性，還致力于提供高度的系統(tǒng)集成性和靈活性，以滿足不同應(yīng)用場景的需求。
2024-03-12 10:54:43224 近日，全球知名的半導(dǎo)體及組件制造商Vishay宣布推出五款新型半橋IGBT功率模塊，這些模塊采用了經(jīng)過改良設(shè)計(jì)的INT-A-PAK封裝。新款產(chǎn)品系列包括VS-GT100TS065S
2024-03-12 10:29:3891 隨著人工智能（AI）技術(shù)的飛速發(fā)展，全球數(shù)據(jù)生成量呈現(xiàn)出爆炸式增長，進(jìn)而推動(dòng)了芯片對能源需求的急劇上升。在這一背景下，英飛凌科技近日宣布推出TDM2254xD系列雙相功率模塊，旨在為AI數(shù)據(jù)中心提供卓越的功率密度、質(zhì)量和總體成本（TCO）優(yōu)化方案。
2024-03-12 09:58:24226 隨著人工智能（AI）技術(shù)的飛速發(fā)展，全球數(shù)據(jù)生成量呈現(xiàn)爆發(fā)式增長，進(jìn)而推動(dòng)數(shù)據(jù)中心對高效、可靠且成本優(yōu)化的功率解決方案的需求日益增長。為滿足這一市場需求，英飛凌科技近日正式推出TDM2254xD系列雙相功率模塊，旨在為AI數(shù)據(jù)中心提供卓越的基準(zhǔn)性能，并有效降低總體擁有成本。
2024-03-12 09:44:23116 Vishay近期發(fā)布五款新型半橋IGBT功率模塊，其改良設(shè)計(jì)的INT-A-PAK封裝備受矚目。這五款器件，包括VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S等，均運(yùn)用Vishay領(lǐng)先
2024-03-08 11:45:51266 英飛凌新推出的IGBT7單管系列市場熱度不減，本文為大家整理針對該產(chǎn)品系列的常見問題，一看就懂，牢牢碼住!直播回放鏈接獲取IGBT7都通過了哪些可靠性測試？答：IGBT不論單管和模塊都需要通過
2024-03-05 08:17:27111 
開關(guān) IGBT 和 CoolSiC 肖特基二極管。中國領(lǐng)先的新能源汽車功率電子和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器制造商深圳威邁斯新能源股份有限公司（VMAX）將這款器件用于其下一代6.6 kW OBC/DCDC車載充電器
2024-03-04 11:20:52128 
英飛凌IGBT7單管系列，作為目前炙手可熱的光儲(chǔ)應(yīng)用新星產(chǎn)品，正受到眾多玩家的追捧。本篇文章特地為大家貼心整理該系列產(chǎn)品的核心知識(shí)大全，希望大家買得放心，用得順手~更全型號(hào)選擇，總有一款適合
2024-02-23 08:13:15154 IGBT器件的結(jié)構(gòu)和工作原理
2024-02-21 09:41:59284 
什么是IGBT的退飽和？為什么IGBT會(huì)發(fā)生退飽和現(xiàn)象？ IGBT是一種高性能功率半導(dǎo)體器件，結(jié)合了MOSFET和BJT的優(yōu)點(diǎn)。它在高電壓和高電流應(yīng)用中具有低開啟電阻、低導(dǎo)通壓降和高開關(guān)速度等優(yōu)點(diǎn)
2024-02-19 14:33:28472 IGBT過流和短路故障的區(qū)別? IGBT是絕緣柵雙極型晶體管的縮寫，是一種半導(dǎo)體功率開關(guān)器件。在工業(yè)和電力領(lǐng)域廣泛應(yīng)用，常常用于高壓、高電流的開關(guān)電源和逆變器中。然而，由于各種原因，IGBT有可能
2024-02-18 11:05:32274 IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）是一種半導(dǎo)體功率器件。它結(jié)合了MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）和雙極型晶體管的特性。
2024-02-06 10:47:041016 Field-Effect Transistor）的控制性能，又具有異質(zhì)結(jié)的管子功率特性。IGBT也是一個(gè)開關(guān)器件，可以在高電壓和高電流條件下工作，并且被廣泛應(yīng)用于各種電力電子設(shè)備中。 IGBT由三個(gè)主要區(qū)域組成
2024-02-01 13:59:45447 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種功率半導(dǎo)體器件，結(jié)合了絕緣柵場效應(yīng)晶體管（MOSFET）和雙極型晶體管（BJT）的特點(diǎn)。IGBT被廣泛應(yīng)用于電力
2024-01-22 11:14:57269 元件完成電路的升降壓嗎？尤其是在同步整流中，前級輸入有LCL濾波裝置，LCL僅僅起到一個(gè)濾波的作用嗎，對整流的升降壓有沒有起到作用，低壓三相380同步整流輸出電壓范圍510-710V左右。
此時(shí)的功率器件是采用MOSFET還是IGBT什么的?
