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電子發(fā)燒友網(wǎng)>汽車(chē)電子>英飛凌推出面向汽車(chē)應(yīng)用的新型 OptiMOS? 7 40V MOSFET系列,改進(jìn)導(dǎo)通電阻、提升開(kāi)關(guān)效率和設(shè)計(jì)魯棒性

英飛凌推出面向汽車(chē)應(yīng)用的新型 OptiMOS? 7 40V MOSFET系列,改進(jìn)導(dǎo)通電阻、提升開(kāi)關(guān)效率和設(shè)計(jì)魯棒性

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2022-06-24 09:57:451547

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性?xún)r(jià)比一流:英飛凌推出面向低頻率應(yīng)用的600 V CoolMOSTM S7超結(jié)MOSFET

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2020-03-04 07:46:001360

英飛凌OptiMOS?源極底置功率MOSFET系列新添PQFN封裝的40 V裝置

OptiMOS SD 40 V低電壓功率 MOSFET 提供兩種版本:標(biāo)準(zhǔn)版和中央柵極版。中央柵極版針對(duì)多部裝置并聯(lián)作業(yè)進(jìn)行了優(yōu)化。
2020-11-04 11:20:371482

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2023-02-06 10:01:471034

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6.0V - 40V輸入的汽車(chē)儀表盤(pán)寬電壓輸入電源解決方案包括原理圖,框圖及硬件設(shè)置

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9 - 40V 汽車(chē)輸入、5V/2.1A 智能 USB 充電器

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2019-08-09 07:28:08

40V耐壓SL3061內(nèi)置MOS,電流2.5A,可兼容替代XL1509系列

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2023-11-13 15:24:19

MOSFET驅(qū)動(dòng)及工作區(qū)的問(wèn)題分析

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2016-12-21 11:39:07

OptiMOS 3功率MOSFET系列產(chǎn)品為高能效產(chǎn)品提供更高性能

的設(shè)計(jì)而言,它大幅降低了MOSFET導(dǎo)通電阻,并保持了出色的開(kāi)關(guān)性能。 英飛凌推出OptiMOS 3系列進(jìn)一步改進(jìn)了設(shè)計(jì),使更高電壓等級(jí)的器件能夠受益于這種技術(shù)。在150 V 至250 V的電壓
2018-12-07 10:21:41

開(kāi)關(guān)控制器的 MOSFET 選擇是一個(gè)復(fù)雜的過(guò)程哦,來(lái)教你怎么選擇MOSFET

和低導(dǎo)通電阻之間取得平衡。在多負(fù)載電源系統(tǒng)中,這種情況會(huì)變得更加復(fù)雜。圖 1—降壓同步開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器原理圖DC/DC 開(kāi)關(guān)電源因其高效率而廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代許多電子系統(tǒng)中。例如,同時(shí)擁有一個(gè)高側(cè) FET和低側(cè)
2019-11-30 18:41:39

開(kāi)關(guān)電源芯片 FDC6324L 內(nèi)置負(fù)載開(kāi)關(guān) 降低導(dǎo)通電阻 減少成本

= 1.5V至8V2.為極低導(dǎo)通電阻而設(shè)計(jì)的高單元密度3.VON/OFF齊納二極管保護(hù)可增強(qiáng)耐靜電放電能力>6kV人體模型4.SuperSOT?-6封裝設(shè)計(jì)(使用銅引線(xiàn)框架),可提供出色的熱和電氣能力應(yīng)用領(lǐng)域:電動(dòng)汽車(chē)車(chē)載充電器太陽(yáng)能互聯(lián)照明
2021-11-27 12:14:08

開(kāi)關(guān)導(dǎo)通電阻對(duì)傳遞函數(shù)的影響

”這個(gè)參數(shù)的影響。下面以“升降壓轉(zhuǎn)換器的傳遞函數(shù)導(dǎo)出示例 其2”的ton≠ton’ 的升降壓轉(zhuǎn)換器為基礎(chǔ),按照同樣步驟來(lái)推導(dǎo)。右側(cè)電路圖在上次給出的升降壓轉(zhuǎn)換器簡(jiǎn)圖上標(biāo)出了作為開(kāi)關(guān)MOSFET導(dǎo)通電阻
2018-11-30 11:48:22

提升開(kāi)關(guān)電源效率和可靠:半橋諧振LLC+CoolMOS開(kāi)關(guān)

