MOS管是指場效應(yīng)晶體管,有G(gate 柵極)/D(drain 漏極)/S(source 源極)三個端口,分為PMOS管(P溝道型)和NMOS(N溝道型)兩種。
2023-02-03 15:12:5913419 管和N型MOS管之分。由MOS管構(gòu)成的集成電路稱為MOS集成電路,由NMOS組成的電路就是NMOS集成電路,由PMOS管組成的電路就是PMOS集成電路,由NMOS和PMOS兩種管子組成的互補(bǔ)MOS電路,即CMOS電路。
2023-02-16 17:00:154430 管和N型MOS管之分。由MOS管構(gòu)成的集成電路稱為MOS集成電路,由NMOS組成的電路就是NMOS集成電路,由PMOS管組成的電路就是PMOS集成電路,由NMOS和PMOS兩種管子組成的互補(bǔ)MOS電路,即CMOS電路。
2023-02-21 17:23:4612970 NMOS英文全稱為N-Metal-Oxide-Semiconductor。 意思為N型金屬-氧化物-半導(dǎo)體,而擁有這種結(jié)構(gòu)的晶體管我們稱之為NMOS晶體管。
2023-02-21 17:35:148860 MOS管的管腳有三個:源極S(source)、柵極G(Gate)和漏極(Drain),但是實際工程應(yīng)用中,經(jīng)常無法區(qū)分PMOS管和NMOS管、各管腳的位置以及它們各自導(dǎo)通的條件。
2023-02-28 17:08:424625 如上圖MOS管符號,要注意如果剛學(xué)完三極再來看這個會覺得很別扭,記不住,下面與NMOS原理做介紹,PMOS就剛好是相反的。
2023-03-10 17:10:5711636 如上圖MOS管符號,要注意如果剛學(xué)完三極再來看這個會覺得很別扭,記不住,下面與NMOS原理做介紹,PMOS就剛好是相反的。
2023-03-28 09:53:242724 MOSFET器件是數(shù)字集成電路的最小單位,因為MOSFET的開關(guān)特性和輸出曲線特性,由PMOS和NMOS組成的CMOS門電路,則為數(shù)字集成電路最基本的電路結(jié)構(gòu)。
2023-07-11 10:49:588009 傳輸門是由外部施加的邏輯電平控制的NMOS和PMOS晶體管組成的雙向開關(guān)。
2023-08-10 09:02:201943 NMOS低邊開關(guān)電路切換的是對地的導(dǎo)通,PMOS作為高邊開關(guān)電路切換的是對電源的導(dǎo)通。
2023-08-14 09:18:034081 本文介紹了MOSFET的物理實現(xiàn)和操作理論。MOSFET由NMOS和PMOS構(gòu)成,有截止區(qū)、線性區(qū)和飽和區(qū)。圖示了NMOS和PMOS的物理結(jié)構(gòu),以及針對不同驅(qū)動電壓的電流-電壓曲線。還討論了飽和區(qū)的細(xì)節(jié),展示了NMOS和PMOS的漏極電流與漏極-源極電壓之間的關(guān)系。
2023-11-15 09:30:471436 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:06 編輯
CMOS傳輸門跟一個單獨的NMOS管有什么區(qū)別?。看?在弄清什么是CMOS之前,首先要弄清什么是NMOS和PMOS。目前,一般
2012-05-21 17:38:20
NMOS+PMOS控制電池電壓輸出1.在MCU_CTL給高電平的時候,Q5、Q1導(dǎo)通,BAT_OUT輸出電池電壓3.7V,這個沒問題2.在MCU_CTL給低電平的時候,Q5、Q1截止了
2021-09-24 18:45:53
NMOS、PMOS驅(qū)動負(fù)載優(yōu)缺點常見的馬達(dá)、泵、繼電器等驅(qū)動電路,都是NMOS,然后將負(fù)載放在高端(NMOS的D極或三極管的C極);而圖中這種PMOS電路,將負(fù)載放在低端(NMOS的S極或三極管的e極),有哪些優(yōu)缺點?
2023-02-03 18:43:21
NMOS與PMOS有哪些區(qū)別?NMOS與PMOS的電流流向是怎樣的?