2024-01-17 16:26:41
IGBT是一種高性能功率半導(dǎo)體器件，常用于驅(qū)動(dòng)大功率負(fù)載的電路中。 一、IGBT的工作原理 IGBT是由MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）和BJT（雙極型晶體管）兩個(gè)器件構(gòu)成。它結(jié)合
2024-01-12 14:43:521673 IGBT高壓開關(guān)的優(yōu)點(diǎn)說明 IGBT是一種高壓開關(guān)器件，它結(jié)合了 MOSFET和BJT的優(yōu)點(diǎn)，具有許多獨(dú)特的優(yōu)勢。在本文中，我們將詳細(xì)地探討IGBT的優(yōu)點(diǎn)，以便更好地理解其在不同領(lǐng)域的應(yīng)用。 首先
2024-01-04 16:35:47787 英飛凌，全球半導(dǎo)體技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者，于2023年12月23日榮獲了年度國際功率器件行業(yè)卓越獎(jiǎng)，其獲獎(jiǎng)產(chǎn)品為160V MOTIX?三相柵極驅(qū)動(dòng)器IC。這一榮譽(yù)充分體現(xiàn)了英飛凌在寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)和創(chuàng)新方面的杰出貢獻(xiàn)。
2024-01-03 15:32:19319 逆變電路中的功率開關(guān)器件是實(shí)現(xiàn)直流電轉(zhuǎn)換為交流電的關(guān)鍵元件，其主要作用是在控制信號(hào)的作用下，將直流電源輸出的電能轉(zhuǎn)換為交流電能。在逆變電路中，功率開關(guān)器件的性能直接影響到整個(gè)逆變器的效率、可靠性
2023-12-30 17:02:00702 英飛凌是全球半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者，12月23日，英飛凌160VMOTIX三相柵極驅(qū)動(dòng)器IC獲得年度國際功率器件行業(yè)卓越獎(jiǎng)。本次評獎(jiǎng)活動(dòng)由世紀(jì)電源網(wǎng)舉辦，旨在通過客觀、真實(shí)、公開的評選方式，評選
2023-12-30 08:14:04173 英飛凌推出業(yè)內(nèi)首款采用全新 OptiMOS 7 技術(shù)的 15 V 溝槽功率 MOSFET。這項(xiàng)技術(shù)經(jīng)過系統(tǒng)和應(yīng)用優(yōu)化，主要應(yīng)用于服務(wù)器和計(jì)算應(yīng)用中的低輸出電壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換。英飛凌是首家推出15
2023-12-29 12:30:49362 
眾所周知，IGBT失效是IGBT應(yīng)用中的難題。大功率IGBT作為系統(tǒng)中主電路部分的開關(guān)器件，失效后將直接導(dǎo)致系統(tǒng)癱瘓。宇宙射線作為一個(gè)無法預(yù)知的因素，可能就是導(dǎo)致IGBT發(fā)生意外故障的關(guān)鍵。
2023-12-27 09:39:34671 
開關(guān)器件。雖然它們的名稱相似，但在構(gòu)造、原理和應(yīng)用方面存在一些不同之處。 結(jié)構(gòu)與構(gòu)造差異： IGBT是一種由晶體管和MOSFET結(jié)合而成的雙極型功率開關(guān)器件。它由三個(gè)控制結(jié)構(gòu)——門級結(jié)、PN結(jié)和PNP
2023-12-25 15:09:09399 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種電力開關(guān)裝置，常被用于控制大電流和高電壓的電力設(shè)備。IGBT軟開關(guān)和硬開關(guān)是兩種不同的IGBT工作模式，它們在開關(guān)
2023-12-21 17:59:32658 IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) 和二極管是電子設(shè)備中常見的兩種功率開關(guān)器件。它們在許多應(yīng)用中起著關(guān)鍵作用，主要用于交流電轉(zhuǎn)換、能量轉(zhuǎn)換和電流控制
2023-12-19 09:56:33566 半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上
2023-12-18 09:40:221150 
