對(duì)于如今的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)而言，EUV光刻機(jī)是打造下一代邏輯和DRAM工藝技術(shù)的關(guān)鍵所在，為了在未來的工藝軍備競(jìng)賽中保持優(yōu)勢(shì)，臺(tái)積電、三星和英特爾等廠商紛紛花重金購置EUV光刻機(jī)。 ? 然而，當(dāng)這些來自
2022-07-22 07:49:00
2403 極紫外 (EUV) 光刻系統(tǒng)是當(dāng)今使用的最先進(jìn)的光刻系統(tǒng)。本文將介紹這項(xiàng)重要但復(fù)雜的技術(shù)。
2023-06-06 11:23:54688 
根據(jù)最新數(shù)據(jù)顯示，ASML在12月中完成了第100臺(tái)EUV光刻機(jī)的出貨。更加利好的消息是，業(yè)內(nèi)預(yù)估ASML今年（2021年）的EUV光刻機(jī)產(chǎn)能將達(dá)到45~50臺(tái)的規(guī)模。
2021-01-03 00:28:004735 ，我國(guó)因?yàn)橘Q(mào)易條約被遲遲卡住不放行的也是一臺(tái)EUV光刻機(jī)。 ? 但EUV光刻機(jī)的面世靠的不僅僅是ASML一家的努力，還有蔡司和TRUMPF（通快）兩家歐洲光學(xué)巨頭的合作才得以成功。他們的技術(shù)分別為EUV光刻機(jī)的鏡頭和光源做出了不小的貢獻(xiàn)，也讓歐洲成了唯一
2021-12-01 10:07:4110988 投入使用高NA EUV光刻機(jī)已經(jīng)勢(shì)在必行了。據(jù)了解，一臺(tái)高NA EUV的光刻機(jī)成本就可能達(dá)到3.2億美元，這樣一個(gè)天價(jià)的光刻系統(tǒng)究竟能帶來哪些優(yōu)勢(shì)，又存在哪些挑戰(zhàn)呢？ ? 規(guī)模和密度的平衡，我們?yōu)槭裁葱枰?NA 光刻機(jī)？ ? 從今年發(fā)布的不少新品來看，即便工藝沒有太大的變化，芯
2022-12-07 01:48:002199 ，購買或者開發(fā)EUV光刻機(jī)是否必要？中國(guó)應(yīng)如何切實(shí)推進(jìn)半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)的發(fā)展？EUV面向7nm和5nm節(jié)點(diǎn)所謂極紫外光刻，是一種應(yīng)用于現(xiàn)代集成電路制造的光刻技術(shù)，它采用波長(zhǎng)為10～14納米的極紫外光作為
2017-11-14 16:24:44
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，光刻技術(shù)傳遞圖形的尺寸限度縮小了2～3個(gè)數(shù)量級(jí)（從毫米級(jí)到亞微米級(jí)），已從常規(guī)光學(xué)技術(shù)發(fā)展到應(yīng)用電子束、 X射線、微離子束、激光等新技術(shù)；使用波長(zhǎng)已從4000埃擴(kuò)展到 0.1埃
2012-01-12 10:51:59
?！ 槭裁葱枰?b class="flag-6" style="color: red">EUV光刻？ EUV的優(yōu)勢(shì)之一是減少了芯片處理步驟，而使用EUV代替?zhèn)鹘y(tǒng)的多重曝光技術(shù)將大大減少沉積、蝕刻和測(cè)量的步驟。目前EUV技術(shù)主要運(yùn)用在邏輯工藝制程中，這導(dǎo)致了2019年訂單
2020-07-07 14:22:55
就向它發(fā)出了強(qiáng)有力的挑戰(zhàn)……DisplayPort的技術(shù)優(yōu)勢(shì)2006年5月，VESA（視頻電子標(biāo)準(zhǔn)組織）正式發(fā)布了DisplayPort 1.0標(biāo)準(zhǔn)，這是一種針對(duì)所有顯示設(shè)備（包括內(nèi)部和外部接口
2019-04-10 07:00:02
FPGA的技術(shù)優(yōu)勢(shì)主要體現(xiàn)在那些方面？
2021-05-26 06:10:18
LTE的主要技術(shù)特征是什么？LTE的技術(shù)優(yōu)勢(shì)是什么？
2021-05-26 06:13:34
MP6517有哪些核心技術(shù)優(yōu)勢(shì)？MP6517有哪些應(yīng)用實(shí)例？
2021-06-15 09:03:32
MPQ4488GU-AEC1是什么？MPQ4488GU-AEC1有哪些核心技術(shù)優(yōu)勢(shì)？MPQ4488GU-AEC1的方案規(guī)格是什么？
