N溝道耗盡型MOSFET
1) N溝道耗盡型MOSFET的結(jié)構(gòu)
N 溝道耗盡型MOSFET 的結(jié)構(gòu)示意圖如圖4-4a所示。耗盡型MOSFET 的符號(hào)如圖4-4b 所示。N 溝道耗盡型MOSFET 的結(jié)構(gòu)與增強(qiáng)型MOSFET 結(jié)構(gòu)相似，不同之處在于N 溝道耗盡型MOSFET 在制造過(guò)程中在柵源之間的SiO2中注入一些離子(圖中4-9中用“＋”表示)，使漏源之間的導(dǎo)電溝道在Ugs=0 時(shí)導(dǎo)電溝道就已經(jīng)存在了，這一溝道稱(chēng)為初始溝道。因此稱(chēng)為N溝道耗盡型MOSFET。由于Ugs=0 時(shí)就存在初始導(dǎo)電溝道，所以只要加上Uds就能形成漏極電流Id 。
2) N溝道耗盡型MOSFET的特性曲線(xiàn)
N 溝道耗盡型MOSFET的漏極電流可近似表示為
式中。Idss是Ugs=0時(shí)的漏極電流。
表4-1 各種場(chǎng)效應(yīng)管特性比較