是一種重要的關(guān)鍵技術(shù)，被廣泛應(yīng)用于能源轉(zhuǎn)換和能量控制系統(tǒng)中。 首先，我們來了解一下什么是IGBT模塊。IGBT模塊是一種功率半導(dǎo)體器件，是繼MOSFET和BJT之后的第三代功率開關(guān)器件。它具有低導(dǎo)通壓降、高開關(guān)速度和高耐受電壓的特點(diǎn)，適用于高
2023-12-07 16:45:21469 igbt的作用和功能? IGBT，即絕緣柵雙極型晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor），是一種用于功率電子器件中的雙極型晶體管。IGBT 融合了絕緣
2023-12-07 16:32:552936 這篇文章是英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體微信公眾號(hào)系列原創(chuàng)文章第205篇，IGBT單管數(shù)據(jù)手冊參數(shù)解析（下）
2023-12-06 11:56:43
17 這篇文章是《英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體》系列原創(chuàng)文章的第204篇，IGBT單管數(shù)據(jù)手冊參數(shù)解析（上）
2023-12-06 11:54:3924 模塊系列新添全新工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝產(chǎn)品。其采用成熟的62 mm 器件半橋拓?fù)湓O(shè)計(jì)并基于新推出的增強(qiáng)型M1H 碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)。該封裝使SiC能夠應(yīng)用于250 kW以上的中等功率等級應(yīng)用，而傳統(tǒng)
2023-12-05 17:03:49446 
這里，我們只關(guān)注IGBT芯片自身的短路，不考慮合封器件中并聯(lián)的二極管或者是RC-IGBT的寄生二極管。
2023-12-05 16:22:312602 
英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）近日宣布其CoolSiC1200V和2000VMOSFET模塊系列新添全新工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝產(chǎn)品。其采用新推出的增強(qiáng)型M1H碳化硅
2023-12-02 08:14:01310 IGBT 屬于功率半導(dǎo)體器件, 在新能源汽車領(lǐng)域, IGBT 作為電子控制系統(tǒng)和直流充電樁的核心器件, 直接影響電動(dòng)汽車的動(dòng)力釋放速度,車輛加速能力和高速度.IGBT 功率器件作用新能源汽車應(yīng)用中
2023-12-01 15:48:31
高壓功率器件的開關(guān)技術(shù)簡單的包括硬開關(guān)技術(shù)和軟開關(guān)技術(shù)
2023-11-24 16:09:22534 
國內(nèi)各家（英飛凌、安森美）車載IGBT的產(chǎn)品性能上的對比情況車載IGBT分為幾個(gè)層級，主要分為A0/A00級以下，A級車，還有一些專用車?yán)缥锪骱痛蟀蛙?。?015年以前是沒有IGBT車規(guī)級的說法
2023-11-23 16:48:00556 
英飛凌IGBT模塊命名規(guī)則
2023-11-23 09:09:36527 
英飛凌IGBT單管命名規(guī)則
2023-11-23 09:09:35646 
功率電子器件是PCS的核心組成部分，主要實(shí)現(xiàn)電能的轉(zhuǎn)換和控制。而IGBT就是最為常用的功率器件，今天我們主要來學(xué)習(xí)IGBT。
2023-11-22 09:42:50513 
英飛凌科技推出分立式650VIGBT7H7新品，進(jìn)一步擴(kuò)展其TRENCHSTOPIGBT7產(chǎn)品陣容。全新器件配新一代發(fā)射極控制的EC7續(xù)流二極管，以滿足對環(huán)保和高效電源解決方案日益增長的需求
2023-11-21 08:14:06255 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《隔離驅(qū)動(dòng)IGBT等功率器件的技巧.doc》資料免費(fèi)下載
2023-11-14 14:21:590 MOSFET、IGBT、二極管等功率器件中起通流和開關(guān)作用的均是功率器件的有源區(qū)，那為什么還要在周圍設(shè)計(jì)一圈終端區(qū)浪費(fèi)芯片的一部分面積呢
2023-11-14 10:05:23560 
igbt芯片、igbt單管、igbt模塊、igbt器件等這些的區(qū)別是什么？ IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種高壓、高電流功率半導(dǎo)體器件，常被用于