電源當(dāng)中,而這種拓?fù)湓?b class="flag-6" style="color: red">提升效率的同時(shí)也對(duì)MOSFET提出了新的要求。不同于硬開(kāi)關(guān)拓?fù)?,?b class="flag-6" style="color: red">開(kāi)關(guān)LLC諧振拓?fù)?,不僅僅對(duì)MOSFET導(dǎo)通電阻導(dǎo)通損耗),Qg(開(kāi)關(guān)損耗)有要求,同時(shí)對(duì)于如何能夠有效的實(shí)現(xiàn)軟
2018-12-03 11:00:50

汽車(chē)類(lèi)40V至1kV輸入反激式參考設(shè)計(jì)包括BOM及框圖

) 或電動(dòng)汽車(chē) (EV) 牽引逆變器系統(tǒng)。40V 最低輸入電壓支持來(lái)自牽引電機(jī)的可再生制動(dòng)的功能安全測(cè)試。該參考設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了一款碳化硅 (SiC) MOSFET,該器件具有用于降低開(kāi)關(guān)損耗的高阻斷
2018-10-15 14:56:46

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,英飛凌成功完成了全新40V 和 60V MOSFET的開(kāi)發(fā)工作。 與OptiMOS?3技術(shù)直接比較,結(jié)果表明,新一代MOSFET不僅可極大地降低通態(tài)電阻RDS(on),還可大幅改進(jìn)開(kāi)關(guān)特性。 阻斷電壓為
2018-12-06 09:46:29

面向嵌入式系統(tǒng)的優(yōu)化型IGBT

歐元(600 V、20 A)到5.10歐元(1,200 V、40 A)。針對(duì)應(yīng)用而優(yōu)化的IGBT提高能源效率改進(jìn)系統(tǒng)成本,仍然是光伏逆變器、不間斷電源(UPS)和焊接系統(tǒng)等傳統(tǒng)IGBT應(yīng)用,以及
2018-12-03 13:47:00

B1M080120HC 1200V碳化硅MOSFET替代C2M0080120D 可降低器件損耗更適合應(yīng)用于高頻電路

B1M080120HC是一款碳化硅 MOSFET 具有導(dǎo)通電阻低,開(kāi)關(guān)損耗小的特點(diǎn),可降低器件損耗,提升系統(tǒng)效率,更適合應(yīng)用于高頻電路。降低器件損耗,提升系統(tǒng) EMI 表現(xiàn)。在新能源汽車(chē)電機(jī)控制器
2021-11-10 09:10:42

Diodes 集成功率MOSFET

轉(zhuǎn)換,負(fù)載開(kāi)關(guān),電機(jī)控制,背光,電池保護(hù),電池充電器,音頻電路和汽車(chē)。推薦產(chǎn)品:BSS138DW-7-F;BSS138-7-FDiodes其它相關(guān)產(chǎn)品請(qǐng)點(diǎn)擊此處前往特征:低導(dǎo)通電阻低柵極閾值電壓輸入
2019-05-13 11:07:19

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第二代。非常有助于改善包括電源在內(nèi)的PFC等各種功率轉(zhuǎn)換電路的效率。低噪聲 EN系列以往的超級(jí)結(jié)MOSFET具有導(dǎo)通電阻低、開(kāi)關(guān)速度快的特點(diǎn),但存在因其高速而噪聲較大的課題。EN系列是結(jié)合了平面
2018-12-05 10:00:15

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`IR推出系列新型HEXFET?功率MOSFET,其中包括能夠提供業(yè)界最低導(dǎo)通電阻(RDS(on))的IRFH6200TRPbF。<br/>【關(guān)鍵詞】:功率損耗,導(dǎo)通電阻
2010-05-06 08:55:20

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SiC功率器件SiC-MOSFET的特點(diǎn)

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編輯-Z使用MOS管40N120設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源或電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路時(shí),一般需要考慮40N120導(dǎo)通電阻、最大電壓、最大電流等因素。什么是MOS管40N120-ASEMI的導(dǎo)通特性?40N120開(kāi)關(guān)損失怎么看
2021-12-29 16:53:46

