本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實(shí)驗(yàn)(SCT)表現(xiàn)。具體而言,該實(shí)驗(yàn)的重點(diǎn)是在不同條件下進(jìn)行專門的實(shí)驗(yàn)室測(cè)量,并借助一個(gè)穩(wěn)健的有限元法物理模型來(lái)證實(shí)和比較測(cè)量值,對(duì)短路行為的動(dòng)態(tài)變化進(jìn)行深度評(píng)估。
2019-08-02 08:44:07
社會(huì)的重要元器件。碳化硅被廣泛視為下一代功率器件的材料,因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅相較于硅材料可進(jìn)一步提高電壓并降低損耗。雖然碳化硅功率器件目前主要用于列車逆變器,但其具有極為廣泛的應(yīng)用前景,包括車輛電氣化和工業(yè)設(shè)備
2023-04-11 15:29:18
?! 」β拾雽?dǎo)體就是這樣。在首度商業(yè)化時(shí),碳化硅的創(chuàng)新性和較新的顛覆性技術(shù)必然很昂貴,盡管認(rèn)識(shí)到了與硅基產(chǎn)品(如IGBT和Si-MOSFET)相比的潛在優(yōu)勢(shì),大多數(shù)工程師還是把它放在了“可有可無(wú)”的清單
2023-02-27 14:28:47
應(yīng)用領(lǐng)域。更多規(guī)格參數(shù)及封裝產(chǎn)品請(qǐng)咨詢我司人員!附件是海飛樂(lè)技術(shù)碳化硅二極管選型表,歡迎大家選購(gòu)!碳化硅(SiC)半導(dǎo)體材料是自第一代元素半導(dǎo)體材料(Si、Ge)和第二代化合物半導(dǎo)體材料(GaAs
2019-10-24 14:21:23
開關(guān)電源輸出整流部分如果用碳化硅肖特基二極管可以用實(shí)現(xiàn)更高的直流電輸出?! ?、SiCMOSFET 對(duì)于傳統(tǒng)的MOSFET,它的導(dǎo)通狀態(tài)電阻很大,開關(guān)損耗很大,額定工作結(jié)溫低,但是SiCMOSFET
2020-06-28 17:30:27
碳化硅圓盤壓敏電阻 |碳化硅棒和管壓敏電阻 | MOV / 氧化鋅 (ZnO) 壓敏電阻 |帶引線的碳化硅壓敏電阻 | 硅金屬陶瓷復(fù)合電阻器 |ZnO 塊壓敏電阻 關(guān)于EAK碳化硅壓敏電阻我們
2024-03-08 08:37:49
進(jìn)一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我們來(lái)聊聊碳化硅器件的特點(diǎn)
2021-03-16 08:00:04
。抗氧化性也是所有非氧化物陶瓷中好的。是極其優(yōu)秀的陶瓷材料。碳化硅(SiC)的市場(chǎng)前景隨著信息科技的飛速發(fā)展,我國(guó)對(duì)半導(dǎo)體需求越來(lái)越多,我國(guó)已經(jīng)成為全球最大的半導(dǎo)體消費(fèi)國(guó),半導(dǎo)體消費(fèi)量占全球消費(fèi)量的比重
2021-01-12 11:48:45
大量采用持續(xù)穩(wěn)定的線路板;在引擎室中,由于高溫環(huán)境和LED 燈源的散熱要求,現(xiàn)有的以樹脂、金屬為基材的電路板不符合使用要求,需要散熱性能更好碳化硅電路板,例如斯利通碳化硅基板;在高頻傳輸與無(wú)線雷達(dá)偵測(cè)
2020-12-16 11:31:13
,3.3 kW CCM 圖騰柱 PFC 的效率可達(dá)到 99% 以上(圖 4),其中在雙升壓 PFC 設(shè)計(jì)中使用 CoolMOS? 的最佳效率峰值為 98.85%。而且,盡管碳化硅MOSFET的成本較高
2023-02-23 17:11:32
10.5公斤/平方厘米,高溫強(qiáng)度很好??箯潖?qiáng)度直至1400℃仍不受溫度的影響。1500℃時(shí),彈性模量仍有100公斤/平方厘米。上述數(shù)據(jù)均測(cè)自大塊材料。4)熱膨脹系數(shù)較低,導(dǎo)熱性好。5)碳化硅導(dǎo)電性較強(qiáng)