2021-09-28 06:47:16
相對通用的電路【NMOS的驅(qū)動電路與PMOS的驅(qū)動電路區(qū)別】電路圖如下: 圖1用于NMOS的驅(qū)動電路圖2用于PMOS的驅(qū)動電路 這里只針對NMOS驅(qū)動電路做一個簡單分析: Vl和Vh分別是低端
2021-07-30 06:09:44
什么是MOS管?NMOS是什么?PMOS又是什么?NMOS管與PMOS管有哪些不同?
2021-10-15 09:09:38
大規(guī)模集成電路。此外,由于NMOS集成電路的結(jié)構(gòu)簡單,易于使用CAD技術(shù)進(jìn)行設(shè)計。與CMOS電路類似,NMOS電路中不使用難于制造的電阻 。NMOS反相器是整個NMO邏輯門電路的基本構(gòu)件,它的工作管常用增強(qiáng)型
2009-04-07 00:18:19
NMOS的驅(qū)動電路與PMOS的驅(qū)動電路有何區(qū)別?NMOS驅(qū)動電路的特性有哪些呢?
2021-11-03 08:07:37
MOS管分為P溝道MOS管和N溝道MOS管,其分別如下:PMOS管一般用于管理電源的通斷,屬于無觸點開關(guān),柵極低電平就完全導(dǎo)通,高電平就完全截止。而且,柵極可以加高過電源的電壓,意味著可以用5v信號
2016-12-29 16:00:06
前言:為了方便查看博客,特意申請了一個公眾號,附上二維碼,有興趣的朋友可以關(guān)注,和我一起討論學(xué)習(xí),一起享受技術(shù),一起成長。1. 簡介在網(wǎng)上查了一些關(guān)于 PMOS 和 NMOS 哪個更適合用于電源開關(guān)
2021-10-28 07:04:20
PMOS管的簡單應(yīng)用應(yīng)用原理介紹寄生參數(shù)選型應(yīng)用防反接電路高端驅(qū)動應(yīng)用相比于NMOS,PMOS應(yīng)用較少,主要原因有導(dǎo)通電阻大于NMOS導(dǎo)通電阻,型號少,價格貴等,但在一些特殊的場合也有應(yīng)用。原理介紹
2022-01-13 08:22:48
本帖最后由 gk320830 于 2015-3-9 13:38 編輯
Q1是PMOS還是NMOS?當(dāng)Vi=0V和3.3V時,V1和V0各輸出多少?上述為一道MOS管和電容之間的組合電路,對MOS管都忘掉了,不知道怎么解決,高手給個答案?。。。。。?!
2012-03-10 00:46:36
上一篇文章介紹了PMOS結(jié)構(gòu)LDO的基本工作原理,今天介紹NMOS LDO的基本工作原理,以及其他一些重要的LDO參數(shù)。包括PSRR、Dropout Voltage、Head room等。公眾號
2021-12-28 06:42:05
這篇博客介紹了PMOS和NMOS防反接電路,非常詳細(xì),一看就懂。
2021-11-11 06:53:36
來導(dǎo)電,速度較慢。? Nmos:利用電子來做傳導(dǎo)的工作,因為電子的漂移速度約為空穴的二至三倍,因此在相同的條件下,nMOS制程的電路可以工作得比pMOS快。? Cmos:同時包含了nMOS和pMOS
2018-11-30 17:06:11
的強(qiáng)項。下面來介紹幾種產(chǎn)品設(shè)計中常用的NMOS的電源開關(guān)電路。1、NMOS做電源開關(guān)(低端驅(qū)動,最簡單)由于NMOS和PMOS在原理和生產(chǎn)工藝上存在差異,導(dǎo)致同價格的NMOS在開通速度、額定電流、導(dǎo)通內(nèi)阻
2021-09-02 06:15:09
我最近在做一個微能源收集的項目,我們有1.5V 20mA的交流輸出,現(xiàn)在我想通過MOS管來降低整流過程中的壓降,但是相關(guān)資料里的4MOS管整流電路使用了2個PMOS和2個NMOS,為什么不使用4個NMOS來做這個整流電路那?NMOS不是各方面都比PMOS強(qiáng)嗎?
