英飛凌科技推出汽車(chē)封裝無(wú)鉛功率MOSFET

　　英飛凌科技股份公司(FSE：IFX / OTCQX：IFNNY)宣布推出汽車(chē)封裝類(lèi)型的合格100%無(wú)鉛功率MOSFET。結(jié)合創(chuàng)新的包裝技術(shù)和英飛凌的薄晶圓的工藝技術(shù)，新的40V的OptiMOS?T2的功率MOSFET。英飛凌采用擴(kuò)散焊接模具附加的方法來(lái)生產(chǎn)的無(wú)鉛封裝，包括TO - 220，TO - 262和TO - 263。由于在封裝幾何方面的具體要求，模具墊厚度和芯片尺寸的擴(kuò)散焊接模具適合這三種封裝類(lèi)型，英飛凌能夠提供他們的OptiMOS T2的包在這些產(chǎn)品的生產(chǎn)準(zhǔn)備。

　　隨著新的MOSFET系列，英飛凌超過(guò)目前符合RoHS(有害物質(zhì)限制)與鉛基焊料，用來(lái)連接硅芯片令。待2014年實(shí)施后，可能需要100%無(wú)鉛封裝。由于在同行業(yè)中第一個(gè)MOSFET，英飛凌新設(shè)備使客戶(hù)能夠滿(mǎn)足這些嚴(yán)格的要求。

　　“英飛凌是在功率半導(dǎo)體和相關(guān)封裝技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者。引進(jìn)無(wú)鉛封裝，英飛凌是世界上第一個(gè)芯片供應(yīng)商，目前我們的汽車(chē)客戶(hù)未來(lái)的證明，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保MOSFET，以發(fā)展高效節(jié)能的“綠色”產(chǎn)品。“

　　英飛凌專(zhuān)利的無(wú)鉛芯片連接(包芯片和引線(xiàn)框架之間的互聯(lián))使用擴(kuò)散焊接方法，它可以更好的電氣性能和熱性能，制造和質(zhì)量。

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英飛凌(136806) 英飛凌(136806)
功率MOSFET(21639) 功率MOSFET(21639)

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現(xiàn)代汽車(chē)、起亞與英飛凌簽署功率半導(dǎo)體長(zhǎng)期供貨協(xié)議

【 2023 年 11 月 7 日，德國(guó)慕尼黑訊】 英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）與現(xiàn)代汽車(chē)和起亞簽署了碳化硅（SiC）和硅（Si）功率半導(dǎo)體長(zhǎng)期供貨

2023-11-09 14:07:51

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英飛凌與現(xiàn)代汽車(chē)、起亞汽車(chē)簽署了功率半導(dǎo)體供應(yīng)協(xié)議

英飛凌的功率半導(dǎo)體對(duì)電動(dòng)汽車(chē)轉(zhuǎn)型至關(guān)重要。這種轉(zhuǎn)型將帶動(dòng)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)強(qiáng)勁增長(zhǎng)，尤其是基于功能硅材料（如SiC）的半導(dǎo)體市場(chǎng)。通過(guò)在馬來(lái)西亞居林?jǐn)U建廠房，英飛凌將打造全球最大的8吋SiC功率半導(dǎo)體

2023-11-07 11:00:57

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車(chē)規(guī)級(jí)功率模塊封裝的現(xiàn)狀，SiC MOSFET對(duì)器件封裝的技術(shù)需求

1、SiC MOSFET對(duì)器件封裝的技術(shù)需求 2、車(chē)規(guī)級(jí)功率模塊封裝的現(xiàn)狀 3、英飛凌最新SiC HPD G2和SSC封裝 4、未來(lái)模塊封裝發(fā)展趨勢(shì)及看法

2023-10-27 11:00:52

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LP4931A 三相無(wú)刷直流電機(jī)前置驅(qū)動(dòng)器

5mm × 5 mm，28-PinQFN 封裝，帶外露熱傳導(dǎo)墊片。該小型封裝為無(wú)鉛產(chǎn)品，引線(xiàn)框架采用 100%霧錫電鍍

2023-10-27 09:30:29

功率MOSFET選型的幾點(diǎn)經(jīng)驗(yàn)