2023-11-10 14:26:281260 波老師那個(gè)年代上大學(xué)都是自己攢機(jī)裝電腦，買CPU先問主頻多少Hz？后來買手機(jī)也是，先看幾個(gè)核，再看主頻...所以估計(jì)大家都也差不多，都烙下病根兒了。 可是IGBT是個(gè)功率器件，它的開關(guān)頻率上限并不是一個(gè)確定的值。
2023-11-10 09:38:461093 
開關(guān)器件，常用于控制高電壓和高電流的電力電子設(shè)備中。IGBT短路測試是在IGBT生產(chǎn)和維修過程中常用的一項(xiàng)關(guān)鍵測試，旨在檢測IGBT是否存在電路短路故障。 IGBT短路測試平臺(tái)是一種用于進(jìn)行IGBT
2023-11-09 09:18:291042 功率器件分為泛材類器件與IGBT器件兩類，IGBT器件是開關(guān)器件，優(yōu)勢在于體積小、壽命長、可靠性高，現(xiàn)在市場上使用程度最大的是第4代器件，全球龍頭企業(yè)為英飛凌，其現(xiàn)在的IGBT器件為商業(yè)化的第七代，主要應(yīng)用于乘用車、光伏和風(fēng)電能源領(lǐng)域。
2023-11-08 11:49:33282 11月2日，英飛凌科技的TRENSTOPIGBT71200V系列憑借其卓越的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域，榮獲2023年Aspencore電子成就獎(jiǎng)
2023-11-04 08:14:47248 英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX：IFNNY）推出分立式650V IGBT7 H7新品，進(jìn)一步擴(kuò)展其第七代TRENCHSTOP? IGBT產(chǎn)品陣容。全新器件配備尖端的EC7
2023-11-03 11:40:49644 
IGBT模塊（Insulated Gate Bipolar Transistor Module）是一種集成了多個(gè)IGBT芯片、驅(qū)動(dòng)電路、保護(hù)電路等功能的模塊化電子元件。它是一種用于高功率電力電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件，常用于高壓、高電流的交流/直流變換器、逆變器和直流/直流變換器中。
2023-10-27 11:40:052492 
IGBT元器件旁路連接的反向二極管起什么作用？ IGBT是絕緣柵雙極型晶體管，它是一種強(qiáng)大的電力開關(guān)元件，廣泛用于各種交流和直流電力電子應(yīng)用中。IGBT的前向?qū)ㄌ匦灶愃朴趩尉w管，而其反向阻止特性
2023-10-22 11:33:561063 igbt可以反向?qū)▎幔咳绾慰刂?b class="flag-6" style="color: red">igbt的通斷？ IGBT 是 Insulated Gate Bipolar Transistor 隔離柵雙極晶體管的縮寫，是一種功率半導(dǎo)體器件。IGBT 可以用
2023-10-19 17:08:051887 及IC，目前已形成IGBT、MOSFET、SCR、SBD、IPM、FRD、BJT等為營銷主線的系列產(chǎn)品，產(chǎn)品種類基本覆蓋功率半導(dǎo)體器件全部范圍，廣泛應(yīng)用于汽車電子、電力電子、光伏逆變、工業(yè)控制與LED
2023-10-16 11:00:14
英飛凌如何控制和保證基于 SiC 的功率半導(dǎo)體器件的可靠性
2023-10-11 09:35:49686 
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是絕緣柵雙極晶體管的簡稱，其由雙極結(jié)型晶體管(BJT)和金屬氧化物場效應(yīng)晶體管(MOSFET)組成，是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式開關(guān)功率半導(dǎo)體器件，是實(shí)現(xiàn)電能轉(zhuǎn)換的核心器件，也是目前MOS-雙極型功率器件的主要發(fā)展方向之一。
2023-09-22 16:54:103325 
IGBT 功率模塊的開關(guān)特性是由它的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，內(nèi)部的寄生電容和內(nèi)部和外接的電阻決定的。
2023-09-22 09:06:14432 
IGBT 屬于功率半導(dǎo)體器件, 在新能源汽車領(lǐng)域, IGBT 作為電子控制系統(tǒng)和直流充電樁的核心器件, 直接影響電動(dòng)汽車的動(dòng)力釋放速度, 車輛加速能力和高速度.