2019-07-24 15:39:22
大家好,如果我想使用spartan 6 FPGA實現(xiàn)簡單的“和”門,請說。我理解“和”門將被模擬到查找表中。有人可以對此有所了解嗎?和門真值表是否被移植到LUT?LUT中是否有pmos和nmos
2019-08-09 09:16:35
互補(bǔ)推挽H橋(2個NMOS+2個PMOS)和圖騰柱H橋(4個NMOS)有哪些優(yōu)缺點、以及應(yīng)用的場合?
2022-03-24 17:20:38
到的,于是設(shè)計了圖中圖1的結(jié)構(gòu)。但是有如下顧慮,希望用過的或者了解的朋友能給指點一二問題1:圖1中Temp是ADC通道輸入引腳,圖2是ADC參考電壓的輸入腳,如果我通過控制柵極關(guān)閉NMOS管,是不是電流依然
2019-04-18 23:02:09
`一款內(nèi)置PMOS、NMOS的單通道H橋驅(qū)動器應(yīng)用設(shè)計 `
2018-07-02 09:36:53
1 MOS管導(dǎo)通截止原理NMOS管的主回路電流方向為D—>S,導(dǎo)通條件為VGS有一定的壓差,如 5V(G電位比S電位高)。PMOS管的主回路電流方向為S—>D,導(dǎo)通條件為
2023-02-17 13:58:02
單片機(jī)項目設(shè)計中常用的NMOS+PMOS控制電路是什么?
2022-02-11 06:12:37
CMOS反相器電路如圖2.7-1(a) (b)所示它由兩個增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管組成,其中V1為NMOS管,稱驅(qū)動管,V2為PMOS管,稱負(fù)載管。
2020-03-30 09:00:46
的第一個電路。 本文將展示四種晶體管開關(guān)電路,其中2種使用NMOS,2種使有PMOS。 在電路設(shè)計過程中,有時需要“獨立”控制幾個開關(guān)的通與斷。例如構(gòu)造某種波形。晶體管開關(guān)能夠?qū)崿F(xiàn)一些開關(guān)的通與斷不會
2016-08-30 01:01:44
Transistor, MOSFET)。其中,G是柵極,S是源極,D是漏極。二、常見的nmos和pmos的原理與區(qū)別NMOSNMOS英文全稱為N-Metal-Oxide-Semicond...
2021-11-11 06:28:29
弱弱的問,在VDD的電壓差情況下,用PMOS和NMOS做power的decap分別有什么不同的考慮呢?請教一下,90nm以下,單個nmos做decap會有esd風(fēng)險,是什么原因?
2021-06-22 06:04:16
上一節(jié)我們講了由NMOS與PMOS組成的CMOS,也就是一個非門,各種邏輯門一般是由MOSFET組成的。上圖左邊是NMOS右邊是PMOS。上圖兩圖是非門兩種情況,也就是一個CMOS,輸入高電壓輸出
2023-02-15 14:35:23
NMOS和PMOS的導(dǎo)通電壓哪個大一些?一般是多大?在選擇方面選哪種管子比較好?
2019-06-18 04:12:04
MOS管開關(guān)電路學(xué)習(xí)過模擬電路的人都知道三極管是流控流器件,也就是由基極電流控制集電極與發(fā)射極之間的電流;而MOS管是壓控流器件,也就是由柵極上所加的電壓控制漏極與源極之間電流。選擇NMOS or PMOS?在選擇這兩種MOS管之前,需要弄清兩個問題:1.高端驅(qū)動 2.低端驅(qū)動...