功率MOSFET選型的幾點(diǎn)經(jīng)驗(yàn)在此，根據(jù)學(xué)到的理論知識(shí)和實(shí)際經(jīng)驗(yàn)，和廣大同行一起分享、探討交流下功率MOSFET的選型。由于相應(yīng)理論技術(shù)文章有很多介紹MOSFET參數(shù)和性能的，這里不作贅述，只對(duì)實(shí)際

2023-10-26 08:02:47

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功率MOSFET的分類(lèi)及優(yōu)缺點(diǎn) 功率MOSFET的選型要求

在此，根據(jù)學(xué)到的理論知識(shí)和實(shí)際經(jīng)驗(yàn)，和廣大同行一起分享、探討交流下功率MOSFET的選型。

2023-10-25 10:43:16

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功率MOSFET選型的幾點(diǎn)經(jīng)驗(yàn)分享

和小功率MOSFET類(lèi)似，功率MOSFET也有分為N溝道和P溝道兩大類(lèi);每個(gè)大類(lèi)又分為增強(qiáng)型和耗盡型兩種。

2023-10-25 10:42:27

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Littelfuse推出首款汽車(chē)級(jí)PolarP P通道功率MOSFET產(chǎn)品IXTY2P50PA

Littelfuse宣布推出首款汽車(chē)級(jí)PolarP P通道功率MOSFET產(chǎn)品 IXTY2P50PA。這個(gè)創(chuàng)新的產(chǎn)品設(shè)計(jì)能滿(mǎn)足汽車(chē)應(yīng)用的嚴(yán)苛要求，提供卓越的性能和可靠性。

2023-10-25 09:43:25

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PC6688多節(jié)鋰電池3A/10V充電芯片ESOP10/QFN16超小體積封裝

無(wú)過(guò)熱風(fēng)險(xiǎn)的利率可選電池溫度監(jiān)測(cè)之前和充電期間的自動(dòng)睡眠模式低功率過(guò)電流保護(hù) ESOP10中的可用消耗符合RoHS，100%無(wú)鉛功能引腳描述典型應(yīng)用電路ESOP10 QFN16 應(yīng)用程序便攜式

2023-10-24 10:20:35

英飛凌科技、現(xiàn)代汽車(chē)和起亞達(dá)成為期多年的Si功率半導(dǎo)體供應(yīng)協(xié)議

英飛凌科技、現(xiàn)代汽車(chē)公司和起亞公司達(dá)成了一項(xiàng)為期多年的SiC和Si功率半導(dǎo)體供應(yīng)協(xié)議。英飛凌將建設(shè)并儲(chǔ)備制造能力，為現(xiàn)代/起亞提供SiC和Si功率模塊和芯片，直至2030年?，F(xiàn)代/起亞將提供資金支持

2023-10-23 15:40:35

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汽車(chē)電子系統(tǒng)功率MOSFET的解決方案

汽車(chē)電子MOSFET發(fā)展的一個(gè)最終方向是提高感測(cè)、控制和保護(hù)功率開(kāi)關(guān)的性能。功率器件正集成到智能化車(chē)載系統(tǒng)中。現(xiàn)在在最低功率級(jí)別，MOSFET可以與功率器件上的感測(cè)元件一起使用。

2023-10-20 11:44:58

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英飛凌推出更智能的新一代胎壓監(jiān)測(cè)傳感器XENSIV SP49

據(jù)麥姆斯咨詢(xún)報(bào)道，汽車(chē)技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（Infineon）近日宣布推出新款創(chuàng)新的胎壓監(jiān)測(cè)傳感器XENSIV? SP49。

2023-10-19 14:22:14

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Littelfuse推出800V N溝道耗盡型MOSFET CPC3981Z

Littelfuse 公司宣布推出CPC3981Z，一種800V、100mA、45歐姆小功率N溝道耗盡型MOSFET。

2023-10-18 09:13:28

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功率MOSFET結(jié)構(gòu)和參數(shù)解讀

眾所周知，由于采用了絕緣柵，功率MOSFET器件只需很小的驅(qū)動(dòng)功率，且開(kāi)關(guān)速度優(yōu)異。可以說(shuō)具有“理想開(kāi)關(guān)”的特性。其主要缺點(diǎn)是開(kāi)態(tài)電阻(RDS(on))和正溫度系數(shù)較高。本教程闡述了高壓N型溝道功率