2019-07-04 04:20:22
和 DC-AC 變流器等。集成式快速開關(guān) 50A IGBT 的關(guān)斷性能優(yōu)于純硅解決方案,可與 MOSFET 媲美。較之常規(guī)的碳化硅 MOSFET,這款即插即用型解決方案可縮短產(chǎn)品上市時(shí)間,能以更低成本實(shí)現(xiàn) 95
2021-03-29 11:00:47
硅與碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC),俗稱金剛砂。SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在,但十分稀少。不過(guò),自1893 年以來(lái),粉狀碳化硅已被大量生產(chǎn)用作研磨劑。碳化硅用作研磨劑已有一百多年
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作為現(xiàn)在比較好的材料,為什么應(yīng)用的領(lǐng)域會(huì)受到部分限制呢?
2021-08-19 17:39:39
01 碳化硅材料特點(diǎn)及優(yōu)勢(shì) 碳化硅作為寬禁帶半導(dǎo)體的代表性材料之一,其材料本征特性與硅材料相比具有諸多優(yōu)勢(shì)。以現(xiàn)階段最適合用于做功率半導(dǎo)體的4H型碳化硅材料為例,其禁帶寬度是硅材料的3倍
2023-02-28 16:55:45
?! 』景雽?dǎo)體自主研發(fā)推出了650V、1200V、1700V系列標(biāo)準(zhǔn)封裝碳化硅肖特基二極管及1200V碳化硅MOSFET產(chǎn)品,具有極高的工作效率,性能優(yōu)越達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平,可廣泛應(yīng)用于新能源充電樁、光伏逆變器
2023-02-28 16:34:16
已經(jīng)成為全球最大的半導(dǎo)體消費(fèi)國(guó),半導(dǎo)體消費(fèi)量占全球消費(fèi)量的比重超過(guò)40%,其中以碳化硅材料(SiC)為代表的第三代半導(dǎo)體大功率電力電子器件是目前在電力電子領(lǐng)域發(fā)展最快的功率半導(dǎo)體器件之一。根據(jù)中國(guó)
2021-03-25 14:09:37
B1M080120HC是一款碳化硅 MOSFET 具有導(dǎo)通電阻低,開關(guān)損耗小的特點(diǎn),可降低器件損耗,提升系統(tǒng)效率,更適合應(yīng)用于高頻電路。降低器件損耗,提升系統(tǒng) EMI 表現(xiàn)。在新能源汽車電機(jī)控制器
2021-11-10 09:10:42
哪位大神知道CISSOID碳化硅驅(qū)動(dòng)芯片有幾款,型號(hào)是什么
2020-03-05 09:30:32
新的TO-247-4封裝的碳化硅MOSFET模型 新的TO-247-4封裝的碳化硅MOSFET模型如圖2所示,我們發(fā)現(xiàn)這種封裝的管腳數(shù)及其管腳定義發(fā)生了很大的變化。相對(duì)于TO-247-3,這種封裝多了一個(gè)S
2023-02-27 16:14:19
,利用SiC MOSFET來(lái)作為永磁同步電機(jī)控制系統(tǒng)中的功率器件,可以降低驅(qū)動(dòng)器損耗,提高開關(guān)頻率,降低電流諧波和轉(zhuǎn)矩脈動(dòng)。本項(xiàng)目中三相逆變器擬打算使用貴公司的SiC MOSFET,驗(yàn)證碳化硅功率器件
2020-04-21 16:04:04
什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?碳化硅(SiC)的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的?