2021-10-29 08:16:03
之前一直聽說
Pmos的工藝難度難于
Nmos,但是一直沒高清楚具體是為什么?不知道論壇的大大們有誰了解的,能給一個比較完整的答案。渣渣在這里拜謝了?。。。。?/div>
2015-05-07 17:07:11
CMOS工藝中GG2NMOS結(jié)構(gòu)ESD保護(hù)電路設(shè)計:采用GG2NMOS 結(jié)構(gòu)的ESD 保護(hù)電路的工作原理和對其進(jìn)行的ESD 實驗,提出了一種保護(hù)電路的柵耦合技術(shù)方案,并達(dá)到了預(yù)期效果. 通過實驗可以看出其性
2009-11-20 14:48:4341 摘要:采用GG-NMOS結(jié)構(gòu)的ESD保護(hù)電路的工作原理和對其進(jìn)行的ESD實驗,提出了一種保護(hù)電路的柵耦合技術(shù)方案,并達(dá)到了預(yù)期效果.通過實驗可以看出其性能達(dá)到了人體放電模式的2級
2010-05-08 09:41:4524 基于交叉耦合NMOS 單元,提出了一種低壓、快速穩(wěn)定的CMOS 電荷泵電路。一個二極管連接的NMOS 管與自舉電容相并聯(lián),對電路進(jìn)行預(yù)充電,從而改善了電荷泵電路的穩(wěn)定建立特性。PMOS 串聯(lián)開
2011-11-02 11:25:4771 mos管,分為N溝道和P溝道兩種。我們常用的是NMOS,因為其導(dǎo)通電阻小,且容易制造。在MOS管原理圖上可以看到,漏極和源極之間有一個寄生二極管。這個叫體二極管,在驅(qū)動感性負(fù)載(如馬達(dá)),這個二極管很重要。順便說一句,體二極管只在單個的MOS管中存在,在集成電路芯片內(nèi)部通常是沒有的。
2017-11-06 10:40:12291434 本文開始介紹了mos管的結(jié)構(gòu)特點、工作原理和MOS管應(yīng)用,其次介紹了PMOS管的概念和工作原理,最后介紹了兩種判斷NMOS管和PMOS管的方法。
2018-04-03 14:12:1827057 門由一個PMOS和一個NMOS管并聯(lián)構(gòu)成,其具有很低的導(dǎo)通電阻(幾百歐)和很高的截止電阻(大于10^9歐)。所謂傳輸門(TG)就是一種傳輸模擬信號的模擬開關(guān)。CMOS傳輸門由一個P溝道和一個N溝道增強(qiáng)型MOSFET并聯(lián)而成。
2018-04-08 14:06:4571533 由前面的基礎(chǔ)可知,CMOS只能實現(xiàn)基本邏輯的非,比如或邏輯,與邏輯,如果不加反相器,CMOS只能實現(xiàn)或非,與非邏輯。原因就是上拉邏輯只能用PMOS實現(xiàn),下拉邏輯只能由NMOS實現(xiàn),而PMOS的導(dǎo)通需要輸入信號為0,NMOS導(dǎo)通需要輸入信號為1。
2018-09-07 14:43:205465 項目中最常用的為增強(qiáng)型mos管,分為N溝道和P溝道兩種。由于NMOS其導(dǎo)通電阻小,且容易制造所以項目中大部分
2018-09-23 11:44:0063079 不兼容。PMOS因邏輯擺幅大,充電放電過程長,加之器件跨導(dǎo)小,所以工作速度更低,在NMOS電路(見N溝道金屬—氧化物—半導(dǎo)體集成電路)出現(xiàn)之后,多數(shù)已為NMOS電路所取代。只是,因PMOS電路工藝簡單
2018-11-27 16:46:263162 。 本文將展示四種晶體管開關(guān)電路,其中2種使用NMOS,2種使用PMOS。 在電路設(shè)計過程中,有時需要獨立控制幾個開關(guān)的通與斷。例如構(gòu)造某種波形。晶體管開關(guān)能夠?qū)崿F(xiàn)一些開關(guān)的通與斷不會影響其他開關(guān)的通與斷,即開關(guān)之間相互獨立,相互無關(guān)。常在人機(jī)交互場景之中有著特定
2020-09-03 15:28:3023364 參考上面的CMOS反相器圖,由于CMOS器件輸入端的電壓在5伏和0伏之間變化,因此PMOS和NMOS的狀態(tài)將相應(yīng)地不同。
2021-01-21 11:37:4911855 了解 MOS 管的開通 / 關(guān)斷原理你就會發(fā)現(xiàn),使用 PMOS 做上管、NMOS 做下管比較方便。使用 PMOS 做下管、NMOS 做上管的電路設(shè)計復(fù)雜,一般情況下意義不大,所以很少采用。