2021-07-04 07:18:36
` 本帖最后由 zhihuizhou 于 2011-10-28 14:24 編輯
NFC 技術(shù)優(yōu)勢(shì)及應(yīng)用模式 NFC與RFID技術(shù)兼容。RFID的傳輸范圍可以達(dá)到幾米甚至幾十米，主要被應(yīng)用在
2011-10-27 16:32:02
NoC是什么？NoC有哪些技術(shù)優(yōu)勢(shì)？NoC有哪些關(guān)鍵技術(shù)難點(diǎn)？
2021-06-04 06:34:33
什么是OLED？OLED技術(shù)優(yōu)勢(shì)與劣勢(shì)是什么？
2021-06-02 06:37:04
什么是POE供電？POE供電的技術(shù)優(yōu)勢(shì)和拓展應(yīng)用POE以太網(wǎng)供電的關(guān)鍵技術(shù)
2020-12-24 07:00:59
QCC3020是什么？其重要功能是什么？QCC3020有哪些核心技術(shù)優(yōu)勢(shì)？
2021-07-12 06:12:15
UWB技術(shù)的家庭應(yīng)用有哪些？UWB的技術(shù)優(yōu)勢(shì)是什么？
2021-05-28 06:37:32
目前接口分析：1.TTL:局限性太大，一般在小屏上面應(yīng)用較多（7寸以下）2.7寸以上的屏現(xiàn)在的接口有LVDS,eDP,iDP,V-BY-ONE。附件講述一下由THine公司發(fā)布的V-BY-ONE接口的技術(shù)優(yōu)勢(shì)。需要詳細(xì)資料的請(qǐng)電話聯(lián)系。
2013-03-14 18:24:27
uWB定位技術(shù)優(yōu)勢(shì)是什么？具有哪些參數(shù)功能？
2022-02-11 07:46:22
固定無線接入的技術(shù)優(yōu)勢(shì)有哪些？固定無線接入技術(shù)特點(diǎn)是什么？固定無線接入的主要技術(shù)有哪些？固定無線接入在城域網(wǎng)建設(shè)中的策略是什么？
2021-05-27 06:01:14
基于FD-SOI的FPGA芯片有哪些技術(shù)優(yōu)勢(shì)？基于FD-SOI的FPGA芯片有哪些主要應(yīng)用？
2021-06-26 07:14:03
寬帶隙器件的技術(shù)優(yōu)勢(shì)實(shí)際應(yīng)用中的寬帶隙功率轉(zhuǎn)換
2021-02-22 08:14:57
小編科普一下RV1126與RV1109具備哪些技術(shù)優(yōu)勢(shì)呢？
2022-02-21 06:25:17
快照】：極紫外(EUV)光刻技術(shù)一直被認(rèn)為是光學(xué)光刻技術(shù)之后最有前途的光刻技術(shù)之一,國(guó)際上對(duì)EUV光刻技術(shù)已開展了廣泛的研究[1-4]。在EUV光刻技術(shù)中,EUV光源是其面臨的首要技術(shù)難題。實(shí)現(xiàn)EUV
2010-04-22 11:41:29
概覽無線通信為測(cè)量應(yīng)用提供了許多技術(shù)優(yōu)勢(shì)，其中包括更低的布線成本和遠(yuǎn)程監(jiān)測(cè)功能。然而，如果不了解每項(xiàng)無線標(biāo)準(zhǔn)的技術(shù)優(yōu)勢(shì)和不足，選擇一項(xiàng)技術(shù)及其實(shí)現(xiàn)方法都會(huì)非常困難。該文檔討論了市場(chǎng)上可用的各項(xiàng)無線
2019-07-22 06:02:25
基于NXP S32K144和TI TPS***-Q1的汽車防眩目自適應(yīng)遠(yuǎn)光燈系統(tǒng)（ADB）解決方案有哪些核心技術(shù)優(yōu)勢(shì)？
2021-07-09 07:39:54
PXI Express的技術(shù)優(yōu)勢(shì)是什么？
2021-05-13 06:25:22
請(qǐng)問一下S32V234的核心技術(shù)優(yōu)勢(shì)有哪些？
2021-07-12 07:32:25
激光對(duì)射入侵探測(cè)器技術(shù)優(yōu)勢(shì)都有哪些？
2019-01-28 15:45:22
EUV主要用于7nm及以下制程的芯片制造，光刻機(jī)作為集成電路制造中最關(guān)鍵的設(shè)備，對(duì)芯片制作工藝有著決定性的影響，被譽(yù)為“超精密制造技術(shù)皇冠上的明珠”，根據(jù)之前中芯國(guó)際的公報(bào)，目...