低功耗40v降壓IC 輸出ADJ 2.5A 電動(dòng)車(chē)專(zhuān)用芯片

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2022-06-10 15:16:08

具備低導(dǎo)通電阻的單通道限流高側(cè)開(kāi)關(guān)IC

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2019-04-10 06:20:03

內(nèi)置高耐壓低導(dǎo)通電阻MOSFET的降壓型1ch DC/DC轉(zhuǎn)換器

需要具備非常先進(jìn)的技術(shù)能力才能實(shí)現(xiàn)。此外,內(nèi)置MOSFET導(dǎo)通電阻很低,僅為150mΩ,有利于提高效率?! D9G341AEFJ的轉(zhuǎn)換方式是被稱(chēng)為“二極管整流”或“異步整流”的降壓方式。高邊
2018-10-19 16:47:06

內(nèi)置高耐壓低導(dǎo)通電阻MOSFET的降壓型1chDC/DC轉(zhuǎn)換器

非常先進(jìn)的技術(shù)能力才能實(shí)現(xiàn)。此外,內(nèi)置MOSFET導(dǎo)通電阻很低,僅為150mΩ,有利于提高效率。BD9G341AEFJ的轉(zhuǎn)換方式是被稱(chēng)為“二極管整流”或“異步整流”的降壓方式。高邊MOSFET為內(nèi)置
2018-12-04 10:10:43

同時(shí)具備MOSFET和IGBT優(yōu)勢(shì)的HybridMOS

系列Hybrid MOS是同時(shí)具備超級(jí)結(jié)MOSFET(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“SJ MOSFET”)的高速開(kāi)關(guān)和低電流時(shí)的低導(dǎo)通電阻、IGBT的高耐壓和大電流時(shí)的低導(dǎo)通電阻這些優(yōu)異特性的新結(jié)構(gòu)MOSFET。下面為
2018-11-28 14:25:36

品佳推出英飛凌汽車(chē)LED大燈驅(qū)動(dòng)方案

大聯(lián)大控股(WPG Holding)旗下品佳推出英飛凌汽車(chē)LED大燈驅(qū)動(dòng)解決方案,不同于傳統(tǒng)白熾燈需要恒定直流電源供電,而且需要一系列保護(hù)功能和狀態(tài)回饋,LED將讓汽車(chē)照明更有效率且具有更多優(yōu)勢(shì)
2018-12-12 09:50:04

基于QR分解和提升小波變換的音頻水印方法

本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:04 編輯 利用QR分解的穩(wěn)定性以及提升小波計(jì)算速度快的優(yōu)良特性,給出一種基于QR分解和提升小波變換的盲數(shù)字音頻水印方法.為了保護(hù)原始
2011-03-04 21:44:30

基于聯(lián)鎖柵極驅(qū)動(dòng)器提高三相逆變器的

停工和生產(chǎn)損失。因此,VFD的可靠是機(jī)器制造商和工廠業(yè)主的關(guān)鍵要求。圖1所示的三相逆變器結(jié)構(gòu)是VFD的核心,能夠?qū)⒄骱蟮碾娫措妷恨D(zhuǎn)換為輸出到電機(jī)的可變頻率和可變電壓。逆變器的是確保VFD的關(guān)鍵要素。該項(xiàng)技術(shù)由德州儀器研發(fā)。
2019-07-12 07:11:20

封裝寄生電感對(duì)MOSFET性能的影響

的影響。封裝源電感是決定切換時(shí)間的關(guān)鍵參數(shù),后者與開(kāi)關(guān)速度和開(kāi)關(guān)可控密切相關(guān)。英飛凌最新推出的TO247 4引腳封裝MOSFET能最大限度地減少傳統(tǒng)的TO247封裝寄生電感造成的不利影響,實(shí)現(xiàn)更高系統(tǒng)效率
2018-10-08 15:19:33

應(yīng)用于新能源汽車(chē)的碳化硅半橋MOSFET模塊

  采用溝槽型、低導(dǎo)通電阻碳化硅MOSFET芯片的半橋功率模塊系列  產(chǎn)品型號(hào)  BMF600R12MCC4  BMF400R12MCC4  汽車(chē)級(jí)全碳化硅半橋MOSFET模塊Pcore2
2023-02-27 11:55:35

強(qiáng)低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)指導(dǎo)手冊(cè)