2021-06-18 08:32:43
化。但是,像碳化硅這樣的寬帶隙(WBG)器件也給應(yīng)用研發(fā)帶來(lái)了設(shè)計(jì)挑戰(zhàn),因而業(yè)界對(duì)于碳化硅 MOSFET平面柵和溝槽柵的選擇和權(quán)衡以及其浪涌電流、短路能力、柵極可靠性等仍心存疑慮。碳化硅MOSFET
2022-03-29 10:58:06
應(yīng)用領(lǐng)域,SiC和GaN形成競(jìng)爭(zhēng)。隨著碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等新材料陸續(xù)應(yīng)用在二極管、場(chǎng)效晶體管(MOSFET)等組件上,電力電子產(chǎn)業(yè)的技術(shù)大革命已揭開序幕。這些新組件雖然在成本上仍比傳統(tǒng)硅
2021-09-23 15:02:11
的整體系統(tǒng)尺寸,更小的整體成本,高溫下更高的可靠性,同時(shí)降低功率損耗。創(chuàng)能動(dòng)力可提供碳化硅二極管、碳化硅MOSFET、碳化硅功率模組和集成功率模組,用于太陽(yáng)能逆變器、功率因數(shù)校正、電動(dòng)車充電樁和高效率
2023-02-22 15:27:51
網(wǎng)格結(jié)構(gòu),壓接引腳可以在整個(gè)封裝內(nèi)自由分布。廣泛的仿真有助于創(chuàng)建僅具有6nH換向電感的半橋設(shè)計(jì)。該模塊并聯(lián)配備 6 個(gè)
碳化硅 MOSFET,在 25°C 時(shí)導(dǎo)通為 7.5mOhm?! ∮捎诓捎迷?/div>
2023-02-20 16:29:54
附件:嘉和半導(dǎo)體- 氮化鎵/碳化硅元件+解決方案介紹
2022-03-23 17:06:51
的硅基IGBT和碳化硅肖特基二極管合封,在部分應(yīng)用中可以替代傳統(tǒng)的IGBT (硅基IGBT與硅基快恢復(fù)二極管合封),使得IGBT的開關(guān)損耗大幅降低。這款混合碳化硅分立器件的性能介于超結(jié)MOSFET
2023-02-28 16:48:24
技術(shù)需求的雙重作用,導(dǎo)致了對(duì)于可用于構(gòu)建更高效和更緊湊電源解決方案的半導(dǎo)體產(chǎn)品擁有巨大的需求。這個(gè)需求寬帶隙(WBG)技術(shù)器件應(yīng)運(yùn)而生,如碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(SiC MOSFET) 。它們能夠提供設(shè)計(jì)人
2023-03-14 14:05:02
本方案利用新一代1000V、65毫歐4腳TO247封裝碳化硅(SiC)MOSFET(C3M0065100K)實(shí)現(xiàn)了高頻LLC諧振全橋隔離變換器,如圖所示。由于碳化硅的高阻斷電壓, 快速開關(guān)及低損耗等
2016-08-05 14:32:43
》 Gen3 02 電源效率對(duì)比 碳化硅肖特基二極管應(yīng)用在1500W電源的PFC電路中(位置如下圖)。 測(cè)試條件: 輸入電壓 100V、220V 輸出電壓 48V 輸出電流30A 圖(3
2023-02-28 17:13:35
對(duì)于高壓開關(guān)電源應(yīng)用,碳化硅或SiC MOSFET帶來(lái)比傳統(tǒng)硅MOSFET和IGBT明顯的優(yōu)勢(shì)。在這里我們看看在設(shè)計(jì)高性能門極驅(qū)動(dòng)電路時(shí)使用SiC MOSFET的好處。
2018-08-27 13:47:31
用碳化硅MOSFET設(shè)計(jì)一個(gè)雙向降壓-升壓轉(zhuǎn)換器
2021-02-22 07:32:40
采用溝槽型、低導(dǎo)通電阻碳化硅MOSFET芯片的半橋功率模塊系列 產(chǎn)品型號(hào) BMF600R12MCC4 BMF400R12MCC4 汽車級(jí)全碳化硅半橋MOSFET模塊Pcore2
2023-02-27 11:55:35