2023-10-18 09:11:42

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英飛凌推出先進(jìn)的OptiMOS?功率MOSFET，進(jìn)一步擴(kuò)大采用PQFN 2x2 mm2封裝的MOSFET器件的產(chǎn)品陣容

全新的OptiMOS6 40V功率MOSFET以及OptiMOS5 25V和30V 功率MOSFET進(jìn)一步優(yōu)化了用于高性能設(shè)計(jì)的成熟OptiMOS技術(shù)。新產(chǎn)品采用超小型PQFN 2x2 mm2封裝，具備先進(jìn)的硅技術(shù)、穩(wěn)定可靠的封裝與極低的熱阻（RthJC最大值為3.2 K/W）。

2023-10-13 16:25:12

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英飛凌推出采用TOLx 封裝的全新車(chē)用60V和120V OptiMOS 5，適用于24 V-72 V 供電的大功率 ECU

單元（ECU）市場(chǎng)預(yù)計(jì)將在未來(lái)幾年持續(xù)增長(zhǎng)。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）針對(duì)這一發(fā)展趨勢(shì)，推出采用高功率TOLL、TOLG和TOLT封裝的新半導(dǎo)體產(chǎn)品

2023-10-13 13:57:36

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英飛凌攜手英飛源拓展新能源汽車(chē)充電市場(chǎng)

基于碳化硅（SiC）的功率半導(dǎo)體具有高效率、高功率密度、高耐壓和高可靠性等諸多優(yōu)勢(shì)，為實(shí)現(xiàn)新應(yīng)用和推進(jìn)充電站技術(shù)創(chuàng)新創(chuàng)造了機(jī)會(huì)。近日，英飛凌科技宣布與中國(guó)的新能源汽車(chē)充電市場(chǎng)領(lǐng)軍企業(yè)英飛源達(dá)成合作

2023-10-12 08:14:48

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英飛凌如何控制基于SiC功率半導(dǎo)體器件的可靠性呢？

英飛凌如何控制和保證基于 SiC 的功率半導(dǎo)體器件的可靠性

2023-10-11 09:35:49

686

MOSFET功率損耗詳細(xì)計(jì)算

MOSFET功率損耗的詳細(xì)計(jì)算

2023-09-28 06:09:39

如何避免功率MOSFET發(fā)生寄生導(dǎo)通

如何避免功率MOSFET發(fā)生寄生導(dǎo)通?

2023-09-18 16:54:35

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聊聊英飛凌的汽車(chē)模塊HybridPACK

新能源汽車(chē)的發(fā)展蒸蒸日上，對(duì)于半導(dǎo)體器件的要求，不僅僅是功率半導(dǎo)體都提出了更好的需求。作為功率半導(dǎo)體行業(yè)No.1的英飛凌也給我們呈現(xiàn)了多樣性的發(fā)展態(tài)勢(shì)，在很多時(shí)候它充當(dāng)了更多的是一個(gè)引領(lǐng)者的角色

2023-09-15 09:24:18

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搭載1200V P7芯片的PrimePACK?刷新同封裝功率密度

繼英飛凌1200VIGBT7T7芯片在中小功率模塊產(chǎn)品相繼量產(chǎn)并取得客戶(hù)認(rèn)可后，英飛凌最新推出了適用于大功率應(yīng)用場(chǎng)景的1200VIGBT7P7芯片，并將其應(yīng)用在PrimePACK模塊中，再次刷新

2023-09-14 08:16:10

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600 - 650V MDmesh DM9快速恢復(fù)SJ功率MOSFET提高了效率和穩(wěn)健性

和功率水平。這些快速恢復(fù)硅基功率MOSFET的器件適用于工業(yè)和汽車(chē)應(yīng)用，提供廣泛的封裝選項(xiàng)，包括長(zhǎng)引線(xiàn)TO-247、TO-LL，以及SOT223-2封裝。

2023-09-08 06:00:53

英飛凌推出先進(jìn)的OptiMOS?功率MOSFET，進(jìn)一步擴(kuò)大采用PQFN 2x2 mm2封裝的MOSFET器件的產(chǎn)品陣容

。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出先進(jìn)的全新OptiMOS?功率MOSFET，進(jìn)一步擴(kuò)大其采用PQFN 2x2 mm2封裝的功率MOSFET的產(chǎn)品陣容，此舉旨在提供功率半導(dǎo)體行業(yè)標(biāo)桿解決方案，在更小的封裝尺寸內(nèi)實(shí)現(xiàn)更高的效率和更加優(yōu)異的性能。新產(chǎn)品廣

