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電子發(fā)燒友網(wǎng)>電源/新能源>功率器件>e絡(luò)盟進(jìn)一步擴(kuò)充英飛凌CoolMOS與OptiMOS系列功率MOSFET

e絡(luò)盟進(jìn)一步擴(kuò)充英飛凌CoolMOS與OptiMOS系列功率MOSFET

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2013-02-25 08:53:001733

CE系列高壓MOSFET:專為消費(fèi)類電子和照明而生

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2015-03-24 13:50:073701

支持功率因數(shù)校正和反激拓?fù)涞男滦?50 V CoolMOS P7超結(jié)MOSFET器件

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Teledyne e2v進(jìn)一步擴(kuò)充Lince系列新推Lince11M圖像傳感器

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2019-04-15 11:37:451247

英飛凌OptiMOS?源極底置功率MOSFET系列新添PQFN封裝的40 V裝置

OptiMOS SD 40 V低電壓功率 MOSFET 提供兩種版本:標(biāo)準(zhǔn)版和中央柵極版。中央柵極版針對(duì)多部裝置并聯(lián)作業(yè)進(jìn)行了優(yōu)化。
2020-11-04 11:20:371482

e絡(luò)盟開售博通緊湊型光譜儀,進(jìn)一步擴(kuò)充測試與分析產(chǎn)品陣容

安富利旗下全球電子元器件產(chǎn)品與解決方案分銷商e絡(luò)盟宣布新增博通全新系列微型光譜儀及相關(guān)評(píng)估套件,進(jìn)一步擴(kuò)充其測試與測量產(chǎn)品陣容。新增系列產(chǎn)品讓現(xiàn)場工程師與實(shí)驗(yàn)室工程師只需通過e絡(luò)盟即可便捷地購買到業(yè)內(nèi)一流的光譜儀,均可當(dāng)日發(fā)貨。
2022-01-18 13:51:18600

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:IFNNY)順應(yīng)系統(tǒng)層面的發(fā)展趨勢(shì),推出業(yè)界首款15 V溝槽功率MOSFET ——全新OptiMOS? 7系列。OptiMOS? 7 15 V系列于服務(wù)器、計(jì)算、數(shù)據(jù)中心和人工智能應(yīng)用上提升DC-DC轉(zhuǎn)換率
2023-12-12 18:04:37494

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2022-08-09 15:17:41

***進(jìn)一步削減太陽能光伏上網(wǎng)電價(jià)補(bǔ)貼

近日,***進(jìn)一步削減其2013年上網(wǎng)電價(jià)補(bǔ)貼,削減幅度為9.23%至11.88%,而同時(shí)將其太陽能發(fā)電裝機(jī)容量目標(biāo)提高30%?! ?jù)***媒體報(bào)道,***經(jīng)濟(jì)部能源局(BureauofEnergy
2012-12-04 19:50:52

CoolMOS CFD2有效提升電源系統(tǒng)的可靠性

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2018-12-05 09:56:02

E4406A達(dá)到adc對(duì)齊時(shí)不會(huì)更進(jìn)一步

你好E4406A有問題----當(dāng)我啟動(dòng)時(shí) - 設(shè)備按我的意愿啟動(dòng)自動(dòng)對(duì)齊,但是當(dāng)它達(dá)到adc對(duì)齊時(shí)它不會(huì)更進(jìn)一步。根本沒有消息??梢杂胊bort終止它,并且分析儀似乎正常工作---- ??我可以用
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2023-03-16 15:03:17

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進(jìn)一步減少所需的組件?! {借英飛凌50V LDMOS功率晶體管技術(shù),PTVA127002EV展現(xiàn)出了極高的能效:利用300微秒10%占空比脈沖進(jìn)行測量,在1200 MHz~1400 MHz波段下
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進(jìn)一步提高UPS電源的可靠性

