隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器提供電平轉(zhuǎn)換、隔離和柵極驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度,以便操作功率器件。這些柵極驅(qū)動(dòng)器的隔離特性允許高側(cè)和低側(cè)器件驅(qū)動(dòng),并且能夠在使用合適的器件時(shí)提供安全柵。示例應(yīng)用程序如圖 1 所示。VDD1和 V
2022-12-19 11:46:182276 日前,德州儀器 (TI) 宣布推出一款面向絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)與MOSFET的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器,其速度比同等光學(xué)柵極驅(qū)動(dòng)器快40%。
2012-10-11 14:04:331700 近日,德州儀器 (TI) 推出了業(yè)內(nèi)速度最快的半橋柵極驅(qū)動(dòng)器。這款用于分立式功率MOSFET和絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 的柵極驅(qū)動(dòng)器的工作電壓可達(dá)到600V。
2015-10-16 16:32:111184 本文通過分析低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器的等效電路來計(jì)算如何合理的選取RGATE電阻的阻值,既要保持MOS管的良好開關(guān)性能,還要有效抑制振鈴的產(chǎn)生。
2024-02-26 18:14:341732 Diodes 公司推出 DGD0579U 高側(cè)和低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器。這款高頻裝置內(nèi)建自舉式二極管,能夠在半橋配置中驅(qū)動(dòng)兩個(gè)通常用于控制馬達(dá)及 DC-DC 電力傳輸?shù)?N 通道 MOSFET。
2022-02-24 17:56:531254 :LFUS)是一家工業(yè)技術(shù)制造公司,致力于為可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動(dòng)力。公司隆重宣布推出IX4352NE低側(cè)SiC MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器。 這款創(chuàng)新的驅(qū)動(dòng)器專門設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)
2024-05-23 11:23:22709 MIC4414YFT EV,MIC4414評(píng)估板是一款低側(cè)MOSFET驅(qū)動(dòng)器,設(shè)計(jì)用于在低側(cè)開關(guān)應(yīng)用中切換N溝道增強(qiáng)型MOSFET。 MIC4414是一款非反相驅(qū)動(dòng)器。該驅(qū)動(dòng)器具有短延遲和高峰值電流
2020-04-16 10:14:10
MOSFET 和 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器電路的基本原理
2019-08-29 13:30:22
MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器LTC4441資料下載內(nèi)容主要介紹了:LTC4441功能和特點(diǎn)LTC4441引腳功能LTC4441內(nèi)部方框圖LTC4441典型應(yīng)用電路LTC4441電氣參數(shù)
2021-03-29 06:26:56
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件,可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極,而對(duì)于IGBT,它們被稱為集電極
2021-01-27 07:59:24
為何需要柵極驅(qū)動(dòng)器柵極驅(qū)動(dòng)器的關(guān)鍵參數(shù)
2020-12-25 06:15:08
摘要IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件,可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極,而對(duì)于IGBT,它們被稱為
2021-07-09 07:00:00
本文通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關(guān)來研究柵極驅(qū)動(dòng)器隔離柵的耐受性能。
2021-06-17 07:24:06
180度?! 「叨?b class="flag-6" style="color: red">驅(qū)動(dòng)器 高端驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)浮動(dòng)低RDS(ON)N溝道MOSFET驅(qū)動(dòng)電源和下沉柵極電流的最大輸出電阻為5Ω。低輸出電阻允許驅(qū)動(dòng)器在3nF負(fù)載下有20ns的上升和下降時(shí)間。高壓側(cè)
2020-07-21 15:49:18
CRT彩電存儲(chǔ)器IX0715CE的代換資料下載內(nèi)容包括:IX0715CE引腳電壓值
2021-03-24 07:34:26