設(shè)計(jì),TI推出的新一代低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)芯片UCC27624針對(duì)以上提到的風(fēng)險(xiǎn)點(diǎn),作出了相應(yīng)優(yōu)化,大大提升了芯片的:高達(dá)30V的VDD最大耐壓值,提升了安全裕度;提高了內(nèi)部LDO的噪聲抑制能力,從而提升
2022-11-03 08:28:01

德州儀器14款采用TO-220及SON封裝的功率MOSFET

陣營(yíng)。高效率 NexFET 包括 40V、60V、80V 以及 100V N 通道器件,可為廣泛大電流電機(jī)控制及電源應(yīng)用提供優(yōu)異的散熱性能?! ∽畹?b class="flag-6" style="color: red">導(dǎo)通電阻:  兩款最新 80V 及 100V
2018-11-29 17:13:53

推薦一款40V2.5A開(kāi)關(guān)降壓型轉(zhuǎn)換器

產(chǎn)品概述SL3061是一款內(nèi)部集成功率MOSFET的降壓型開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器,工作在寬輸入電壓范圍具有優(yōu)良的負(fù)載和線(xiàn)性調(diào)整。寬范圍輸入電壓(6V40V)可提供最大2.5A電流高效率輸出。SL3061安全
2022-05-20 14:12:46

新品速遞 #6 40V、2.5A、低IQ同步升壓Silent Switcher -LT8336 數(shù)據(jù)手冊(cè)

范圍、低VIN引腳靜態(tài)電流(突發(fā)工作模式下)以及用于同步MOSFET的100%占空比能力(直通工作模式下,VIN ≥ VOUT),使其非常適合通用升壓和汽車(chē)預(yù)升壓應(yīng)用。LT8336集成了40V、2.5A
2020-08-28 10:06:36

淺析降低高壓MOS管導(dǎo)通電阻的原理與方法

` ?。?)不同耐壓的MOS管的導(dǎo)通電阻分布。不同耐壓的MOS管,其導(dǎo)通電阻中各部分電阻比例分布也不同。如耐壓30V的MOS管,其外延層電阻僅為總導(dǎo)通電阻的29%,耐壓600V的MOS管的外延層電阻
2018-11-01 15:01:12

滿(mǎn)足供電需求的新型封裝技術(shù)和MOSFET

的主要損耗包括開(kāi)關(guān)損耗、傳導(dǎo)損耗、體二極管損耗和柵極驅(qū)動(dòng)損耗。開(kāi)關(guān)損耗主要是由器件本身結(jié)構(gòu)的寄生電容產(chǎn)生的。傳導(dǎo)損耗是器件工作在增強(qiáng)模式時(shí)由導(dǎo)通電阻(RDS(on))產(chǎn)生的。體二極管損耗是正向電壓
2012-12-06 14:32:55

電動(dòng)汽車(chē)的全新碳化硅功率模塊

CoolSiC 汽車(chē) MOSFET 技術(shù)的成熟,英飛凌也成功的將該技術(shù)進(jìn)入 EasyPACK,并獲得了汽車(chē)級(jí)認(rèn)證,目前正在擴(kuò)展該模塊系列的應(yīng)用范圍,旨在涵蓋具有高效率和高開(kāi)關(guān)頻率需求的電動(dòng)汽車(chē)的高壓應(yīng)用。其中
2021-03-27 19:40:16

碳化硅SiC MOSFET:低導(dǎo)通電阻和高可靠的肖特基勢(shì)壘二極管

并提高可靠。東芝實(shí)驗(yàn)證實(shí),與現(xiàn)有SiC MOSFET相比,這種設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)在不影響可靠的情況下[1],可將導(dǎo)通電阻[2](RonA)降低約20%。功率器件是管理各種電子設(shè)備電能,降低功耗以及實(shí)現(xiàn)碳中和
2023-04-11 15:29:18

碳化硅如何改進(jìn)開(kāi)關(guān)電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)?

