?????? ?一、MB 芯片
定義：Metal BONding (金屬粘著)芯片;該芯片屬于UEC 的專利產(chǎn)品。
特點(diǎn)：
1：采用高散熱系數(shù)的材料---Si 作為襯底、散熱容易。
2：通過金屬層來接合(wafer bonding)磊晶層和襯底，同時(shí)反射光子，避免襯底的吸收。
3: 導(dǎo)電的Si 襯底取代GaAs 襯底，具備良好的熱傳導(dǎo)能力(導(dǎo)熱系數(shù)相差3~4 倍)，更適應(yīng)于高驅(qū)動(dòng)電流領(lǐng)域。
4: 底部金屬反射層、有利于光度的提升及散熱
5: 尺寸可加大、應(yīng)用于High power 領(lǐng)域、eg : 42mil MB
二、GB芯片
定義：Glue Bonding (粘著結(jié)合)芯片;該芯片屬于UEC 的專利產(chǎn)品
特點(diǎn)：
1：透明的藍(lán)寶石襯底取代吸光的GaAs襯底、其出光功率是傳統(tǒng)AS (Absorbable STructure)芯片的2倍以上、藍(lán)寶石襯底類似TS芯片的GaP襯底。
2：芯片四面發(fā)光、具有出色的Pattern
3：亮度方面、其整體亮度已超過TS芯片的水準(zhǔn)(8.6mil)
4：雙電極結(jié)構(gòu)、其耐高電流方面要稍差于TS單電極芯片
三、TS芯片
定義：transparent structure(透明襯底)芯片、該芯片屬于HP 的專利產(chǎn)品。
特點(diǎn)：
1：芯片工藝制作復(fù)雜、遠(yuǎn)高于AS LED
2：信賴性卓越
3：透明的GaP襯底、不吸收光、亮度高
4：應(yīng)用廣泛
四、AS芯片
定義：Absorbable structure (吸收襯底)芯片;
經(jīng)過近四十年的發(fā)展努力、***LED光電業(yè)界對(duì)于該類型芯片的研發(fā)﹑生產(chǎn)﹑銷售處于成熟的階段、各大公司在此方面的研發(fā)水平基本處于同一水準(zhǔn)、差距不大。
大陸芯片制造業(yè)起步較晚、其亮度及可靠度與***業(yè)界還有一定的差距、在這里我們所談的AS芯片、特指UEC的AS芯片、eg: 712SOL-VR, 709SOL-VR, 712SYM-VR,709SYM-VR 等
特點(diǎn)：
1：四元芯片、采用 MOVPE工藝制備、亮度相對(duì)于常規(guī)芯片要亮
2：信賴性優(yōu)良
3：應(yīng)用廣泛