2020-12-11 22:57:0036 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供電路:PMOS做上管、NMOS做下管資料下載的電子資料下載,更有其他相關(guān)的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設(shè)計、用戶指南、解決方案等資料,希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-03-29 16:49:0130 在電路中,NMOS經(jīng)常用作下管,S極接地,用G極來控制管子的導(dǎo)通截止,很方便。 NMOS用作上管時,因為S極電平不確定,即G極電平也不好確定,很不方便。 PMOS經(jīng)常用作上管,S極接固定的VCC
2021-08-10 10:17:158221 的強(qiáng)項。下面來介紹幾種產(chǎn)品設(shè)計中常用的NMOS的電源開關(guān)電路。1、NMOS做電源開關(guān)(低端驅(qū)動,最簡單)由于NMOS和PMOS在原理和生產(chǎn)工藝上存在差異,導(dǎo)致同價格的NMOS在開通速度、額定電流、導(dǎo)通內(nèi)阻
2021-10-21 15:06:2037 了解MOS管的開通/關(guān)斷原理你就會發(fā)現(xiàn),使用PMOS做上管、NMOS做下管比較方便。使用PMOS做下管、NMOS做上管的電路設(shè)計復(fù)雜,一般情況下意義不大,所以很少采用。下面先了解MOS管的開通/關(guān)斷
2021-10-21 17:06:04101 MOS管開關(guān)電路學(xué)習(xí)過模擬電路的人都知道三極管是流控流器件,也就是由基極電流控制集電極與發(fā)射極之間的電流;而MOS管是壓控流器件,也就是由柵極上所加的電壓控制漏極與源極之間電流。 選擇NMOS
2021-10-22 14:21:0010 Transistor, MOSFET)。其中,G是柵極,S是源極,D是漏極。二、常見的nmos和pmos的原理與區(qū)別NMOSNMOS英文全稱為N-Metal-Oxide-Semicond...
2021-11-06 19:36:0043 NMOS管和PMOS管做開關(guān)控制電路
2021-11-07 13:36:00113 用MOS做高側(cè)開關(guān)時,PMOS比NMOS更便于控制,不用額外的電荷泵升壓,柵極拉低和置高就能控制通斷。而隨著半導(dǎo)體工藝的進(jìn)步,PMOS在導(dǎo)通內(nèi)阻方面的參數(shù)漸漸好轉(zhuǎn),逐步縮小了與NMOS的差距,使得
2021-11-07 13:51:0364 大家好,我是記得誠。在電路中,NMOS經(jīng)常用作下管,S極接地,用G極來控制管子的導(dǎo)通截止,很方便。NMOS用作上管時,因為S極電平不確定,即G極電平也不好確定,很不方便。PMOS經(jīng)常
2021-11-09 21:06:007 PMOS中的空穴遷移率比NMOS中電子的遷移率低,所以為了實現(xiàn)相同的電流輸出,我們需要將PMOS的寬度做的是NMOS寬度的2~3倍。
2022-10-31 11:16:116184 本實驗活動的目標(biāo)是使用CD4007晶體管陣列構(gòu)建各種CMOS邏輯功能。CD4007包含三對互補(bǔ)的NMOS和PMOS晶體管。
2022-11-02 17:25:202970 大家好,今天講解用PMOS跟NMOS做H橋控制直流電機(jī)的正反轉(zhuǎn)。
2022-11-11 17:10:163581 MOS管也叫場效應(yīng)管,它可以分為PMOS管(P溝道型)和NMOS(N溝道型)管,屬于絕緣柵場效應(yīng)管。NMOS也叫N型金屬氧化物半導(dǎo)體,而由NMOS組成的電路就是NMOS集成電路。
2023-02-20 09:58:23571 在網(wǎng)上查了一些關(guān)于 PMOS 和 NMOS 哪個更適合用于電源開關(guān)這種場合,大部分都是從工藝,導(dǎo)通電阻 Rds 來解釋,但隨著半導(dǎo)體工藝的進(jìn)步,現(xiàn)今的 PMOS 與 NMOS 之間差距已經(jīng)不大了,從 SOT-23 的封裝來看,兩者的大小也是差不多的。個人覺得,PMOS 用于電源開關(guān)更多是為了方便控制。
2023-03-10 13:49:594763 NMOS型和PMOS型的穩(wěn)壓電路如下圖所示。
2023-03-10 15:33:283625 如上圖MOS管符號,要注意如果剛學(xué)完三極再來看這個會覺得很別扭,記不住,下面與NMOS原理做介紹,PMOS就剛好是相反的。
2023-03-28 09:54:4313206 利用CMOS設(shè)計電路需先自行學(xué)習(xí)NMOS和PMOS的基本原理。