2021-07-29 09:36:46
漢王手寫識(shí)別中的技術(shù)優(yōu)勢(shì).pdf
Hanwang技術(shù)優(yōu)勢(shì)一、傾斜字識(shí)別1、傾斜字識(shí)別解決了在正負(fù)90 度之間，也就是水平方向180 度范圍之內(nèi)任意傾斜角度的漢
2010-03-13 14:58:58
22 MiniGUI的技術(shù)優(yōu)勢(shì)
和其它針對(duì)嵌入式產(chǎn)品的圖形系統(tǒng)相比，MiniGUI 在對(duì)系統(tǒng)的需求上具有如下幾大優(yōu)勢(shì)：
1) 可伸縮
2009-03-28 11:59:52824 釩電池的技術(shù)優(yōu)勢(shì)有哪些？
設(shè)計(jì)方案符合環(huán)保要求的快速設(shè)計(jì)與方案實(shí)施；
現(xiàn)有系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)快速升級(jí)——額外的儲(chǔ)能容量/輸
2009-11-02 15:02:57716 bonding技術(shù)優(yōu)勢(shì)和技術(shù)的應(yīng)用
bonding技術(shù)優(yōu)勢(shì)
1、bonding芯片防腐、抗震，性能穩(wěn)定。這種封裝方式
2009-11-17 09:26:491797 開關(guān)磁阻電機(jī)技術(shù)優(yōu)勢(shì)
2017-01-21 12:12:161 隨機(jī)變化需要新方法、新工具，以及不同公司之間的合作。 極紫外（EUV）光刻技術(shù)正在接近生產(chǎn)，但是隨機(jī)性變化又稱為隨機(jī)效應(yīng)正在重新浮出水面，并為這項(xiàng)期待已久的技術(shù)帶來了更多的挑戰(zhàn)
2018-03-31 11:52:005861 隨著三星宣布7nm EUV工藝的量產(chǎn)，2018年EUV光刻工藝終于商業(yè)化了，這是EUV工藝研發(fā)三十年來的一個(gè)里程碑。不過EUV工藝要想大規(guī)模量產(chǎn)還有很多技術(shù)挑戰(zhàn)，目前的光源功率以及晶圓產(chǎn)能輸出還沒有
2018-10-30 16:28:403376 據(jù)臺(tái)媒2月12日?qǐng)?bào)道，為延續(xù)7納米制程領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)，臺(tái)積電支持極紫外光(EUV)微影技術(shù)的7nm加強(qiáng)版制程將按既定時(shí)間于3月底正式量產(chǎn)，而全程采用EUV技術(shù)的5nm制程也將在今年第2季進(jìn)入風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)。
2019-02-16 11:11:154482 本視頻介紹了ptn技術(shù)優(yōu)勢(shì)。多業(yè)務(wù)承載：無線回傳的TDM/ATM以及以太網(wǎng)業(yè)務(wù)、企事業(yè)單位和家庭用戶的以太網(wǎng)業(yè)務(wù)。
2019-02-28 13:48:456322 隨著半導(dǎo)體行業(yè)持續(xù)突破設(shè)計(jì)尺寸不斷縮小的極限，極紫外 （EUV） 光刻技術(shù)的運(yùn)用逐漸擴(kuò)展到大規(guī)模生產(chǎn)環(huán)境中。對(duì)于 7 納米及更小的高級(jí)節(jié)點(diǎn)，EUV 光刻技術(shù)是一種能夠簡(jiǎn)化圖案形成工藝的支持技術(shù)。要在如此精細(xì)的尺寸下進(jìn)行可靠制模，超凈的掩模必不可少。
2019-07-03 15:32:371712 