2023-09-06 14:18:43

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英飛凌單管功率器件的SPICE模型解析及使用方法# #工欲善其事必先利其器，曬一曬你的工具庫(kù)

英飛凌功率器件模型

英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體發(fā)布于 2023-08-31 19:21:23

一文了解新能源汽車(chē)中包含多少種芯片

達(dá)等） 03****功率芯片：IGBT、碳化硅、功率MOSFET 功率半導(dǎo)體是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心，主要用于改變電子裝置中電壓和頻率、直流交流轉(zhuǎn)換等。在新能源汽車(chē)中，中高壓MOSFET

2023-08-25 11:32:31

東芝推出采用新型封裝的車(chē)載40V N溝道功率MOSFET

東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）宣布，推出兩款采用東芝新型S-TOGL（小型晶體管輪廓鷗翼式引腳）封裝與U-MOS IX-H工藝芯片的車(chē)載40V N溝道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。兩款產(chǎn)品已于8月17日開(kāi)始支持批量出貨。

2023-08-24 11:19:10

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功率MOSFET數(shù)據(jù)手冊(cè)技術(shù)解析

功率MOSFET數(shù)據(jù)表參數(shù)

2023-08-24 09:13:06

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東芝推出采用新型封裝的車(chē)載40V N溝道功率MOSFET，有助于汽車(chē)設(shè)備實(shí)現(xiàn)高散熱和小型化

東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出兩款采用東芝新型S-TOGLTM（小型晶體管輪廓鷗翼式引腳）封裝與U-MOS IX-H工藝芯片的車(chē)載40V N溝道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。兩款產(chǎn)品于今日開(kāi)始支持批量出貨。

2023-08-22 11:03:21

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TOLL封裝MOSFET系列

產(chǎn)品推薦 | TOLL封裝MOSFET系列

2023-08-16 09:17:34

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安森德新推出ASDM100R090NKQ全橋MOSFET功率管

隨著現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)小型化和高效率的要求不斷提高,對(duì)電源管理芯片的技術(shù)也提出了更高要求。針對(duì)此趨勢(shì),安森德半導(dǎo)體公司推出了新一代異步整流MOSFET—ASDM100R090NKQ。這款100V N溝道功率MOSFET憑借其卓越的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)性能參數(shù),將助您的設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)更高功率密度和轉(zhuǎn)換效率。

2023-08-14 15:04:45

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英飛凌StrongIRFET 2：提供高效可靠的功率開(kāi)關(guān)解決方案

TO-220和TO-220 FullPack 封裝的StrongIRFET 2是新一代功率MOSFET技術(shù)，它解決了廣泛的應(yīng)用，如適配器，電視、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電動(dòng)滑板車(chē)、電池管理、輕型電動(dòng)汽車(chē)、機(jī)器人、電源和園藝工具。

2023-07-19 10:44:25

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英飛凌與賽米控簽署多年期批量供應(yīng)硅基電動(dòng)汽車(chē)芯片協(xié)議

據(jù)分析師預(yù)測(cè)，到2028年，采用完全或部分電氣化動(dòng)力傳動(dòng)系統(tǒng)的汽車(chē)將占汽車(chē)產(chǎn)量的三分之二。? 電動(dòng)汽車(chē)的快速增長(zhǎng)推動(dòng)了功率半導(dǎo)體的需求。在此背景下，英飛凌科技股份有限公司（FSE: IFX

2023-07-17 15:33:06

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英飛凌與賽米控丹佛斯達(dá)成車(chē)用功率芯片供貨協(xié)議

英飛凌汽車(chē)部門(mén)總經(jīng)理Peter Schiefer表示：“作為汽車(chē)半導(dǎo)體領(lǐng)域的全球領(lǐng)軍人物，英飛凌為干凈、安全的乘車(chē)券提供改變格局的解決方案。今天，igbt和二極管通過(guò)電力動(dòng)力系統(tǒng)的有效電力轉(zhuǎn)換，對(duì)電動(dòng)汽車(chē)產(chǎn)業(yè)的轉(zhuǎn)換起到了重要的作用。