及設(shè)備用電安全的需要,更進(jìn)一步提高電源的可靠性,及時(shí)發(fā)現(xiàn)供電隱患,提高設(shè)備的運(yùn)行壽命,對(duì)電源進(jìn)行在線管理已經(jīng)成為普遍的需求。針對(duì)早期的UPS電源的RS232標(biāo)準(zhǔn),已經(jīng)無法滿足目前計(jì)算機(jī)硬件及軟件技...
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進(jìn)一步理解量子力學(xué)經(jīng)典 多方面豐富相關(guān)圖表

進(jìn)一步理解量子力學(xué)經(jīng)典理論與應(yīng)用 多方面豐富相關(guān)圖表為了進(jìn)一步深入理解量子力學(xué)理論經(jīng)典及其應(yīng)用,從多個(gè)方面豐富內(nèi)容,附圖頁碼致,符合國際標(biāo)準(zhǔn)。聲學(xué),聲波自然現(xiàn)象,以及經(jīng)典原子理論的應(yīng)用等對(duì)理解量子力學(xué)經(jīng)典之波的概念有益。大灣區(qū)2020-8-2
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2018-12-05 09:46:52

智能工業(yè)自動(dòng)化方案匯總

基于“中國制造2025”,業(yè)界已加大投入發(fā)展先進(jìn)制造業(yè),以實(shí)現(xiàn)互聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)、人工智能和實(shí)體經(jīng)濟(jì)的進(jìn)一步融合,并建立世界級(jí)先進(jìn)的制造業(yè)集群,推動(dòng)國家產(chǎn)業(yè)邁向全球價(jià)值鏈的中高端。作為電子元器件與開發(fā)
2018-09-05 10:53:24

有什么方法可以進(jìn)一步提高AD7714的分辨率?。?/a>

請(qǐng)問C6748通過攝像頭采集的圖像如何進(jìn)一步處理,如導(dǎo)入到MATLAB里面處理?

C6748通過攝像頭采集的圖像如何進(jìn)一步處理,比如如何導(dǎo)入到MATLAB里面處理??
2018-07-25 06:23:56

請(qǐng)問如何進(jìn)一步減小DTC控制系統(tǒng)的轉(zhuǎn)矩脈動(dòng)?

如何進(jìn)一步減小DTC控制系統(tǒng)的轉(zhuǎn)矩脈動(dòng)?
2023-10-18 06:53:31

采用第3代SiC-MOSFET,不斷擴(kuò)充產(chǎn)品陣容

%。這非常有望進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)應(yīng)用的高效化和小型化。全SiC功率模塊的產(chǎn)品陣容擴(kuò)充下表為全SiC功率模塊的產(chǎn)品陣容現(xiàn)狀。除BSM180D12P3C007外,采用第2代SiC-MOSFET的產(chǎn)品陣容中也增添了
2018-12-04 10:11:50

針對(duì)安全應(yīng)用的恩智浦Freedom K82F開發(fā)板

  e絡(luò)日前宣布推出新型恩智浦FRDM-K82F開發(fā)板,進(jìn)一步豐富其面向基于ARM Cortex-M4內(nèi)核的Kinetis K82、K81及K80 MCU系列高性能、低功耗及安全微控制器
2018-09-17 17:41:34

英飛凌欲借新一代超結(jié)MOSFET樹立硬開關(guān)應(yīng)用基準(zhǔn)

英飛凌欲借新一代超結(jié)MOSFET樹立硬開關(guān)應(yīng)用基準(zhǔn) 英飛凌日前在深圳宣布推出下一代600V MOSFET產(chǎn)品―― CoolMOS C6系列。600V C6系列融合了C3和CP兩個(gè)產(chǎn)品系列的優(yōu)勢(shì),可降低設(shè)
2009-06-23 21:17:44594

Altera增強(qiáng)MAX II系列進(jìn)一步拓展其CPLD應(yīng)用

Altera增強(qiáng)MAX II系列,進(jìn)一步拓展其CPLD應(yīng)用 Altera公司宣布,提供工業(yè)級(jí)溫度范圍以及功耗更低的MAX IIZ器件,從而進(jìn)一步增強(qiáng)了MAX II CPLD系列。MAX IIZ CPLD完美的結(jié)合了邏輯
2009-11-05 09:53:581283