掌握全球唯一EUV光刻機(jī)研發(fā)、生產(chǎn)的荷蘭ASML（阿斯麥）公司今天發(fā)布了2019年Q2季度財(cái)報(bào)，當(dāng)季營(yíng)收25.68億歐元，其中凈設(shè)備銷售額18.51億歐元，總計(jì)出貨了41臺(tái)光刻機(jī)，其中EUV光刻機(jī)7臺(tái)。
2019-07-23 10:47:213102 
格芯首席技術(shù)官Gary Patton表示，如果在5nm的時(shí)候沒有使用EUV光刻機(jī)，那么光刻的步驟將會(huì)超過100步，這會(huì)讓人瘋狂。所以所EUV光刻機(jī)無疑是未來5nm和3nm芯片的最重要生產(chǎn)工具，未來圍繞EUV光刻機(jī)的爭(zhēng)奪戰(zhàn)將會(huì)變得異常激烈。因?yàn)檫@是決定這些廠商未來在先進(jìn)工藝市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)的關(guān)鍵。
2019-09-03 17:18:1812845 
近些年來EUV光刻這個(gè)詞大家應(yīng)該聽得越來越多，三星在去年發(fā)布的Exynos 9825 SoC就是首款采用7nm EUV工藝打造的芯片，臺(tái)積電的7nm+也是他們首次使用EUV光刻的工藝，蘋果的A13
2020-02-29 10:58:473149 2月28日，美國(guó)泛林公司宣布與ASML阿斯麥、IMEC比利時(shí)微電子中心合作開發(fā)了新的EUV光刻技術(shù)，不僅提高了EUV光刻的良率、分辨率及產(chǎn)能，還將光刻膠的用量最多降至原來的1/10，大幅降低了成本。
2020-02-29 11:20:583228 近些年來EUV光刻這個(gè)詞大家應(yīng)該聽得越來越多，三星在去年發(fā)布的Exynos 9825 SoC就是首款采用7nm EUV工藝打造的芯片，臺(tái)積電的7nm+也是他們首次使用EUV光刻的工藝，蘋果的A13
2020-02-29 11:42:4529308 在EUV光刻機(jī)方面，荷蘭ASML（阿斯麥）公司壟斷了目前的EUV光刻機(jī)，去年出貨26臺(tái)，創(chuàng)造了新紀(jì)錄。據(jù)報(bào)道，ASML公司正在研發(fā)新一代EUV光刻機(jī)，預(yù)計(jì)在2022年開始出貨。
2020-03-17 09:21:194670 在高通近日舉行的“5G的未來”媒體分享會(huì)上，高通中國(guó)區(qū)研發(fā)負(fù)責(zé)人徐在演講中多次強(qiáng)調(diào)毫米波的技術(shù)優(yōu)勢(shì)。
2020-04-02 09:24:283272 與此同時(shí)， 他指出，EUV繼續(xù)為ASML的客戶提高產(chǎn)量，迄今為止，他們的客戶已經(jīng)使用EUV光刻機(jī)曝光了超過1100萬個(gè)EUV晶圓，并交付了57個(gè)3400x EUV系統(tǒng)（3400平臺(tái)是EUV生產(chǎn)平臺(tái)）。
2020-08-14 11:20:552048 
ASML的EUV光刻機(jī)是目前全球唯一可以滿足22nm以下制程芯片生產(chǎn)的設(shè)備，其中10nm及以下的芯片制造，EUV光刻機(jī)必不可缺。一臺(tái)EUV光刻機(jī)的售價(jià)為1.48億歐元，折合人民幣高達(dá)11.74億元
2020-10-19 12:02:499647 
臺(tái)積電是第一家將EUV（極紫外）光刻工藝商用到晶圓代工的企業(yè)，目前投產(chǎn)的工藝包括N7+、N6和N5三代。