?! 】偨Y(jié)  與硅替代品相比,SiC MOSFET 具有一系列優(yōu)勢(shì),再加上其在硬開(kāi)關(guān)應(yīng)用中的,使其值得在最有效的功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中加以考慮。650 V CoolSiC 系列推出使 SiC? MOSFET 技術(shù)在經(jīng)濟(jì)上更加可行,適合那些將功率轉(zhuǎn)換推向極限的用戶(hù)。
2023-02-23 17:11:32

結(jié)構(gòu)小巧綠色環(huán)保的OptiMOS 3 MOSFET可達(dá)到更高的效率

達(dá)100A的電流處理能力等特性,使該系列產(chǎn)品在40至80V電壓等級(jí)的低電阻MOSFET應(yīng)用方面樹(shù)立了全新的標(biāo)準(zhǔn)。OptiMOS 3產(chǎn)品用于要求高效率和高功率密度的功率轉(zhuǎn)換和電源管理系統(tǒng),應(yīng)用范圍廣泛
2018-12-07 10:23:12

資深工程師經(jīng)驗(yàn):提升開(kāi)關(guān)電源效率和可靠的措施

開(kāi)關(guān)拓?fù)洌?b class="flag-6" style="color: red">開(kāi)關(guān)LLC諧振拓?fù)?,不僅僅對(duì)MOSFET導(dǎo)通電阻導(dǎo)通損耗),Qg(開(kāi)關(guān)損耗)有要求,同時(shí)對(duì)于如何能夠有效的實(shí)現(xiàn)軟開(kāi)關(guān),如何降低失效率,提升系統(tǒng)可靠,降低系統(tǒng)的成本有更高的要求
2019-02-20 06:30:00

過(guò)壓故障保護(hù)模擬開(kāi)關(guān)對(duì)分立保護(hù)器件的替代

作者:Paul O'Sullivan摘要設(shè)計(jì)具有的電子電路較為困難,通常會(huì)導(dǎo)致具有大量 分立保護(hù)器件的設(shè)計(jì)的相關(guān)成本增加、時(shí)間延長(zhǎng)、空間擴(kuò)大。本文將討論故障保護(hù)開(kāi)關(guān)架構(gòu),及其與傳統(tǒng)分立保護(hù)
2019-07-26 08:37:28

降低高壓MOSFET導(dǎo)通電阻的原理與方法

的矛盾?! 〖幢闳绱耍邏?b class="flag-6" style="color: red">MOSFET在額定結(jié)溫下的導(dǎo)通電阻產(chǎn)生的導(dǎo)通壓降仍居高不下,耐壓500V以上的MOSFET 的額定結(jié)溫、額定電流條件下的導(dǎo)通電壓很高,耐壓800V以上的導(dǎo)通電壓高得驚人,導(dǎo)
2023-02-27 11:52:38

高性能功率半導(dǎo)體封裝在汽車(chē)通孔的應(yīng)用

是將一系列元件組合在電路中,電流必須不受限制地流過(guò)封裝,熱量必須導(dǎo)入冷卻系統(tǒng)。因此,系統(tǒng)的取決于整個(gè)鏈條中最薄弱的環(huán)節(jié)。如果一只典型MOSFET導(dǎo)通電阻RDS(ON)約為8毫歐,那么比這個(gè)
2019-05-13 14:11:51

高耐壓超級(jí)結(jié)MOSFET的種類(lèi)與特征

%。特性方面的定位是標(biāo)準(zhǔn)特性。低噪聲SJ-MOSFET:EN系列SJ-MOSFET具有“導(dǎo)通電阻低,開(kāi)關(guān)速度快”的特征,但存在其高速導(dǎo)致噪聲比平面型大的課題。為改善這個(gè)問(wèn)題開(kāi)發(fā)了EN系列。該系列產(chǎn)品融合了
2018-12-03 14:27:05

英飛凌欲借新一代超結(jié)MOSFET樹(shù)立硬開(kāi)關(guān)應(yīng)用基準(zhǔn)

英飛凌欲借新一代超結(jié)MOSFET樹(shù)立硬開(kāi)關(guān)應(yīng)用基準(zhǔn) 英飛凌日前在深圳宣布推出下一代600V MOSFET產(chǎn)品―― CoolMOS C6系列。600V C6系列融合了C3和CP兩個(gè)產(chǎn)品系列的優(yōu)勢(shì),可降低設(shè)
2009-06-23 21:17:44595

德州儀器推出面向高電流DC/DC應(yīng)用的功率MOSFET,可以

德州儀器推出面向高電流DC/DC應(yīng)用的功率MOSFET,可以顯著降低上表面熱阻 采用創(chuàng)新封裝手段的DualCool NexFET功率 MOSFET在標(biāo)準(zhǔn)封裝尺寸下將散熱效率提升80%、允許電流提高5
2010-01-15 08:39:05727