英飛凌推出200V和250V OptiMOS系列器件

英飛凌推出200V和250V OptiMOS系列器件   英飛凌科技股份公司近日宣布推出200V和250V OptiMOSTM系列器件,進(jìn)一步擴(kuò)大OptiMOSTM產(chǎn)品陣容。全新200V和250V器件適用于48V系統(tǒng)
2010-01-26 09:22:57827

英飛凌推出25V OptiMOS調(diào)壓MOSFET和DrMOS

英飛凌推出25V OptiMOS調(diào)壓MOSFET和DrMOS系列      為提高計(jì)算和電信產(chǎn)品的能效,英飛凌科技股份公司近日宣布,公司將在2010年應(yīng)用電力電子會(huì)議和產(chǎn)品展示
2010-03-01 11:20:47731

英飛推出全新650V 高性能功率MOSFET系列

英飛凌科技股份公司近日推出全新的650V CoolMOS C6/E6高性能功率MOSFET系列。該產(chǎn)品系列將現(xiàn)代超級(jí)結(jié)(SJ)器件的優(yōu)勢(shì)(如低導(dǎo)通電阻和低容性開關(guān)損耗)與輕松控制的開關(guān)行為、及
2010-07-05 08:48:261672

全新30V MOSFET 的N溝道器件OptiMOS-T2

基于英飛凌適用于功率MOSFET的功能強(qiáng)大的第二代溝槽技術(shù),OptiMOS-T2器件成為大電流汽車電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用、電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向(EPS)系統(tǒng)和汽車啟停系統(tǒng)的理想解決方案。 出于成
2010-08-09 09:08:22557

英飛凌推出單P溝道40V汽車電源MOSFET產(chǎn)品:OptiMOS P2

英飛凌科技股份公司近日宣布推出采用先進(jìn)溝道工藝制造的全新單P溝道40V汽車電源MOSFET產(chǎn)品系列。全新的40V OptiMOS P2產(chǎn)品為能效改進(jìn)、碳減排和成本節(jié)約樹立了行業(yè)新標(biāo)桿,從而進(jìn)一步
2011-09-13 08:33:16692

英飛凌推出新型汽車電源管理40V P通道OptiMOS P2系列

英飛凌科技推出采用先進(jìn)溝槽技術(shù)制程的最新單一P通道40V汽車電源MOSFET系列產(chǎn)品。新型40V OptiMOS P2產(chǎn)品為提升能源效率、減少CO2排放及節(jié)省成本設(shè)立新的基準(zhǔn)
2011-09-28 19:35:41648

飛兆半導(dǎo)體和英飛凌進(jìn)一步擴(kuò)展功率MOSFET兼容協(xié)議

飛兆半導(dǎo)體公司和英飛凌科技宣布進(jìn)一步擴(kuò)展封裝兼容合作伙伴關(guān)系,擴(kuò)展協(xié)議將包括5x6mm非對(duì)稱結(jié)構(gòu)功率級(jí)雙MOSFET封裝。
2012-02-09 09:18:22807

飛兆和英飛凌進(jìn)一步擴(kuò)展功率MOSFET兼容協(xié)議

全球領(lǐng)先的高性能功率和便攜產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor)和英飛凌科技(Infineon Technologies)宣布,兩家公司進(jìn)一步擴(kuò)展封裝兼容合作伙伴關(guān)系,擴(kuò)展協(xié)議將包括5
2012-02-17 10:53:56686

英飛凌推出OptiMOS 5 25V和30V產(chǎn)品家族,能效高達(dá)95%以上

2015年3月24日,德國慕尼黑訊——英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)今日推出了OptiMOS? 5 25V和30V產(chǎn)品家族,它們是采用標(biāo)準(zhǔn)分立式封裝的新一代功率MOSFET。
2015-04-01 14:06:081313

