300nm晶圓首次用于制造功率器件，英飛凌推出超結(jié)MOSFET

　　英飛凌科技公司將“全球首次”使用口徑300mm的硅晶圓制造功率半導(dǎo)體。具體產(chǎn)品是有超結(jié)（Super Junction）構(gòu)造的功率MOSFET“CoolMOS系列產(chǎn)品”，由奧地利菲拉赫工廠生產(chǎn)。據(jù)介紹，該產(chǎn)品已于2013年2月接到了第一筆訂單。

　　英飛凌目前正在使用200mm晶圓制造功率MOSFET。換成300mm晶圓以后，一塊晶圓可生產(chǎn)的芯片數(shù)量將增至2.5倍。

　　在菲拉赫工廠，今后300mm技術(shù)將取代200mm成為核心技術(shù)。

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MOSFET(209664) MOSFET(209664)
晶圓(126258) 晶圓(126258)
功率器件(89421) 功率器件(89421)

評(píng)論

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。特別是，封裝源極寄生電感是是器件控制的關(guān)鍵因素。在本文中，英飛凌提出了一種用于快速開關(guān)超結(jié)MOSFET的最新推出的TO247 4引腳器件封裝解決方案。這個(gè)解決方案將源極連接分為兩個(gè)電流路徑；一個(gè)用于

2018-10-08 15:19:33

揭秘切割晶圓過程——晶圓就是這樣切割而成

過處理之后成為光罩這些就是最后完成的晶圓成品接下來看晶圓切割形成成品之后的晶圓還要經(jīng)過切割才能成為應(yīng)用于芯片制造。這里演示的就是晶圓切割放大觀看接下來是演示經(jīng)過切割的晶圓的一些應(yīng)用。可以應(yīng)用于芯片制造、液晶顯示屏制造或者手機(jī)芯片制造等。 ``

2011-12-01 15:02:42

測(cè)量功率器件的結(jié)溫常用的方法

測(cè)量功率器件的結(jié)溫常用二種方法

2021-03-17 07:00:20

激光用于晶圓劃片的技術(shù)與工藝

激光用于晶圓劃片的技術(shù)與工藝      激光加工為無接觸加工，激光能量通過聚焦后獲得高能量密度，直接將硅片

2010-01-13 17:01:57

理解功率MOSFET管的電流

功率MOSFET來說，通常連續(xù)漏極電流是一個(gè)計(jì)算值。當(dāng)器件的封裝和芯片的大小一定時(shí)，如對(duì)于底部有裸露銅皮的封裝TO220，D2PAK，DFN5*6，DPAK等，那么器件的結(jié)到裸露銅皮的熱阻RqJC是一

2016-08-15 14:31:59

硅晶圓是什么？硅晶圓和晶圓有區(qū)別嗎？

`什么是硅晶圓呢，硅晶圓就是指硅半導(dǎo)體積體電路制作所用的硅晶片。晶圓是制造IC的基本原料。硅晶圓和晶圓有區(qū)別嗎？其實(shí)二者是一個(gè)概念。集成電路（IC）是指在一半導(dǎo)體基板上，利用氧化、蝕刻、擴(kuò)散等方法

2011-12-02 14:30:44

蘇州天弘激光推出新一代激光晶圓劃片機(jī)

;   2010年1月3日，蘇州天弘激光股份有限公司推出了新一代激光晶圓劃片機(jī)，該激光劃片機(jī)應(yīng)用于硅晶圓、玻璃披覆（玻鈍）二極管等半導(dǎo)體晶圓的劃片和切割，技術(shù)領(lǐng)先于國(guó)內(nèi)

2010-01-13 17:18:57

解析LED晶圓激光刻劃技術(shù)

及LED器件，這樣就很大程度上降低了LED晶圓的產(chǎn)出效率。激光加工是非接觸式加工，作為傳統(tǒng)機(jī)械鋸片切割的替代工藝，激光劃片切口非常小，聚焦后的激光微細(xì)光斑作用的晶圓表面迅速氣化材料，在LED有源區(qū)之間制造

2011-12-01 11:48:46

超級(jí)結(jié)MOSFET

，Si-MOSFET在這個(gè)比較中，導(dǎo)通電阻與耐壓略遜于IGBT和SiC-MOSFET，但在低～中功率條件下，高速工作表現(xiàn)更佳。平面MOSFET與超級(jí)結(jié)MOSFETSi-MOSFET根據(jù)制造工藝可分為平面

2018-11-28 14:28:53

超級(jí)結(jié)MOSFET的優(yōu)勢(shì)

等級(jí)，同時(shí)，在器件導(dǎo)通時(shí)，形成一個(gè)高摻雜N+區(qū)，作為功率MOSFET導(dǎo)通時(shí)的電流通路，也就是將反向阻斷電壓與導(dǎo)通電阻功能分開，分別設(shè)計(jì)在不同的區(qū)域，就可以實(shí)現(xiàn)上述的要求?；诔?b class="flag-6" style="color: red">結(jié)