2023-09-14 15:17:04358 近年來，新型功率開關(guān)器件IGBT(圖1)已逐漸被人們所認(rèn)識(shí)，IGBT是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件(圖2)，IGBT
2023-09-11 10:42:41907 
功率器件IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor的縮寫。當(dāng)然功率半導(dǎo)體元件除了IGBT之外，還有MOSFET、BIPOLAR等，這些都能用來作為半導(dǎo)體開關(guān)，今天單說IGBT的工藝流程。
2023-09-07 09:55:521082 
功率器件在工業(yè)應(yīng)用中的解決方案，議程分為：功率分立器件概覽 、 IGBT產(chǎn)品3、高壓MOSFET 、 碳化硅Mosfet、碳化硅二極管和整流器、氮化鎵PowerGaN、工業(yè)電源中的應(yīng)用和總結(jié)八個(gè)部分。
2023-09-05 06:13:28
功率半導(dǎo)體器件在現(xiàn)代電力控制和驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中發(fā)揮著重要作用。IGBT模塊和IPM模塊是其中兩個(gè)最為常見的器件類型。它們都可以用于控制大功率負(fù)載和驅(qū)動(dòng)電機(jī)等應(yīng)用，但是它們的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和功能有所不同，那么
2023-09-04 16:10:494672 
igbt反向并聯(lián)二極管作用 IGBT是一種強(qiáng)勁的功率半導(dǎo)體器件，被廣泛應(yīng)用于高電壓、高電流和高速開關(guān)的領(lǐng)域。與傳統(tǒng)的大功率晶體管相比，IGBT能夠提供更高的功率密度，同時(shí)也具有更高的效率和更低
2023-08-29 10:25:571118 深圳市薩科微半導(dǎo)體公司公司，是以研究制造第三代半導(dǎo)體新材料碳化硅功率器件元器件發(fā)展起來的公司，薩科微slkoric于2022年獲授“國家級高新技術(shù)企業(yè)”，原始取得關(guān)于MOS管、IGBT管、元器件封測
2023-08-26 13:56:28286 
Infineon(英飛凌)作為一家全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案提供商，其IGBT管產(chǎn)品在市場上備受矚目。下面將介紹英飛凌IGBT管前10熱門型號(hào):一、英飛凌IGBT管前10熱門
2023-08-25 16:58:531477 
igbt功率管怎么檢測好壞？ 簡介： 隨著電力電子技術(shù)越來越先進(jìn)和高效，IGBT已成為工業(yè)應(yīng)用的熱門選擇。IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種三端半導(dǎo)體器件，支持高電壓和高電流應(yīng)用，同時(shí)提供快速開關(guān)
2023-08-25 15:03:352090 igbt的優(yōu)缺點(diǎn)介紹 IGBT的優(yōu)缺點(diǎn)介紹 IGBT是一種晶體管，是MOSFET和BJT集成而成的開關(guān)，具有高速開關(guān)能力和較低的導(dǎo)通電阻，用于高效率的功率調(diào)節(jié)。IGBT具有一些優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)，下面將詳細(xì)
2023-08-25 15:03:293998 代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）于近日宣布推出全新的TEGRION?系列安全控制器，這是英飛凌迄今為止最廣泛的28 nm安全控制器產(chǎn)品組合。該系列安全控制器集成了全新的Integrity
2023-08-21 14:32:22514 