到低壓側(cè)的柵極MOSFET(LGATE)。轉(zhuǎn)換器的輸出電壓為然后受到低邊MOSFET閾值的限制為微處理器提供一些保護(hù),如果在初始啟動(dòng)期間,MOSFET短路。這些驅(qū)動(dòng)器還具有一個(gè)三態(tài)PWM輸入
2020-09-30 16:47:03
特征用于同步整流的雙MOSFET驅(qū)動(dòng)器轉(zhuǎn)換器快速外部MOSFET的高驅(qū)動(dòng)電流切換集成自舉二極管高頻操作啟用引腳自適應(yīng)死區(qū)管理柔性門驅(qū)動(dòng)器:5 V至12 V兼容輸出的高阻抗(HiZ)管理階段停堆初步
2020-09-22 16:32:27
電壓引腳具有欠壓鎖定(UVLO)保護(hù)。特性:通用:雙低壓側(cè)、雙高壓側(cè)或半橋驅(qū)動(dòng)器工作溫度范圍–40至+125°C開關(guān)參數(shù):19納秒典型傳播延遲最小脈沖寬度為10ns5-ns最大延遲匹配5-ns最大脈寬
2021-12-08 09:47:42
溫度為-40°C至105°C應(yīng)用開關(guān)電源DC/DC轉(zhuǎn)換器電機(jī)控制器線路驅(qū)動(dòng)器D類開關(guān)放大器說明UCC27423/4/5系列高速雙MOSFET驅(qū)動(dòng)器可以將大峰值電流傳輸?shù)诫娙葚?fù)載。提供三種標(biāo)準(zhǔn)邏輯選項(xiàng)-雙
2020-10-14 16:57:53
LTC1163的典型應(yīng)用 - 三路1.8V至6V高側(cè)MOSFET驅(qū)動(dòng)器。 LTC1163 / LTC1165三路低壓MOSFET驅(qū)動(dòng)器可通過低至1.8V電源的廉價(jià)低RDS(ON)N通道開關(guān)切換電源或接地參考負(fù)載
2020-04-17 10:09:17
,使用雙極結(jié)型晶體管(BJT)圖騰柱驅(qū)動(dòng)低側(cè)配置中的電源開關(guān)。但是,由于柵極驅(qū)動(dòng)器IC的諸多優(yōu)勢(shì)及其附加特性,它日益取代了這些分立式解決方案。圖2顯示了典型BJT圖騰柱配置與典型柵極驅(qū)動(dòng)器IC。 圖 2
2022-11-04 06:40:48
什么是MOSFET驅(qū)動(dòng)器?MOSFET驅(qū)動(dòng)器功耗包括哪些部分?如何計(jì)算MOSFET的功耗?
2021-04-12 06:53:00
到低壓側(cè)的柵極MOSFET(LGATE)。轉(zhuǎn)換器的輸出電壓為然后受到低邊MOSFET閾值的限制為微處理器提供一些保護(hù),如果在初始啟動(dòng)期間,MOSFET短路。這些驅(qū)動(dòng)器還具有一個(gè)三態(tài)PWM輸入
2020-09-29 17:38:58
概述:IX0948是一款CRT彩電場(chǎng)輸出電路,它采用7腳單列直插式封裝并帶散熱片,IX0948可與AN5515、AN5521直接互換。IX0948是一款適用于25英寸以上大屏幕彩電的場(chǎng)輸出電路中。
2021-04-09 07:02:51
EV6R11評(píng)估板采用ISOSMARTTM半橋驅(qū)動(dòng)器CHIPSET-IX6R11和IXDP630死區(qū)時(shí)間發(fā)生器,在雙面PCB上實(shí)現(xiàn)單電源相臂電路。該評(píng)估板包括一個(gè)帶有兩個(gè)功率器件的組裝和測(cè)試PCB。只需按照本文檔中的說明操作,即可將電路板連接到負(fù)載和電源
2020-04-23 08:42:24
IGBT 或 SiC MOSFET。具有可調(diào)消隱時(shí)間的過流保護(hù)。先進(jìn)的主動(dòng)箝位保護(hù)欠壓和過壓鎖定保護(hù)。兩個(gè) 1 安培脈沖變壓器驅(qū)動(dòng)器,用于故障信號(hào)通信。IX6611設(shè)計(jì)用于為高功率開關(guān)器件提供柵極驅(qū)動(dòng)
2023-02-27 09:52:17
您好,我正在嘗試使用 MC34GD3000 柵極驅(qū)動(dòng)器,但我們遇到了設(shè)備故障和損壞高側(cè) MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器的問題。首先,是否有任何關(guān)于正確設(shè)置柵極驅(qū)動(dòng)器輸出的應(yīng)用說明。我們看到的是在沒有任何
2023-04-19 06:36:06
概述:IX0512CE是一款開關(guān)穩(wěn)壓電源專用厚膜電路,它為5腳單列直插式陶瓷封裝工藝,IX0512CE可用IX0465CE、IX0645CE、HKD41090、STR40090、STR41090、56A246等
2021-04-06 07:17:57
驅(qū)動(dòng)器的可靠性。 同時(shí)本文也介紹了TI最新推出的 UCC27624是雙路低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器,,低至-10V輸入端口負(fù)壓承受能力以及強(qiáng)大的抗電流反灌能力,使得該芯片適合高噪聲和輔助供電變壓器驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用場(chǎng)景;具有
2022-11-03 08:28:01
如果一個(gè)特殊的功率器件需要正負(fù)柵極驅(qū)動(dòng),電路設(shè)計(jì)人員無需特別尋找可進(jìn)行雙極性操作的特殊柵極驅(qū)動(dòng)器。使用一個(gè)簡(jiǎn)單的技巧,就可以使單極性柵極驅(qū)動(dòng)器提供雙極性電壓!