個(gè)關(guān)鍵技術(shù)方向?qū)ΜF(xiàn)有碳化硅功率器件的封裝進(jìn)行梳理和總結(jié),并分析和展望所面臨的挑戰(zhàn)和機(jī)遇。1、低雜散電感封裝技術(shù)目前已有的大部分商用 SiC 器件仍采用傳統(tǒng) Si器件的封裝方式,如圖 1 所示。該方式
2023-02-22 16:06:08
新型材料鋁碳化硅解決了封裝中的散熱問(wèn)題,解決各行業(yè)遇到的各種芯片散熱問(wèn)題,如果你有類似的困惑,歡迎前來(lái)探討,鋁碳化硅做封裝材料的優(yōu)勢(shì)它有高導(dǎo)熱,高剛度,高耐磨,低膨脹,低密度,低成本,適合各種產(chǎn)品的IGBT。我西安明科微電子材料有限公司的趙昕。歡迎大家有問(wèn)題及時(shí)交流,謝謝各位!
2016-10-19 10:45:41
給出基于碳化硅MOSFET的20KW直流充電模塊用兩種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的實(shí)驗(yàn)和總結(jié)。1.諧振LLC 和移相電路及其新能源中的應(yīng)用比較如圖1所示,諧振(英文:Resonant)LLC和移相(英文:Phase
2016-08-25 14:39:53
硅IGBT與碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)兩者電氣參數(shù)特性差別較大,碳化硅MOSFET對(duì)于驅(qū)動(dòng)的要求也不同于傳統(tǒng)硅器件,主要體現(xiàn)在GS開通電壓、GS關(guān)斷電壓、短路保護(hù)、信號(hào)延遲和抗干擾幾個(gè)方面,具體如下
2023-02-27 16:03:36
碳化硅(SiC)等寬帶隙技術(shù)為功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)人員開辟了一系列新的可能性。與現(xiàn)有的IGBT器件相比,SiC顯著降低了導(dǎo)通和關(guān)斷損耗,并改善了導(dǎo)通和二極管損耗。對(duì)其開關(guān)特性的仔細(xì)分析表明,SiC
2023-02-22 16:34:53
面向電動(dòng)汽車的全新碳化硅功率模塊 碳化硅在電動(dòng)汽車應(yīng)用中代表著更高的效率、更高的功率密度和更優(yōu)的性能,特別是在800 V 電池系統(tǒng)和大電池容量中,它可提高逆變器的效率,從而延長(zhǎng)續(xù)航里程或降低電池成本
2021-03-27 19:40:16
一、什么是碳化硅碳化硅(SiC)又叫金剛砂,它是用石英砂、石油焦、木屑、食鹽等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成,其實(shí)碳化硅很久以前就被發(fā)現(xiàn)了,它的特點(diǎn)是:化學(xué)性能穩(wěn)定、導(dǎo)熱系數(shù)高、熱膨脹系數(shù)小、耐磨性能
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蝕技術(shù)去刻蝕碳化硅,采用的是ICP系列設(shè)備,刻蝕氣體使用的是SF6+O2,碳化硅上面沒(méi)有做任何掩膜,就是為了去除SiC表面損傷層達(dá)到表面改性的效果。但是實(shí)際刻蝕過(guò)程中總是會(huì)在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
使用絕緣柵雙極晶體管(IGBT)。但隨著半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步,碳化硅 (SiC) 金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 能夠以比 IGBT 更高的頻率進(jìn)行開關(guān),通過(guò)降低電阻和開關(guān)損耗來(lái)提高效率
2022-11-02 12:02:05
黑碳化硅基礎(chǔ)知識(shí)
黑碳化硅是以石英砂,石油焦為主要原料,通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成
黑碳化硅是以石英砂,石油焦為主要原料,通過(guò)電阻