摘要: 針對傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)超結(jié) IGBT 器件在大電流應(yīng)用時(shí)的電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)較弱，削弱了 IGBT 器
件低飽和導(dǎo)通壓降優(yōu)點(diǎn)的問題，設(shè)計(jì)了 p 柱浮空的超結(jié) IGBT 器件 ( FP-SJ-IGBT
2023-08-08 10:20:000 車用IGBT器件技術(shù)概述
2023-08-08 10:00:312 【 2023 年 8 月 4 日 ， 德國慕尼黑訊】 英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出搭載1200 V TRENCHSTOP? IGBT7芯片的62 mm
2023-08-07 11:12:56417 
在 IGBT驅(qū)動(dòng)電源板 中有著廣泛的應(yīng)用。 ? ? ? ?IGBT驅(qū)動(dòng)板是控制系統(tǒng)和開關(guān)器件中的中間環(huán)節(jié)，承擔(dān)著接受控制系統(tǒng)信號(hào)并傳輸信號(hào)，確保IGBT執(zhí)行開關(guān)、保護(hù)、和反饋器件工作狀態(tài)的重任。 ? ? ? ?通常，IGBT驅(qū)動(dòng)板由IGBT驅(qū)動(dòng)芯片、驅(qū)動(dòng)外圍電路、驅(qū)動(dòng)輔
2023-08-04 17:35:03609 近年來薩科微半導(dǎo)體發(fā)展神速，在掌握第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件技術(shù)的基礎(chǔ)上，薩科微slkor投入大量精力和資金，推出了IGBT和電源管理芯片等系列高端產(chǎn)品。薩科微副總經(jīng)理賀俊駒介紹，在功率器件應(yīng)用市場
2023-07-31 11:14:43404 
，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）正在擴(kuò)大其CoolMOS? S7 系列高壓超結(jié)（SJ）MOSFET 的產(chǎn)品陣容。該系列器件主要適用于開關(guān)電源（SMPS）、太陽能系統(tǒng)、電池保護(hù)、固態(tài)繼電器（SSR）、電機(jī)啟動(dòng)器和固態(tài)斷路器以及可編程邏輯控制器（PLC）
2023-07-28 15:05:301065 
IGBT模塊動(dòng)態(tài)參數(shù)是評估IGBT模塊開關(guān)性能如開關(guān)頻率、開關(guān)損耗、死區(qū)時(shí)間、驅(qū)動(dòng)功率等的重要依據(jù)，本文重點(diǎn)討論以下動(dòng)態(tài)參數(shù)：模塊內(nèi)部柵極電阻、外部柵極電阻、外部柵極電容、IGBT寄生電容參數(shù)、柵極充電電荷、IGBT開關(guān)時(shí)間參數(shù)，結(jié)合IGBT模塊靜態(tài)參數(shù)可全面評估IGBT芯片的性能。
2023-07-28 10:19:543284 
森國科隆重推出IGBT分立器件新品，兼具功率MOSFET易于驅(qū)動(dòng)、控制簡單、開關(guān)頻率高和功率雙極型晶體管(BJT)低飽和壓降、大電流運(yùn)輸能力及低損耗的優(yōu)點(diǎn)。
2023-07-26 17:34:13355 
IGBT是繼MOSFET之后，新一代的開關(guān)器件，主要用于高壓和高電流的開關(guān)控制。IGBT的全稱是Isolated Gate Bipolar Transistor，是由晶體管和MOSFET的優(yōu)點(diǎn)相結(jié)合
2023-07-20 16:39:514479 除了這些新材料外，絕緣柵雙極晶體管(IGBT)這一較老的技術(shù)在電力電子領(lǐng)域仍占有重要地位。本周，Nexperia首次進(jìn)入IGBT市場，推出了一系列新的600 V設(shè)備。本文將介紹IGBT、trench-gate設(shè)備和Nexperia的新產(chǎn)品系列。