世強(qiáng)與進(jìn)芯電子達(dá)成代理協(xié)議 進(jìn)一步擴(kuò)充產(chǎn)品線

世強(qiáng)作為中國本土最知名的元件分銷商,進(jìn)芯電子專注數(shù)字信號(hào)處理芯片研發(fā)。據(jù)報(bào)道,世強(qiáng)宣布與進(jìn)芯電子達(dá)成代理協(xié)議,進(jìn)一步擴(kuò)充產(chǎn)品線,銷售其全線產(chǎn)品。
2018-02-03 10:57:011262

英飛凌科技股份公司進(jìn)一步壯大1200 V單管IGBT產(chǎn)品組合陣容

英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)進(jìn)一步壯大1200 V單管IGBT產(chǎn)品組合陣容,推出最高電流達(dá)75 A的新產(chǎn)品系列。TO-247PLUS封裝同時(shí)還集成
2018-05-18 09:04:001989

英飛凌公司獨(dú)特的封裝技術(shù):最新CoolMOS系列MOSFET問世

20世紀(jì)80年代末期和90年代初期發(fā)展起來的以功率MOSFET和IGBT為代表的集高頻、高壓和大電流于一身的功率半導(dǎo)體復(fù)合器件,表明傳統(tǒng)電源技術(shù)已經(jīng)進(jìn)入現(xiàn)代電源技術(shù)的新興時(shí)代。詳細(xì)介紹了英飛凌公司
2018-06-26 16:48:007652

東芝推出新一代超結(jié)功率MOSFET,進(jìn)一步提高電源效率

東芝宣布推出新一代超結(jié)功率MOSFET,新器件進(jìn)一步提高電源效率。在這個(gè)連小學(xué)生做作業(yè)都講求高效率的年代,還有什么是高效率不能解決的呢?
2018-09-13 15:54:155102

關(guān)于OptiMOS 5 150V功率MOSFET的性能分析和應(yīng)用

SuperSO8封裝:OptiMOS 5 150V功率MOSFET此次提供了尺寸更小的SuperSO8封裝,堪稱封裝界的best-in-class級(jí)別,相比于TO-220封裝,SuperSO8將在減少封裝電感的基礎(chǔ)上進(jìn)一步增大功率密度、減少漏源電壓V DS的尖峰。
2019-09-25 10:28:174535

Qorvo 收購Decawave和Custom MMIC進(jìn)一步擴(kuò)充公司的產(chǎn)品線

Qorvo?, Inc.(納斯達(dá)克代碼:QRVO)宣布收購專注于UWB定位技術(shù)的企業(yè)Decawave,進(jìn)一步擴(kuò)充公司的產(chǎn)品線。
2020-02-25 11:23:142539

英飛凌推出650V SiC MOSFET,低壓SiC市場競爭激烈

英飛凌宣布推出650V SiC MOSFET,標(biāo)志著公司進(jìn)一步增強(qiáng)了在低壓SiC領(lǐng)域的布局,650V CoolSiC MOSFET系列
2020-05-09 15:07:504267

英飛凌推出全新的OptiMOS?源極底置功率MOSFET

英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)推出了新一代OptiMOS? 源極底置(Source-Down,簡稱SD)功率MOSFET,為解決終端應(yīng)用中的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)提供切實(shí)可行的解決方案。
2022-02-15 13:51:382073

英飛凌將投資逾20億歐元在馬來西亞居林前道工廠擴(kuò)大寬禁帶半導(dǎo)體的產(chǎn)能,進(jìn)一步增強(qiáng)市場領(lǐng)導(dǎo)地位

英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)將顯著擴(kuò)大寬禁帶(碳化硅和氮化鎵)半導(dǎo)體的產(chǎn)能,進(jìn)一步鞏固和增強(qiáng)其在功率半導(dǎo)體市場的領(lǐng)導(dǎo)地位。
2022-02-21 16:47:15835

什么是OptiMOS MOSFET

OptiMOS 已經(jīng)成為采用英飛凌獨(dú)特技術(shù)的中低耐壓 MOSFET 的商標(biāo),有多種耐壓、RDS(on)、封裝,適用于汽車和消費(fèi)類應(yīng)用。英飛凌功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的市場占有率位居全球第一,特別是在汽車
2022-08-19 15:05:053319

什么是 CoolMOS? MOSFET CFD7?