2020-10-22 14:48:561425 EUV光刻（即極紫外光刻）利用波長(zhǎng)非常短的光，在硅片上形成數(shù)十億個(gè)微小結(jié)構(gòu)，構(gòu)成一個(gè)芯片。與老式光刻機(jī)相比，EUV設(shè)備可以生產(chǎn)更小、更快、更強(qiáng)大的芯片。
2020-12-29 16:20:301425 Luc Van den hove表示，IMEC的目標(biāo)是將下一代高分辨率EUV光刻技術(shù)高NA EUV光刻技術(shù)商業(yè)化。由于此前得光刻機(jī)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手早已經(jīng)陸續(xù)退出市場(chǎng)，目前ASML把握著全球主要的先進(jìn)光刻機(jī)產(chǎn)能，近年來，IMEC一直在與ASML研究新的EUV光刻機(jī)，目前目標(biāo)是將工藝規(guī)?？s小到1nm及以下。
2020-12-30 09:23:481673 呢？OFweek君根據(jù)公開資料整理出了一些原因，供讀者參考。 與DUV（深紫外光）光刻機(jī)相比，EUV光刻機(jī)的吞吐量相對(duì)較低，每小時(shí)可曝光處理的晶圓數(shù)量約在120片－175片之間，技術(shù)改進(jìn)后，速度可以提升至275片每小時(shí)。但相對(duì)而言，EUV生產(chǎn)效率還是更高，
2021-02-14 14:05:003915 目前，還有ASML有能力生產(chǎn)最先進(jìn)的EUV光刻機(jī)，三星、臺(tái)積電都是ASML的客戶。但受《瓦森納協(xié)定》的制約，中國(guó)大陸沒有從ASML買來一臺(tái)EUV光刻機(jī)。
2021-01-21 08:56:184078 ASML公司前兩天發(fā)布了財(cái)報(bào)，全年凈銷售額140億歐元，EUV光刻機(jī)出貨31臺(tái)，帶來了45億歐元的營(yíng)收，單價(jià)差不多11.4億歐元了。 雖然業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)很亮眼，但是ASML也有隱憂，實(shí)際上EUV光刻
2021-01-22 17:55:242639 隨著半導(dǎo)體工藝進(jìn)入10nm節(jié)點(diǎn)以下，EUV光刻機(jī)成為制高點(diǎn)，之前臺(tái)積電搶購了全球多數(shù)的EUV光刻機(jī)，率先量產(chǎn)7nm、5nm工藝，現(xiàn)在內(nèi)存廠商也要入場(chǎng)了，SK海力士豪擲4.8萬億韓元搶購EUV光刻機(jī)。
2021-02-25 09:28:551644 7nm之下不可或缺的制造設(shè)備，我國(guó)因?yàn)橘Q(mào)易條約被遲遲卡住不放行的也是一臺(tái)EUV光刻機(jī)。 但EUV光刻機(jī)的面世靠的不僅僅是ASML一家的努力，還有蔡司和TRUMPF（通快）兩家歐洲光學(xué)巨頭的合作才得以成功。他們的技術(shù)分別為EUV光刻機(jī)的鏡頭和光源做出了不
2021-12-07 14:01:1010742 EUV光刻技術(shù)為半導(dǎo)體制造商提供一個(gè)前所未有的速度開發(fā)最強(qiáng)大芯片的機(jī)會(huì)。
2022-04-07 14:49:33488 臺(tái)積電和三星從7nm工藝節(jié)點(diǎn)就開始應(yīng)用EUV光刻層了，并且在隨后的工藝迭代中，逐步增加半導(dǎo)體制造過程中的EUV光刻層數(shù)。
2022-05-13 14:43:202077 
HVM中的EUV光刻
?背景和歷史
?使用NXE的EUV光刻：3400B
?EUV生成原理
?EUV來源：架構(gòu)
?現(xiàn)場(chǎng)EUV源
?電源展望
?總結(jié)