2023-07-18 15:35:53367 
電機(jī)控制器的功率模塊，即IGBT器件和續(xù)流二極管，在開關(guān)和導(dǎo)通電流會(huì)產(chǎn)生損耗，損失的能量會(huì)轉(zhuǎn)化成熱能，表現(xiàn)為功率模塊發(fā)熱。
2023-07-12 15:53:142495 
IGBT : 是一種大功率的電力電子器件,是一個(gè)非通即斷的開關(guān)，IGBT沒有放大電壓的功能,導(dǎo)通時(shí)可以看做導(dǎo)線，斷開時(shí)當(dāng)做開路。三大特點(diǎn)就是高壓、大電流、高速。它是電力電子領(lǐng)域非常理想的開關(guān)器件。 編輯：黃飛
2023-07-07 09:36:321089 
。Nexperia在其龐大的產(chǎn)品組合中增加了IGBT，滿足了市場對于高效高壓開關(guān)器件不斷增長的需求以及在性能和成本方面的要求。這些器件有助于提高電源轉(zhuǎn)換和電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中的功率密度，包括工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)（例如
2023-07-05 16:34:291053 V器件系列進(jìn)軍絕緣柵雙極晶體管(IGBT)市場，而30A NGW30T60M3DF將打響進(jìn)軍市場的第一炮。Nexperia在其龐大的產(chǎn)品組合中增加了IGBT，滿足了市場對于高效高壓開關(guān)器件不斷增長的需求以及在性能和成本方面的要求。這些器件有助于提高電源轉(zhuǎn)換和電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中的功率密度，包括工業(yè)電機(jī)驅(qū)
2023-07-05 09:20:27459 
地被開發(fā)出來。GaN器件的低導(dǎo)通內(nèi)阻、低寄生電容和高開關(guān)速度等特性，使得對應(yīng)的Class D功放系統(tǒng)能夠具有更高的效率，更高的功率密度，同時(shí)因?yàn)楦俚姆答佇枨笏鶐淼姆蔷€性失真度將更低，由此Class
2023-06-25 15:59:21
IGBT技術(shù)在功率密度、工作頻率、損耗控制等方面不斷創(chuàng)新。新一代IGBT產(chǎn)品在提高開關(guān)速度、降低開關(guān)損耗、增強(qiáng)耐壓能力等方面取得了顯著進(jìn)展，提高了系統(tǒng)效率和可靠性。
2023-06-21 11:24:33919 絕緣柵雙極晶體管 （IGBT, InsulatedGate Bipolar Transistor）是一種三端功率半導(dǎo)體器件，主要用作電子開關(guān)，在較新的器件中以結(jié)合高效和快速開關(guān)而聞名。IGBT通過
2023-06-14 20:15:012111 
IGBT是由MOSFET和GTR技術(shù)結(jié)合而成的復(fù)合型開關(guān)器件，是通過在功率MOSFET的漏極上追加p+層而構(gòu)成的，性能上也是結(jié)合了MOSFET和雙極型功率晶體管的優(yōu)點(diǎn)。
2023-06-13 16:23:21414 ? 【 2023 年 5 月 6 日，德國慕尼黑訊】 英飛凌科技股份公司（FSE 代碼：IFX / OTCQX 代碼：IFNNY）繼推出 EiceDRIVER? 6ED223xS12T 系列
2023-06-06 11:03:03420 
【 2023 年 5 月 12 日，德國慕尼黑訊】 英飛凌科技股份公司（FSE 代碼：IFX / OTCQX 代碼：IFNNY）推出 OptiMOS? 7 40V MOSFET 系列。作為英飛凌
2023-06-06 11:01:361026 
每次談到IGBT都要把它的優(yōu)點(diǎn)先說一遍，就當(dāng)我嘮叨了。IGBT結(jié)合了電力場效應(yīng)管和電力晶體管導(dǎo)通、關(guān)斷機(jī)制的優(yōu)點(diǎn)，相比于其他大功率開關(guān)器件，IGBT的驅(qū)動(dòng)功率小、開關(guān)速度快、沒有二次擊穿效應(yīng)且易于并聯(lián)。