2018-10-17 16:43:26

集成MOSFET如何提升功率密度

集成是固態(tài)電子產(chǎn)品的基礎(chǔ)，將類似且互補(bǔ)的功能匯集到單一器件中的能力驅(qū)動(dòng)著整個(gè)行業(yè)的發(fā)展。隨著封裝、晶圓處理和光刻技術(shù)的發(fā)展，功能密度不斷提高，在物理尺寸和功率兩方面都提供了更高能效的方案。對(duì)產(chǎn)品

2020-10-28 09:10:17

晶圓測(cè)溫系統(tǒng)，晶圓測(cè)溫?zé)犭娕迹?b class="flag-6" style="color: red">晶圓測(cè)溫裝置

晶圓測(cè)溫系統(tǒng)，晶圓測(cè)溫?zé)犭娕迹?b class="flag-6" style="color: red">晶圓測(cè)溫裝置一、引言隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，晶圓制造工藝對(duì)溫度控制的要求越來越高。熱電偶作為一種常用的溫度測(cè)量設(shè)備，在晶圓制造中具有重要的應(yīng)用價(jià)值。本文

2023-06-30 14:57:40

Vishay推出第三代TrenchFET功率MOSFET，采

Vishay推出第三代TrenchFET功率MOSFET，采用TurboFET技術(shù) 日前，Vishay Intertechnology推出兩款 20V 和兩款 30V n 通道器件，從而擴(kuò)展其第三代 TrenchFET 功率MOSFET 系列。這些器件首次采用 T

2008-12-08 11:55:09

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#硬聲創(chuàng)作季【為什么硅是制造晶圓的原材料？】人們常說的12英寸晶圓又是什么？

晶圓IC設(shè)計(jì)晶圓制造

Mr_haohao發(fā)布于 2022-10-21 09:59:45

#硬聲創(chuàng)作季【動(dòng)畫科普】晶圓制造流程：晶圓制造過程詳解

晶圓IC設(shè)計(jì)晶圓制造集成電路工藝

Mr_haohao發(fā)布于 2022-10-21 10:02:11

#硬聲創(chuàng)作季動(dòng)畫科普：硅晶圓是如何產(chǎn)生的——硅晶圓制造全流程，足夠通俗易懂

晶圓硅晶圓晶圓制造

Mr_haohao發(fā)布于 2022-10-21 10:30:25

英飛凌推出適用于節(jié)能家電的創(chuàng)新功率轉(zhuǎn)換器件

英飛凌推出適用于節(jié)能家電的創(chuàng)新功率轉(zhuǎn)換器件 英飛凌科技股份公司近日推出適用于節(jié)能家用電器電機(jī)驅(qū)動(dòng)裝置的功率轉(zhuǎn)換器件系列。全新的600V RC IGBT驅(qū)動(dòng)系列（RC指

2010-01-25 08:44:19

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英飛凌推出性能領(lǐng)先業(yè)界的200V和250V OptiMOST

英飛凌推出性能領(lǐng)先業(yè)界的200V和250V OptiMOSTM系列器件，壯大功率MOSFET 產(chǎn)品陣 2010年1月21日，德國(guó)Neubiberg訊——英飛凌科技股份公司（FSE：IFX / OTCQX： IFNNY）近

2010-01-26 09:25:27

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Toshiba推出高性能功率MOSFET TK系列

Toshiba推出高性能功率MOSFET TK系列 Toshiba推出新系列的功率MOSFET，這些功率MOSFET改善效率和具有快速開關(guān)速度，應(yīng)用工作電壓高達(dá)650V, 電流20A。新的TK系列器件適合用于各

2010-03-30 10:37:18

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飛兆和英飛凌簽署功率MOSFET兼容協(xié)議

飛兆和英飛凌簽署功率MOSFET兼容協(xié)議全球領(lǐng)先的高性能功率和移動(dòng)產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)和英飛凌科技(Infineon Technologies)宣布，兩家公司就采用MLP 3x

2010-04-26 08:50:51

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用于高壓功率MOSFET的全新無管腳SMD封裝ThinPAK

用于高壓功率MOSFET的全新無管腳SMD封裝ThinPAK 8x8 英飛凌科技股份公司近日推出適用于高壓功率MOSFET的全新無管腳SMD封裝ThinPAK 8x8。新封裝的占板空間

2010-05-12 18:17:18

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英飛推出全新650V 高性能功率MOSFET系列

英飛凌科技股份公司近日推出全新的650V CoolMOS C6/E6高性能功率MOSFET系列。該產(chǎn)品系列將現(xiàn)代超級(jí)結(jié)（SJ）器件的優(yōu)勢(shì)（如低導(dǎo)通電阻和低容性開關(guān)損耗）與輕松控制的開關(guān)行為、及