2022-06-13 14:45:450 中國(guó)芯的進(jìn)步那是有目共睹，我國(guó)在光刻機(jī)，特別是在EUV光刻機(jī)方面，更是不斷尋求填補(bǔ)空白的途徑。
2022-07-05 10:38:3516742 光刻機(jī)是芯片制造的核心設(shè)備之一。目前世界上最先進(jìn)的光刻機(jī)是荷蘭ASML的EUV光刻機(jī)。
2022-07-06 11:03:077000 EUV光刻機(jī)是在2018年開始出現(xiàn)，并在2019年開始大量交付，而臺(tái)積電也是在2019年推出了7nm EUV工藝。
2022-07-07 09:48:444523 機(jī)是哪個(gè)國(guó)家的呢？ euv光刻機(jī)許多國(guó)家都有，理論上來說，芯片強(qiáng)國(guó)的光刻機(jī)也應(yīng)該很強(qiáng)，但是最強(qiáng)的光刻機(jī)制造強(qiáng)國(guó)，不是美國(guó)、韓國(guó)等芯片強(qiáng)國(guó)，而是荷蘭。 EUV光刻機(jī)有光源系統(tǒng)、光學(xué)鏡頭、雙工作臺(tái)系統(tǒng)三大核心技術(shù)。 目前，在全世
2022-07-10 11:42:276977 機(jī)可以生產(chǎn)出納米尺寸更小、功能更強(qiáng)大的芯片。 小于5 nm的芯片晶片只能由EUV光刻機(jī)生產(chǎn)。 EUV光刻機(jī)有光源系統(tǒng)、光學(xué)鏡頭、雙工作臺(tái)系統(tǒng)三大核心技術(shù)。 目前，最先進(jìn)的光刻機(jī)是荷蘭ASML公司的EUV光刻機(jī)。預(yù)計(jì)在光路系統(tǒng)的幫助下，能
2022-07-10 14:35:066173 目前，光刻機(jī)主要分為EUV光刻機(jī)和DUV光刻機(jī)。DUV是深紫外線，EUV是非常深的紫外線。DUV使用的是極紫外光刻技術(shù)，EUV使用的是深紫外光刻技術(shù)。EUV為先進(jìn)工藝芯片光刻的發(fā)展方向。那么duv
2022-07-10 14:53:1078127 euv光刻機(jī)原理是什么 芯片生產(chǎn)的工具就是紫外光刻機(jī)，是大規(guī)模集成電路生產(chǎn)的核心設(shè)備，對(duì)芯片技術(shù)有著決定性的影響。小于5 nm的芯片只能由EUV光刻機(jī)生產(chǎn)。那么euv光刻機(jī)原理是什么呢？ EUV
2022-07-10 15:28:1015099 光刻機(jī)是當(dāng)前半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)的核心設(shè)備，其技術(shù)含量和價(jià)值含量都很高。那么euv光刻機(jī)用途是什么呢？下面我們就一起來看看吧。 光刻設(shè)備涉及系統(tǒng)集成、精密光學(xué)、精密運(yùn)動(dòng)、精密材料傳輸、高精度微環(huán)境控制
2022-07-10 16:34:403116 與此同時(shí)，在ASML看來，下一代高NA EUV光刻機(jī)為光刻膠再度帶來了挑戰(zhàn)，更少的隨機(jī)效應(yīng)、更高的分辨率和更薄的厚度。首先傳統(tǒng)的正膠和負(fù)膠肯定是沒法用了，DUV光刻機(jī)上常用的化學(xué)放大光刻膠（CAR）也開始在5nm之后的分辨率和敏感度上出現(xiàn)瓶頸
2022-07-22 10:40:082010 EUV 光刻是以波長(zhǎng)為 10-14nm 的極紫外光作為光源的芯片光刻技術(shù)，簡(jiǎn)單來說，就是以極紫外光作“刀”，對(duì)芯片上的晶圓進(jìn)行雕刻，讓芯片上的電路變成人們想要的圖案。