2023-07-14 10:50:02

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功率場(chǎng)效應(yīng)管的基本特性，如何提高功率MOSFET的動(dòng)態(tài)性能

MOSFET的漏伏安特性（輸出特性）：截止區(qū)（對(duì)應(yīng)GTR的截止區(qū)）;飽和區(qū)（對(duì)應(yīng)于GTR的放大區(qū)）;非飽和區(qū)（對(duì)應(yīng)于GTR的飽和區(qū)）。功率MOSFET在開(kāi)關(guān)狀態(tài)下工作，即截止區(qū)域和不飽和區(qū)之間的轉(zhuǎn)換

2023-07-04 16:46:37

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功率MOSFET基本結(jié)構(gòu)：平面結(jié)構(gòu)

功率 MOSFET 即金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（ Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor ）有三個(gè)管腳，分別為柵極（ Gate

2023-06-28 08:39:35

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耗盡型功率MOSFET：被忽略的MOS產(chǎn)品

功率MOSFET最常用于開(kāi)關(guān)型應(yīng)用中，發(fā)揮著開(kāi)關(guān)的作用。

2023-06-27 17:41:20

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英飛凌推出新一代面向汽車(chē)應(yīng)用的OptiMOS 7 40V MOSFET系列

英飛凌科技汽車(chē) MOSFET 產(chǎn)品線(xiàn)高級(jí)副總裁 Axel Hahn 表示：“OptiMOS 7 40V MOSFET 系列將在功率密度、電流能力和芯片耐用性方面樹(shù)立新標(biāo)桿。

2023-06-26 13:10:00

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行業(yè)應(yīng)用||安森德SJ MOSFET產(chǎn)品在充電樁上的應(yīng)用

廣，不管是在居民區(qū)、商業(yè)區(qū)或是高速公路服務(wù)區(qū)，都能使用充電樁為新能源電動(dòng)汽車(chē)便捷充電。安森德憑借在半導(dǎo)體功率器件和封裝領(lǐng)域的技術(shù)積累，研發(fā)出同類(lèi)別性能優(yōu)異的超級(jí)結(jié)MOSFET，具備更高性能、能效和更低

2023-06-13 16:30:37

英飛凌推出新一代雙通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器IC，提升SMPS設(shè)計(jì)的系統(tǒng)性能

【 2023 年 5 月 15 日，德國(guó)慕尼黑訊】如今，3.3 kW的開(kāi)關(guān)電源（SMPS）通過(guò)采用圖騰柱PFC級(jí)中的超結(jié)（SJ硅）功率MOSFET和碳化硅（SiC）功率MOSFET，以及能夠滿(mǎn)足

2023-06-07 15:16:56

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英飛凌推出面向汽車(chē)應(yīng)用的新型 OptiMOS? 7 40V MOSFET系列，改進(jìn)導(dǎo)通電阻、提升開(kāi)關(guān)效率和設(shè)計(jì)魯棒性

最新一代面向汽車(chē)應(yīng)用的功率 MOSFET，OptiMOS? 7 40V MOSFET提供多種無(wú)引腳、堅(jiān)固的功率封裝。該系列產(chǎn)品采用了 300 毫米薄晶圓技術(shù)和創(chuàng)新的封裝，相比于其它采用微型封裝的器件，具有

2023-06-06 11:01:36

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PRISEMI芯導(dǎo)產(chǎn)品推薦 | TOLL封裝MOSFET系列

PRISEMI芯導(dǎo)產(chǎn)品推薦 | TOLL封裝MOSFET系列

2023-06-06 10:02:58

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功率MOSFET基本結(jié)構(gòu)：平面結(jié)構(gòu)

功率MOSFET即金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）有三個(gè)管腳，分別為柵極（Gate

2023-06-05 15:12:10

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分立3.3 kV SiC MOSFET關(guān)鍵指標(biāo)的分析

理由相信潮流正在轉(zhuǎn)變。正如TechInsights在不久前發(fā)布的PCIM Europe 2023 -產(chǎn)品公告和亮點(diǎn)博客[4]文章中所討論的那樣，英飛凌宣布推出采用3.3 kV SiC MOSFET芯片的CoolSiCTM XHPTM 2大功率模塊[5]。