2009-11-17 09:37:27757 碳化硅MOSFET橋臂電路串?dāng)_抑制方法_鐘志遠(yuǎn)
2017-01-04 16:32:5017 今日宣布推出其首款1700V碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000,擴(kuò)充了其碳化硅MOSFET器件組合。 LSIC1MO170E1000既是Littelfuse碳化硅MOSFET產(chǎn)品
2018-10-23 11:34:375600 支持電動(dòng)和混合動(dòng)力汽車、數(shù)據(jù)中心和輔助電源等高頻、高效電源控制應(yīng)用 Littelfuse公司,今日宣布推出其首款1700V碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000,擴(kuò)充了其碳化硅MOSFET器件組合。
2018-11-03 11:02:414694 基本半導(dǎo)體是國(guó)內(nèi)比較早涉及第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件研發(fā)的企業(yè),率先推出了碳化硅肖特基二極管、碳化硅MOSFET等器件,為業(yè)界熟知,并得到廣泛應(yīng)用。在11月27日舉行的2021基本創(chuàng)新日活動(dòng)
2021-11-29 14:54:087839 在高端應(yīng)用領(lǐng)域,碳化硅MOSFET已經(jīng)逐漸取代硅基IGBT。以碳化硅、氮化鎵領(lǐng)銜的寬禁帶半導(dǎo)體發(fā)展迅猛,被認(rèn)為是有可能實(shí)現(xiàn)換道超車的領(lǐng)域。
2022-07-06 12:49:161072 Agarwal 的播客中,我們將發(fā)現(xiàn) SiC 的好處和應(yīng)用。 討論的文章: 改進(jìn)碳化硅晶圓工藝 碳化硅功率模塊建模 商用 1.2 kV 4H-SiC 功率 MOSFET 的柵極漏電流行為研究 商用 1.2
2022-08-03 17:07:351383 來(lái)源:中國(guó)電子報(bào) 日前,國(guó)際碳化硅大廠安森美宣布,其在捷克Roznov擴(kuò)建的碳化硅工廠落成,未來(lái)兩年內(nèi)產(chǎn)能將逐步提升。另一家碳化硅大廠Wolfspeed也表示將在美國(guó)北卡羅來(lái)納州建造一座價(jià)值數(shù)十
2022-10-08 17:02:25872 碳化硅原理是什么 碳化硅,是一種無(wú)機(jī)物,化學(xué)式為SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物
2023-02-02 14:50:021981 硅IGBT與碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)兩者電氣參數(shù)特性差別較大,碳化硅MOSFET對(duì)于驅(qū)動(dòng)的要求也不同于傳統(tǒng)硅器件,主要體現(xiàn)在GS開通電壓、GS關(guān)斷電壓、短路保護(hù)、信號(hào)延遲和抗干擾**幾個(gè)方面。
2023-02-03 14:54:471076 碳化硅技術(shù)壁壘分析:碳化硅技術(shù)壁壘是什么 碳化硅技術(shù)壁壘有哪些 碳化硅芯片不僅是一個(gè)新風(fēng)口,也是一個(gè)很大的挑戰(zhàn),那么我們來(lái)碳化硅技術(shù)壁壘分析下碳化硅技術(shù)壁壘是什么?碳化硅技術(shù)壁壘
2023-02-03 15:25:163637 碳化硅,是一種無(wú)機(jī)物,化學(xué)式為SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。在C、N、B等非氧化物
2023-02-03 16:11:352997 碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)N+源區(qū)和P井摻雜都是采用離子注入的方式,在1700℃溫度中進(jìn)行退火激活。另一個(gè)關(guān)鍵的工藝是碳化硅MOS柵氧化物的形成。由于碳化硅材料中同時(shí)有Si和C兩種原子存在,需要非常特殊的柵介質(zhì)生長(zhǎng)方法。