2023-05-25 17:31:342943 
英飛凌推出采用TO-247PLUS SMD封裝的EDT2工業(yè)級分立IGBT，采用750V EDT2 IGBT技術(shù)，具有最低的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗，這可以使電動(dòng)商用車的電池電壓達(dá)到450Vdc
2023-05-19 12:42:27453 半導(dǎo)體功率器件主要包括功率二極管、功率三極管、晶閘管、MOSFET、IGBT等。其中MOSFET和IGBT屬于電壓控制型開關(guān)器件，具有開關(guān)速度快、易于驅(qū)動(dòng)、損耗低等優(yōu)勢。IGBT全稱是絕緣柵極
2023-05-18 09:51:583446 
合作關(guān)系。此次，賽米控丹佛斯向低功率領(lǐng)域推出的功率模塊中，采用了羅姆的新產(chǎn)品——1200V IGBT “RGA系列”。今后，雙方將繼續(xù)保持緊密合作，全力響應(yīng)全球電機(jī)驅(qū)動(dòng)用戶的需求。 ROHM Co., Ltd. 董事 常務(wù)執(zhí)行官 CFO 伊野和英 （左） 賽米控丹佛斯
2023-05-17 13:35:02938 
功率器件可以在各種非正常工況下保護(hù)自己并報(bào)錯(cuò)會(huì)大大提高功率器件自身的可靠性和整個(gè)系統(tǒng)的安全性。以下圖中英飛凌的智能高邊經(jīng)典產(chǎn)品PROFET系列為例，它集成了診斷和保護(hù)功能（Protect）的功率器件
2023-05-02 15:44:00927 
對于不間斷電源高頻逆變電路是選擇IGBT還是MOSFET的功率開關(guān)管呢？
2023-04-20 10:19:351433 ）雙極型三極管和絕緣柵型場效應(yīng)管（MetalOxideSemiconductor，MOS）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有（Metal-Oxide-Semi
2023-04-20 09:54:432097 絕緣柵雙極型晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT）是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，具有高輸入阻抗和低導(dǎo)通壓降的優(yōu)點(diǎn)。
2023-04-15 14:23:581287 IGBT是高頻開關(guān)器件，芯片內(nèi)部的電流密度大。當(dāng)發(fā)生過流或短路故障時(shí)，器件中流過的大于額定值的電流時(shí)，極易使器件管芯結(jié)溫升高，導(dǎo)致器件燒壞。今天我們就來聊聊IGBT的過流和短路保護(hù)。
2023-04-06 17:31:175475 
IGBT是一種功率器件，在功率逆變器中承擔(dān)功率轉(zhuǎn)換和能量傳輸?shù)墓δ?。它是逆變器的心臟。同時(shí)，IGBT也是功率逆變器中最不可靠的元件之一。它對器件的溫度、電壓和電流非常敏感。稍有超出，就會(huì)變得無能
2023-03-30 10:29:45992 
IGBT芯片的開關(guān)特性，需要仿真確定D1和C1器件的參數(shù)； 02.仿真運(yùn)行是慢速的時(shí)間點(diǎn)，需要等待緩慢運(yùn)行，與CPU處理量有關(guān)； 03.修改電路后會(huì)存在參數(shù)報(bào)錯(cuò)無法運(yùn)行，出現(xiàn)這種情況后讓其自動(dòng)修正
2023-03-27 14:57:37
【 2023 年 03 月 27 日， 德國慕尼黑 訊】 英飛凌科技股份公司（FSE 代碼：IFX / OTCQX 代碼：IFNNY）日前宣布，推出全新的 iMOTION? IMI110 系列智能
2023-03-27 14:42:30446 
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