2023-06-03 12:30:58

382

功率模組封裝代工

功率模組封裝代工功率模塊封裝是指其中在一個(gè)基板上集成有一個(gè)或多個(gè)開(kāi)關(guān)元件的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品，所述開(kāi)關(guān)元件包括絕緣柵雙極晶體管(IGBT)、二極管、金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)、晶閘管

2023-05-31 09:32:31

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芯導(dǎo)科技推出的一系列TOLL封裝的MOSFET產(chǎn)品

TOLL（Transistor Outline Leadless）封裝的MOSFET，由于其封裝形式具有小體積、低封裝電阻、低寄生電感、低熱阻等特點(diǎn)，已經(jīng)在電動(dòng)自行車(chē)、電動(dòng)摩托車(chē)、鋰電保護(hù)、通信電源等終端客戶(hù)得到廣泛使用。

2023-05-26 09:52:42

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功率MOSFET驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路方案大全

分享功率MOSFET驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路方案大全，希望能幫助大家

2023-05-24 10:22:02

采用增強(qiáng)互連封裝技術(shù)的1200 V SiC MOSFET單管設(shè)計(jì)高能效焊機(jī)

的TO-247封裝，其非常規(guī)封裝和熱設(shè)計(jì)方法通過(guò)改良設(shè)計(jì)提高了能效和功率密度。 ? 文：英飛凌科技高級(jí)應(yīng)用工程師Jorge Cerezo ? 逆變焊機(jī)通常是通過(guò)功率模塊解決方案設(shè)計(jì)來(lái)實(shí)現(xiàn)更高輸出功率，從而幫助降低節(jié)能焊機(jī)的成本、重量和尺寸[1]。 ? 在焊機(jī)行業(yè)，諸如提高效率、降

2023-05-23 17:14:18

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功率MOSFET怎樣關(guān)斷？能否用PWM實(shí)現(xiàn)？

功率MOSFET怎樣關(guān)斷？能否用PWM實(shí)現(xiàn)？怎樣實(shí)現(xiàn)？

2023-05-08 16:16:27

功率器件頂部散熱封裝技術(shù)的優(yōu)勢(shì)及普及挑戰(zhàn)

不久前，英飛凌科技股份公司宣布其適用于高壓MOSFET的QDPAK和DDPAK頂部散熱（TSC）封裝技術(shù)正式注冊(cè)為JEDEC標(biāo)準(zhǔn)。

2023-04-29 03:28:00

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英飛凌推出業(yè)界首款 LPDDR 閃存，助力打造下一代汽車(chē)電子電氣架構(gòu)

【 2023 年 4 月 25 日，德國(guó)慕尼黑訊】 英飛凌科技股份公司（FSE 代碼：IFX / OTCQX 代碼：IFNNY）推出業(yè)界首款 LPDDR 閃存，助力打造下一代汽車(chē)電子電氣

2023-04-26 11:10:57

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英飛凌適合高功率應(yīng)用的QDPAK和DDPAK頂部冷卻封裝注冊(cè)為JEDEC標(biāo)準(zhǔn)

為了應(yīng)對(duì)相應(yīng)的挑戰(zhàn)，英飛凌科技股份公司宣布其高壓MOSFET 適用的 QDPAK 和 DDPAK 頂部冷卻 (TSC) 封裝已成功注冊(cè)為 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)。

2023-04-13 16:54:25

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英飛凌與臺(tái)達(dá)電子簽署電動(dòng)汽車(chē)合作備忘錄

日前，英飛凌與臺(tái)達(dá)電子宣布將其長(zhǎng)期合作范圍由工業(yè)拓展至汽車(chē)應(yīng)用。同時(shí)雙方已簽署一份長(zhǎng)期合作備忘錄，旨在深化雙方的合作與創(chuàng)新，為飛速增長(zhǎng)的電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)提供更高功率密度與能源效率的解決方案

2023-04-06 11:56:30

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KUU推出SOT-723封裝MOSFET

KUU推出超小型SOT-723封裝MOSFET，特別為空間受限的便攜式應(yīng)用優(yōu)化的新一代MOSFET，這些新低閾值電壓MOSFET采用KUU先進(jìn)的溝槽工藝技術(shù)來(lái)取得能夠和SOT-523等大上許多封裝

2023-04-04 16:10:39

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英飛凌科技推出汽車(chē)封裝無(wú)鉛功率MOSFET

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