2023-02-09 09:51:231810 碳化硅MOSFET技術(shù)是一種半導(dǎo)體技術(shù),它可以用于控制電流和電壓,以及檢測(cè)電阻、電容、電壓和電流等參數(shù),以確定電子設(shè)備是否正常工作。碳化硅MOSFET技術(shù)的關(guān)鍵技術(shù)包括結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、材料選擇、工藝制程、測(cè)試技術(shù)等。
2023-02-15 16:19:007598 我們拿慧制敏造出品的KNSCHA碳化硅功率器件:碳化硅二極管和碳化硅MOSFET展開說(shuō)明。碳和硅進(jìn)過(guò)化合先合成碳化硅,然后碳化硅打磨成為粉末,碳化硅粉末經(jīng)過(guò)碳化硅單晶生長(zhǎng)成為碳化硅晶錠;碳化硅
2023-02-21 10:04:111693 和碳化硅MOSFET。第三代半導(dǎo)體涵蓋SiC碳化硅二極管,SiC碳化硅MOSFET,SiC碳化硅模塊,SiC碳化硅裸芯片這四類
2023-02-21 10:16:472090 碳化硅功率模組有哪些 碳化硅功率器件系列研報(bào)深受眾多專業(yè)讀者喜愛,本期為番外篇,前五期主要介紹了碳化硅功率器件產(chǎn)業(yè)鏈的上中下游,本篇將深入了解碳化硅功率器件的應(yīng)用市場(chǎng),以及未來(lái)的發(fā)展趨勢(shì),感謝各位
2023-05-31 09:43:20390 碳化硅mosfet有哪些主要參數(shù) 碳化硅MOSFET相關(guān)的主要參數(shù)包括: 1. 閾值電壓(Vth)- 這是MOSFET開啟的電壓。隨著Vth的增加,MOSFET的開關(guān)速度會(huì)變慢。 2. 導(dǎo)通電
2023-06-02 14:09:032010 碳化硅MOSFET什么意思 碳化硅MOSFET是一種新型的功率半導(dǎo)體器件,其中"MOSFET"表示金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,"碳化硅"指的是其材料。碳化硅
2023-06-02 15:33:151182 SICMOSFET作為第三代半導(dǎo)體器件,以其卓越的高頻高壓高結(jié)溫低阻特性,已經(jīng)越來(lái)越多的應(yīng)用于功率變換電路。那么,如何用最有效的方式驅(qū)動(dòng)碳化硅MOSFET,發(fā)揮SICMOSFET的優(yōu)勢(shì),盡可能
2022-11-30 15:28:282648 來(lái)源:碳化硅芯觀察對(duì)于碳化硅MOSFET(SiCMOSFET)而言,高質(zhì)量的襯底可以從外部購(gòu)買得到,高質(zhì)量的外延片也可以從外部購(gòu)買到,可是這只是具備了獲得一個(gè)碳化硅器件的良好基礎(chǔ),高性能的碳化硅器件
2023-04-07 11:16:201221 SHINRY是全球最早實(shí)現(xiàn)碳化硅并批量交付的企業(yè)之一,開發(fā)的碳化硅雙向OBC產(chǎn)品出貨量已過(guò)百萬(wàn)件,使用SiC MOSFET的氫燃料電池汽車DCF(DC/DC Converter for Fuel Cell)市場(chǎng)份額超過(guò)50%,在碳化硅器件的應(yīng)用和推廣方面具備豐富的經(jīng)驗(yàn)和市場(chǎng)基礎(chǔ)
2023-06-27 17:41:50853 伴隨著這座采用領(lǐng)先前沿技術(shù) 200mm 碳化硅制造工廠的建設(shè)和產(chǎn)能擴(kuò)充計(jì)劃的執(zhí)行,莫霍克谷器件工廠已經(jīng)開始向中國(guó)終端客戶批量出貨碳化硅 MOSFET,首批供應(yīng)的產(chǎn)品型號(hào)為 C3M0040120K。莫霍克谷器件工廠后續(xù)還將開始更多產(chǎn)品型號(hào)碳化硅器件的樣品申請(qǐng),并批量出貨中國(guó)市場(chǎng)。