2010-07-05 08:48:26

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#2022慕尼黑華南電子展 #晶圓測(cè)試 #晶圓制造過程 #SSD開卡

晶圓晶圓制造

艾迪科電子發(fā)布于 2022-11-18 13:31:37

Vishay推出新器件SiZ300DT和SiZ910DT

Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出新器件---SiZ300DT和SiZ910DT---以擴(kuò)充用于低電壓DC/DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用的PowerPAIR?家族雙芯片不對(duì)稱功率MOSFET

2011-11-15 10:34:07

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英飛凌科技推出汽車封裝無鉛功率MOSFET

英飛凌科技股份公司(FSE：IFX / OTCQX：IFNNY)宣布推出汽車封裝類型的合格100%無鉛功率MOSFET

2011-12-08 10:42:45

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科銳推出芯片型碳化硅MOSFET功率器件

科銳公司(Nasdaq: CREE)將繼續(xù)引領(lǐng)高效率電子電力模組變革，宣布推出業(yè)界首款符合全面認(rèn)證的可應(yīng)用于電力電子模組的裸芯片型及芯片型碳化硅MOSFET功率器件。

2011-12-19 09:03:16

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全球MOSFET供應(yīng)吃緊，英飛凌發(fā)聲、中興加價(jià)掃貨！

近日英飛凌擬收購(gòu)ST半導(dǎo)體的消息受到廣泛關(guān)注，作為全球功率器件老大，英飛凌日前發(fā)布的財(cái)報(bào)顯示強(qiáng)勁的增長(zhǎng)，在全球MOSFET供應(yīng)吃緊，價(jià)格飆漲的形勢(shì)下，英飛凌稱部分MOSFET產(chǎn)品交貨時(shí)間超過26周，最長(zhǎng)達(dá)52周。

2018-08-06 11:25:41

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英飛凌功率器件在電機(jī)驅(qū)動(dòng)中的應(yīng)用

英飛凌功率器件在電機(jī)驅(qū)動(dòng)中的應(yīng)用說明。

2021-05-19 16:00:53

英飛凌推出全新的OptiMOS?源極底置功率MOSFET

英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）推出了新一代OptiMOS? 源極底置（Source-Down，簡(jiǎn)稱SD）功率MOSFET，為解決終端應(yīng)用中的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)提供切實(shí)可行的解決方案。

2022-02-15 13:51:38

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英飛凌推出采用PQFN 2x2封裝的OptiMOSTM 5 25V和30V功率MOSFET，樹立技術(shù)新標(biāo)準(zhǔn)

英飛凌科技近日推出了全新的采用PQFN 2 x 2 mm2 封裝的OptiMOSTM 5 25 V和30 V功率MOSFET產(chǎn)品系列，旨在為分立功率MOSFET技術(shù)樹立全新的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。

2022-03-14 17:39:16

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英飛凌IPOSIM平臺(tái)推出功率器件使用壽命評(píng)估服務(wù)，以簡(jiǎn)化半導(dǎo)體器件選型

英飛凌科技股份公司的功率器件在線仿真平臺(tái)IPOSIM被廣泛應(yīng)用于計(jì)算功率模塊、分立器件和平板器件的損耗及熱性能。

2022-03-22 16:51:05

662

功率器件MOSFET的物理開蓋手法

功率器件MOSFET的物理開蓋手法

2022-07-05 16:14:27

2252

車規(guī)級(jí)功率模塊封裝的現(xiàn)狀，SiC MOSFET對(duì)器件封裝的技術(shù)需求

1、SiC MOSFET對(duì)器件封裝的技術(shù)需求 2、車規(guī)級(jí)功率模塊封裝的現(xiàn)狀 3、英飛凌最新SiC HPD G2和SSC封裝 4、未來模塊封裝發(fā)展趨勢(shì)及看法

2023-10-27 11:00:52

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英飛凌推出首款采用OptiMOS 7技術(shù)的15 V溝槽功率MOSFET

英飛凌推出業(yè)內(nèi)首款采用全新 OptiMOS 7 技術(shù)的 15 V 溝槽功率 MOSFET。這項(xiàng)技術(shù)經(jīng)過系統(tǒng)和應(yīng)用優(yōu)化，主要應(yīng)用于服務(wù)器和計(jì)算應(yīng)用中的低輸出電壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換。英飛凌是首家推出15

2023-12-29 12:30:49

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300nm晶圓首次用于制造功率器件，英飛凌推出超結(jié)MOSFET

評(píng)論

300nm晶圓首次用于制造功率器件，英飛凌推出超結(jié)MOSFET