英飛凌推出200V和250V OptiMOS系列器件

英飛凌推出200V和250V OptiMOS系列器件   英飛凌科技股份公司近日宣布推出200V和250V OptiMOSTM系列器件,進(jìn)一步擴(kuò)大OptiMOSTM產(chǎn)品陣容。全新200V和250V器件適用于48V系統(tǒng)
2010-01-26 09:22:57828

英飛凌推出25V OptiMOS調(diào)壓MOSFET和DrMOS

英飛凌推出25V OptiMOS調(diào)壓MOSFET和DrMOS系列      為提高計(jì)算和電信產(chǎn)品的能效,英飛凌科技股份公司近日宣布,公司將在2010年應(yīng)用電力電子會(huì)議和產(chǎn)品展示
2010-03-01 11:20:47731

IR推出系列新型HEXFET功率MOSFET

IR推出系列新型HEXFET功率MOSFET  國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出系列新型HEXFET® 功率MOSFET,其中包括能夠提供業(yè)界最低導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) 的IRFH620
2010-03-12 10:28:391444

導(dǎo)通電阻,導(dǎo)通電阻的結(jié)構(gòu)和作用是什么?

導(dǎo)通電阻,導(dǎo)通電阻的結(jié)構(gòu)和作用是什么? 傳統(tǒng)模擬開(kāi)關(guān)的結(jié)構(gòu)如圖1所示,它由N溝道MOSFET與P溝道MOSFET并聯(lián)構(gòu)成,可使正負(fù)信號(hào)傳輸,如果將不同VI
2010-03-23 09:27:474912

IR推出汽車(chē)專(zhuān)用MOSFET系列低導(dǎo)通電阻

IR推出汽車(chē)專(zhuān)用MOSFET系列低導(dǎo)通電阻 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出首款汽車(chē)專(zhuān)用 MOSFET
2010-04-09 11:50:32746

英飛推出全新650V 高性能功率MOSFET系列

英飛凌科技股份公司近日推出全新的650V CoolMOS C6/E6高性能功率MOSFET系列。該產(chǎn)品系列將現(xiàn)代超級(jí)結(jié)(SJ)器件的優(yōu)勢(shì)(如低導(dǎo)通電阻和低容性開(kāi)關(guān)損耗)與輕松控制的開(kāi)關(guān)行為、及
2010-07-05 08:48:261675

IR推出堅(jiān)固的新型平面MOSFET系列

國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱(chēng)IR)近日推出新的車(chē)用MOSFET系列,適合要求低導(dǎo)通電阻的一系列應(yīng)用,包括傳統(tǒng)內(nèi)燃機(jī) (ICE) 平臺(tái)以及微型和混合動(dòng)力汽車(chē)平臺(tái)上的重載應(yīng)用。
2011-07-12 08:40:54966

英飛凌推出單P溝道40V汽車(chē)電源MOSFET產(chǎn)品:OptiMOS P2

英飛凌科技股份公司近日宣布推出采用先進(jìn)溝道工藝制造的全新單P溝道40V汽車(chē)電源MOSFET產(chǎn)品系列。全新的40V OptiMOS P2產(chǎn)品為能效改進(jìn)、碳減排和成本節(jié)約樹(shù)立了行業(yè)新標(biāo)桿,從而進(jìn)一步
2011-09-13 08:33:16692

英飛凌推出新型汽車(chē)電源管理40V P通道OptiMOS P2系列

英飛凌科技推出采用先進(jìn)溝槽技術(shù)制程的最新單一P通道40V汽車(chē)電源MOSFET系列產(chǎn)品。新型40V OptiMOS P2產(chǎn)品為提升能源效率、減少CO2排放及節(jié)省成本設(shè)立新的基準(zhǔn)
2011-09-28 19:35:41648

英飛凌科技推出汽車(chē)封裝無(wú)鉛功率MOSFET

英飛凌科技股份公司(FSE:IFX / OTCQX:IFNNY)宣布推出汽車(chē)封裝類(lèi)型的合格100%無(wú)鉛功率MOSFET
2011-12-08 10:42:451014