2023-04-11 09:01:564871 本實驗活動的目標(biāo)是使用CD4007晶體管陣列構(gòu)建各種CMOS邏輯功能。CD4007包含三對互補(bǔ)的NMOS和PMOS晶體管。
2023-05-29 14:18:491082 CMOS工藝是在PMOS和NMOS工藝基礎(chǔ)上發(fā)展起來的。
2023-07-06 14:25:011786 具體的在版圖設(shè)計中PMOS管和NMOS管是什么樣子的,我們來看看吧
2023-09-12 10:28:301972 如果把cmos反相器中的nmos和pmos顛倒連接,電路能否工作?為什么? CMOS反相器是數(shù)字電路中非常基礎(chǔ)的一種電路,也被廣泛應(yīng)用于不同的場合中,例如計算機(jī)處理器、通訊系統(tǒng)、自動控制系統(tǒng)
2023-09-12 10:57:241753 管是p型MOSFET。這兩種管子的主要區(qū)別是導(dǎo)通時的極性。 本文將詳細(xì)介紹使用NMOS和PMOS管的兩級運放輸入級之間的區(qū)別。 1.結(jié)構(gòu)區(qū)別: 兩級運放的輸入級通常由一個差分放大器和一個共源共極放大器組成。在差分放大器中使用了兩個輸入MOS管,而共源共極放大器則使用一個單端輸入MOS管。 對于兩
2023-09-17 17:14:341951 PMOS二極管連接和NMOS二極管連接做負(fù)載的區(qū)別是什么?? PMOS二極管和NMOS二極管都是基礎(chǔ)電子元件,用于構(gòu)建各種電路,包括邏輯門、放大器、時鐘電路和計時器。雖然它們在結(jié)構(gòu)上有所不同,但都有
2023-09-18 18:20:281235 和低噪聲。然而,PMOS和NMOS之間存在噪聲差異,而PMOS的閃爍噪聲通常低于NMOS。本文將進(jìn)一步探討這個問題,并解釋為什么會出現(xiàn)這種情況。 首先,我們需要了解PMOS和NMOS的基本結(jié)構(gòu)和原理。 MOSFET(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)是一種用于放大、開關(guān)和其他電路功能的電子元件
2023-09-20 17:41:311270 標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝:就是在同一塊襯底上集成NMOS和PMOS,比如在一塊p襯底可以先做一個nmos然后再做一個N阱,再在N阱中摻入p+區(qū)形成PMOS。
2023-10-18 15:46:001492 PMOS和NMOS為什么不能同時打開?PMOS可以背靠背使用,那NMOS呢? PMOS和NMOS是兩種不同的MOSFET(MOS場效應(yīng)晶體管)。這兩種晶體管有著不同的電性質(zhì)和工作方式,因此不能同時
2023-10-23 10:05:221022 PMOS和NMOS是金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)的兩種類型。 PMOS和NMOS是MOSFET的兩種互補(bǔ)型式,也稱為CMOS技術(shù),其中C代表互補(bǔ)(Complementary
2023-12-07 09:15:361025 NMOS和PMOS是常見的MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)的兩種類型,它們在電子器件中起到不同的作用。NMOS和PMOS的符號和電路結(jié)構(gòu)差異體現(xiàn)了它們的不同工作原理和特性。接下來,我們
2023-12-18 13:56:221530 設(shè)計一個NMOS和PMOS管的開關(guān)電路涉及到電路的基礎(chǔ)知識、原理和設(shè)計過程。在本文中,我們將詳細(xì)討論NMOS和PMOS管的工作原理、開關(guān)電路的設(shè)計考慮因素、電路元件的選擇以及實際電路的構(gòu)建和測試
2023-12-21 16:57:151134 NMOS當(dāng)下管,即S極(源極)直接接地,只需控制G極(柵極)電壓即可控制NMOS管的導(dǎo)通或截止,因為MOS管導(dǎo)通的條件取決于VGS的壓差。
2024-01-15 18:17:14386 管)和NMOS管(N型MOS管)。每種類型的MOS管都有其獨特的優(yōu)點和缺點,適用于不同的應(yīng)用場合。 PMOS管防反接 在電源的正極線路中,將PMOS管的源極(S)和漏極(D)串聯(lián)連接時,一旦晶體管處于導(dǎo)通狀態(tài),源極和漏極間的電阻通常處于非常低的水平,大約只有
2024-02-16 10:31:00438
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