2023-07-05 10:31:44370 ? 根據(jù)Wolfspeed的最新消息,隨著其在紐約州莫霍克谷工廠的投產(chǎn),Wolfspeed已經(jīng)開始向中國(guó)終端客戶批量出貨碳化硅MOSFET,首批供應(yīng)的產(chǎn)品型號(hào)為C3M0040120K。莫霍克谷器件
2023-07-06 10:35:14375 眾所周知,對(duì)于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)來(lái)說(shuō),高質(zhì)量的襯底可以從外部購(gòu)買得到,高質(zhì)量的外延片也可以從外部購(gòu)買到,可是這只是具備了獲得一個(gè)碳化硅器件的良好基礎(chǔ),高性能的碳化硅器件對(duì)于器件的設(shè)計(jì)和制造工藝有著極高的要求,
2023-07-10 10:49:09713 聚焦強(qiáng)鏈補(bǔ)鏈,國(guó)基南方、55所持續(xù)推進(jìn)新能源汽車用碳化硅MOSFET關(guān)鍵核心技術(shù)攻關(guān)和產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用,貫通碳化硅襯底、外延、芯片等全產(chǎn)業(yè)鏈量產(chǎn)平臺(tái),率先在新能源汽車、光伏、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域規(guī)模化應(yīng)用,累計(jì)保障超過(guò)160萬(wàn)輛新能源汽車應(yīng)用需求。
2023-07-12 11:20:58316 逆變器中600V-1200V 碳化硅MOSFET未來(lái)十年的復(fù)合年增長(zhǎng)率為27%。
2023-07-17 11:33:24278 隨著國(guó)內(nèi)對(duì)碳化硅技術(shù)的日益重視和不斷加大的研發(fā)投入,國(guó)內(nèi)碳化硅MOSFET芯片設(shè)計(jì)的水平逐步提升,研究和應(yīng)用領(lǐng)域也在不斷擴(kuò)展。
2023-08-10 18:17:49855 MOSFET也已經(jīng)發(fā)展到了第3代,新推出的650V和1200V電壓產(chǎn)品現(xiàn)已量產(chǎn)。其柵極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單,可靠性得到進(jìn)一步的提高。 碳化硅MOSFET的優(yōu)勢(shì) 相同功率等級(jí)的硅MOSFET相比,新一代碳化硅MOSFET導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗大幅降低,適用于更高的工作頻率,
2023-10-17 23:10:02269 碳化硅MOSFET尖峰的抑制
2023-11-28 17:32:26322 碳化硅(SiC),又名碳化硅,是一種硅和碳化合物。其材料特性使SiC器件具有高阻斷電壓能力和低比導(dǎo)通電阻。
2023-12-12 09:47:33456 碳化硅MOSFET在高頻開關(guān)電路中的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)? 碳化硅MOSFET是一種新型的功率半導(dǎo)體器件,具有在高頻開關(guān)電路中廣泛應(yīng)用的多個(gè)優(yōu)勢(shì)。 1. 高溫特性: 碳化硅MOSFET具有極低的本征載流子濃度
2023-12-21 10:51:03357 共讀好書 碳化硅是第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基礎(chǔ)材料,碳化硅功率器件以其優(yōu)異的耐高壓、耐高溫、低損耗等性能,能夠有效滿足電力電子系統(tǒng)的高效率、小型化和輕量化要求。 碳化硅MOSFET具有高頻高效
2024-02-21 18:24:15412
評(píng)論
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