Toshiba推車(chē)用低導(dǎo)通電阻功率MOSFET

東芝公司(Toshiba Corporation)推出了一種低導(dǎo)通電阻功率MOSFET,該產(chǎn)品也成為其專(zhuān)為汽車(chē)應(yīng)用打造的TO-220SIS封裝系列中的最新成員。新產(chǎn)品“TK80A04K3L”還實(shí)現(xiàn)了低漏電電流和175℃的保證工作溫度。該產(chǎn)品不但非常適用于汽車(chē)應(yīng)用,還適用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器
2013-01-22 10:25:30964

e絡(luò)盟進(jìn)一步擴(kuò)充英飛凌CoolMOS與OptiMOS系列功率MOSFET

e絡(luò)盟日前宣布新增來(lái)自全球半導(dǎo)體和系統(tǒng)解決方案領(lǐng)先提供商英飛凌的CoolMOS?與OptiMOS?系列產(chǎn)品,進(jìn)一步擴(kuò)充其功率MOSFET產(chǎn)品組合。
2015-03-02 17:37:381393

英飛凌推出面向18?40kHz開(kāi)關(guān)用途的低損耗IGBT

英飛凌科技于2016年10月17日推出了支持18kHz?40kHz開(kāi)關(guān)頻率的低損耗1200V耐壓IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)“RC-E系列”(英文發(fā)布資料)。新產(chǎn)品在IGBT上集成續(xù)流用體二極管
2016-11-14 14:51:361390

英飛凌科聯(lián)合Schweizer開(kāi)發(fā)出面向輕度混合動(dòng)力汽車(chē)新技術(shù)

英飛凌聯(lián)合Schweizer電子股份公司成功開(kāi)發(fā)出面向輕度混合動(dòng)力汽車(chē)的新技術(shù):芯片嵌入式功率MOSFET
2019-05-14 16:58:301298

關(guān)于英飛凌OptiMOS實(shí)現(xiàn)這款90W車(chē)載充電器方案介紹

英飛凌革命性OptiMOS產(chǎn)品的P溝道功率MOSFET之一,在導(dǎo)通電阻開(kāi)關(guān)系統(tǒng)設(shè)計(jì)中,能經(jīng)受極高的質(zhì)量考驗(yàn)以滿(mǎn)足高性能的需求;加入增強(qiáng)模式,可根據(jù)不同應(yīng)用場(chǎng)景選擇Normal Level
2019-09-24 11:37:513181

英飛凌OptiMOS? 6 100 V系列通過(guò)技術(shù)革新,為高開(kāi)關(guān)頻率應(yīng)用樹(shù)立全新行業(yè)標(biāo)桿

OptiMOS 6 100 V 系列 MOSFET采用新穎的設(shè)計(jì)理念, 具有更低的導(dǎo)通電阻和同類(lèi)產(chǎn)品中更佳的優(yōu)值系數(shù) (FOM)。
2021-12-03 10:50:381074

英飛凌推出全新的OptiMOS?源極底置功率MOSFET

英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)推出了新一代OptiMOS? 源極底置(Source-Down,簡(jiǎn)稱(chēng)SD)功率MOSFET,為解決終端應(yīng)用中的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)提供切實(shí)可行的解決方案。
2022-02-15 13:51:382073

什么是OptiMOS MOSFET

OptiMOS 已經(jīng)成為采用英飛凌獨(dú)特技術(shù)的中低耐壓 MOSFET 的商標(biāo),有多種耐壓、RDS(on)、封裝,適用于汽車(chē)和消費(fèi)類(lèi)應(yīng)用。英飛凌在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的市場(chǎng)占有率位居全球第一,特別是在汽車(chē)
2022-08-19 15:05:053322

使用 OptiMOS? 6 MOSFET 優(yōu)化電源設(shè)計(jì)

使用 OptiMOS? 6 MOSFET 優(yōu)化電源設(shè)計(jì)
2022-12-29 10:02:53785

東芝新型高散熱封裝的車(chē)載40V N溝道功率MOSFET支持車(chē)載大電流設(shè)備

東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)宣布,推出采用新型L-TOGLTM(大型晶體管輪廓鷗翼式引腳)封裝的車(chē)載40V N溝道功率MOSFET---“XPQR3004PB”和“XPQ1R004PB
2023-02-04 18:31:452676

EN系列:保持低導(dǎo)通電阻開(kāi)關(guān)速度,改善噪聲性能

超級(jí)結(jié)MOSFET是與平面MOSFET相比,導(dǎo)通電阻和柵極電荷(Qg)顯著降低的MOSFET。ROHM的600V超級(jí)結(jié)MOSFET具有高速、低噪聲、高效率的特性,并已擴(kuò)展為系列化產(chǎn)品,現(xiàn)已發(fā)展到第二代。
2023-02-10 09:41:07579