CoolMOS? CFD7 是英飛凌最新具有集成快速體二極管的高壓 superjunction MOSFET 技術(shù),補(bǔ)全了 CoolMOS? 7 系列。
2022-09-30 17:09:321182

使用 OptiMOS? 6 MOSFET 優(yōu)化電源設(shè)計(jì)

使用 OptiMOS? 6 MOSFET 優(yōu)化電源設(shè)計(jì)
2022-12-29 10:02:53785

英飛凌推出新一代面向汽車應(yīng)用的OptiMOS 7 40V MOSFET系列

英飛凌科技汽車 MOSFET 產(chǎn)品線高級(jí)副總裁 Axel Hahn 表示:“OptiMOS 7 40V MOSFET 系列將在功率密度、電流能力和芯片耐用性方面樹立新標(biāo)桿。
2023-06-26 13:10:00302

英飛凌推出OptiMOS 7技術(shù)的40V車規(guī)MOSFET產(chǎn)品系列

采用OptiMOS 7 技術(shù)的40V車規(guī)MOSFET產(chǎn)品系列,進(jìn)一步提升比導(dǎo)通電阻,減小RDSON*A,即在同樣的晶圓面積下實(shí)現(xiàn)更低的RDSON,或者說在更小的晶圓面積下實(shí)現(xiàn)相同的RDSON。
2023-07-03 16:11:12678

英飛凌收購超寬帶先驅(qū)3db Access,進(jìn)一步加強(qiáng)其連接產(chǎn)品系列

提供商適用于各大汽車品牌。此次收購進(jìn)一步增強(qiáng)了英飛凌在安全智能訪問、精確定位和增強(qiáng)傳感方面的產(chǎn)品系列。英飛凌現(xiàn)在將UWB添加到其連接范圍中,包括Wi-Fi、Bluetooth?/Bluetooth? 低功耗和NFC解決方案。第一組物聯(lián)網(wǎng)用例包括安全訪問和身份驗(yàn)證、準(zhǔn)確位置跟蹤和室內(nèi)導(dǎo)航,以及利用
2023-10-12 17:25:42299

英飛凌推出先進(jìn)的OptiMOS?功率MOSFET進(jìn)一步擴(kuò)大采用PQFN 2x2 mm2封裝的MOSFET器件的產(chǎn)品陣容

全新的OptiMOS6 40V功率MOSFET以及OptiMOS5 25V和30V 功率MOSFET進(jìn)一步優(yōu)化了用于高性能設(shè)計(jì)的成熟OptiMOS技術(shù)。新產(chǎn)品采用超小型PQFN 2x2 mm2封裝,具備先進(jìn)的硅技術(shù)、穩(wěn)定可靠的封裝與極低的熱阻(RthJC最大值為3.2 K/W)。
2023-10-13 16:25:12518

英飛凌推出首款采用OptiMOS 7技術(shù)的15 V溝槽功率MOSFET

英飛凌推出業(yè)內(nèi)首款采用全新 OptiMOS 7 技術(shù)的 15 V 溝槽功率 MOSFET。這項(xiàng)技術(shù)經(jīng)過系統(tǒng)和應(yīng)用優(yōu)化,主要應(yīng)用于服務(wù)器和計(jì)算應(yīng)用中的低輸出電壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換。英飛凌是首家推出15
2023-12-29 12:30:49363

英飛凌重組銷售與營銷組織,進(jìn)一步提升以客戶為中心的服務(wù)及領(lǐng)先的應(yīng)用支持能力

【 2024 年 2 月 28 日,德國慕尼黑訊】 為實(shí)現(xiàn)有雄心的增長目標(biāo),英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)正進(jìn)一步強(qiáng)化其銷售組織。自3月1日起,英飛凌的銷售
2024-03-01 16:31:3078

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