2022-10-10 11:15:024367 光刻是半導(dǎo)體工藝中最關(guān)鍵的步驟之一。EUV是當(dāng)今半導(dǎo)體行業(yè)最熱門的關(guān)鍵詞，也是光刻技術(shù)。為了更好地理解 EUV 是什么，讓我們仔細(xì)看看光刻技術(shù)。
2022-10-18 12:54:053180 投入使用高NA EUV光刻機(jī)已經(jīng)勢(shì)在必行了。 據(jù)了解，一臺(tái)高NA EUV的光刻機(jī)成本就可能達(dá)到3.2億美元，這樣一個(gè)天價(jià)的光刻系統(tǒng)究竟能帶來哪些優(yōu)勢(shì)，又存在哪些挑戰(zhàn)呢？ 規(guī)模和密度的平衡，我們?yōu)槭裁葱枰逳A光刻機(jī)？ 從今年發(fā)布的不少新品來看，即便工藝沒有太大的變化，芯片
2022-12-07 07:25:02952 過去二十年見證了193 nm以下波長(zhǎng)光刻技術(shù)的發(fā)展。在使用 F2 準(zhǔn)分子激光器開發(fā)基于 157 納米的光刻技術(shù)方面付出了一些努力，但主要關(guān)注點(diǎn)是使用 13.5 納米軟 X 射線作為光源的極紫外 (EUV) 光刻技術(shù)。
2023-02-02 11:49:592234 挑戰(zhàn)性。制造商正在關(guān)注稱為極紫
外(EUV) 光刻的先進(jìn)制造技術(shù)。
EUV光刻可用于制造比以前更小規(guī)模的芯片。該技術(shù)可以導(dǎo)致微處理器的發(fā)展，其速度比目前最強(qiáng)大的芯片快十倍。EUV光刻
的本質(zhì)也可以歸因于當(dāng)前芯片印刷技術(shù)的物理限制。
2023-02-15 15:55:294 新的High NA EUV 光刻膠不能在封閉的研究環(huán)境中開發(fā)，必須通過精心設(shè)計(jì)的底層、新型硬掩模和高選擇性蝕刻工藝進(jìn)行優(yōu)化以獲得最佳性能。為了迎接這一挑戰(zhàn)，imec 最近開發(fā)了一個(gè)新的工具箱來匹配光刻膠和底層的屬性。
2023-04-13 11:52:121165 半導(dǎo)體技術(shù)的未來通常是通過光刻設(shè)備的鏡頭來看待的，盡管高度挑戰(zhàn)性的技術(shù)問題幾乎永無休止，但光刻設(shè)備仍繼續(xù)為未來的工藝節(jié)點(diǎn)提供更好的分辨率。
2023-07-28 17:41:161130 
EUV掩膜，也稱為EUV掩模或EUV光刻掩膜，對(duì)于極紫外光刻（EUVL）這種先進(jìn)光刻技術(shù)至關(guān)重要。EUV光刻是一種先進(jìn)技術(shù)，用于制造具有更小特征尺寸和增強(qiáng)性能的下一代半導(dǎo)體器件。
2023-08-07 15:55:02399 EUV光刻膠材料是光敏物質(zhì)，當(dāng)受到EUV光子照射時(shí)會(huì)發(fā)生化學(xué)變化。這些材料在解決半導(dǎo)體制造中的各種挑戰(zhàn)方面發(fā)揮著關(guān)鍵作用，包括提高靈敏度、控制分辨率、減少線邊緣粗糙度（LER）、降低釋氣和提高熱穩(wěn)定性。
2023-09-11 11:58:42349 
近20年來，EUV光源、EUV掩模和EUV光刻膠一直是EUV光刻的三大技術(shù)挑戰(zhàn)。
2023-09-14 09:45:12563 
EUV 光是指用于微芯片光刻的極紫外光，涉及在微芯片晶圓上涂上感光材料并小心地將其曝光。這會(huì)將圖案打印到晶圓上，用于微芯片設(shè)計(jì)過程中的后續(xù)步驟。
2023-10-30 12:22:55615 三星D1a nm LPDDR5X器件的EUV光刻工藝
2023-11-23 18:13:02579 
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