資料下載 | 低導(dǎo)通電阻 Nch 功率MOSFET(銅夾片型)產(chǎn)品參考資料

近日羅姆新推出“ RS6xxxx 系列/ RH6xxxx 系列 ”共13款Nch MOSFET產(chǎn)品(40V/60V/80V/100V/150V),備受各個(gè)廠家的青睞。本文將為各位工程師呈現(xiàn)該系列
2023-05-17 13:35:02471

CMS4070M 40V N-Channel SGT MOSFET:高速開(kāi)關(guān)改進(jìn)的dv/it能力

摘要:CMS4070M是一款40V N-Channel SGT MOSFET,采用SGT IV MOSFET技術(shù)。它具有快速開(kāi)關(guān)改進(jìn)的dv/it能力,適用于MB/VGA、POL應(yīng)用和DC-DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。本文將介紹CMS4070M的特點(diǎn)、應(yīng)用領(lǐng)域以及關(guān)鍵性能參數(shù)。
2023-06-08 14:28:28663

英飛凌推出新一代面向汽車(chē)應(yīng)用的OptiMOS 7 40V MOSFET系列

英飛凌科技汽車(chē) MOSFET 產(chǎn)品線(xiàn)高級(jí)副總裁 Axel Hahn 表示:“OptiMOS 7 40V MOSFET 系列將在功率密度、電流能力和芯片耐用性方面樹(shù)立新標(biāo)桿。
2023-06-26 13:10:00302

英飛凌推出OptiMOS 7技術(shù)的40V車(chē)規(guī)MOSFET產(chǎn)品系列

采用OptiMOS 7 技術(shù)的40V車(chē)規(guī)MOSFET產(chǎn)品系列,進(jìn)一步提升比導(dǎo)通電阻,減小RDSON*A,即在同樣的晶圓面積下實(shí)現(xiàn)更低的RDSON,或者說(shuō)在更小的晶圓面積下實(shí)現(xiàn)相同的RDSON。
2023-07-03 16:11:12678

納芯微推出首款車(chē)規(guī)級(jí)40V/單通道90mΩ智能低邊開(kāi)關(guān)NSE11409系列

納芯微推出首款車(chē)規(guī)級(jí)40V/單通道90mΩ智能低邊開(kāi)關(guān)NSE11409系列 納芯微全新推出首款業(yè)界領(lǐng)先的NSE11409系列智能低邊開(kāi)關(guān)芯片,該款芯片是專(zhuān)門(mén)針對(duì)驅(qū)動(dòng)高可靠性負(fù)載應(yīng)用而設(shè)計(jì)的,廣泛應(yīng)用于驅(qū)動(dòng)汽車(chē)和工業(yè)場(chǎng)景中的繼電器、執(zhí)行閥、照明和加熱電阻絲等負(fù)載元件。
2022-10-27 13:42:50545

英飛凌推出先進(jìn)的OptiMOS?功率MOSFET,進(jìn)一步擴(kuò)大采用PQFN 2x2 mm2封裝的MOSFET器件的產(chǎn)品陣容

全新的OptiMOS6 40V功率MOSFET以及OptiMOS5 25V和30V 功率MOSFET進(jìn)一步優(yōu)化了用于高性能設(shè)計(jì)的成熟OptiMOS技術(shù)。新產(chǎn)品采用超小型PQFN 2x2 mm2封裝,具備先進(jìn)的硅技術(shù)、穩(wěn)定可靠的封裝與極低的熱阻(RthJC最大值為3.2 K/W)。
2023-10-13 16:25:12519

英飛凌推出首款采用OptiMOS 7技術(shù)的15 V溝槽功率MOSFET

英飛凌推出業(yè)內(nèi)首款采用全新 OptiMOS 7 技術(shù)的 15 V 溝槽功率 MOSFET。這項(xiàng)技術(shù)經(jīng)過(guò)系統(tǒng)和應(yīng)用優(yōu)化,主要應(yīng)用于服務(wù)器和計(jì)算應(yīng)用中的低輸出電壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換。英飛凌是首家推出15
2023-12-29 12:30:49363

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