2019-08-06 06:08:24
概述:IX0260CE是一般作用于CRT彩電電視機(jī)上的電視頻段選擇器,它單列9腳封裝,雙極結(jié)構(gòu),工作電源電壓=15V,最大功耗=0.2W,彩電遙控器用,靜態(tài)電流=60mA,輸出漏電流=50uA。
2021-04-12 06:37:18
IGBT/功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件,可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極,而對(duì)于IGBT,它們被稱為
2018-10-25 10:22:56
Sanket Sapre摘要IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件,可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極,而對(duì)
2018-11-01 11:35:35
驅(qū)動(dòng)器UCC277144A,600V 高側(cè)及低側(cè)驅(qū)動(dòng)器15ns,15ns支持UCC27524A5A,高速低側(cè)雙驅(qū)動(dòng)器7ns,6ns支持UCC27211A4A,120V 高側(cè)及低側(cè)驅(qū)動(dòng)器7.2ns
2019-08-07 04:45:12
,低側(cè)FET導(dǎo)通并開始通過其通道導(dǎo)通。相同的原理適用于通常在DC / DC電源和電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)中發(fā)現(xiàn)的其它同步半橋配置。負(fù)責(zé)高速接通的一個(gè)重要的柵極驅(qū)動(dòng)器參數(shù)是導(dǎo)通傳播延遲。這是在柵極驅(qū)動(dòng)器的輸入端
2019-03-08 06:45:10
MOSFET驅(qū)動(dòng)器與MOSFET的匹配設(shè)計(jì)本應(yīng)用筆記將詳細(xì)討論與MOSFET 柵極電荷和工作頻率相關(guān)的MOSFET 驅(qū)動(dòng)器功耗。還將討論如何根據(jù)MOSFET 所需的導(dǎo)通和截止時(shí)間將MOSFET 驅(qū)動(dòng)器的
2010-06-11 15:23:20213 DGD05473FNQ 產(chǎn)品簡(jiǎn)介DIODES 的DGD05473FNQ這是一款能夠驅(qū)動(dòng) N 溝道 MOSFET 的高頻柵極驅(qū)動(dòng)器。浮動(dòng)高側(cè)驅(qū)動(dòng)器的額定電壓高達(dá) 50V
2023-10-24 10:17:47
DGD0597FUQ 產(chǎn)品簡(jiǎn)介DIODES 的DGD0597FUQ這是一款高頻高側(cè)和低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器,能夠驅(qū)動(dòng)半橋配置中的 N 溝道 MOSFET。浮動(dòng)高側(cè)驅(qū)動(dòng)器的額定電壓高達(dá)
2023-10-24 10:45:14
單通道MOSFET或IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器集成電路IR2117
IR2117是美國(guó)IR公司專為驅(qū)動(dòng)單個(gè)MOSFET或IGBT而設(shè)計(jì)的柵極驅(qū)動(dòng)器集成電路。文中介紹了它的引腳排列、功能
2009-12-08 10:21:006608 TI推出具備板載功率MOSFET的全集成型雙路功率驅(qū)動(dòng)器
日前,德州儀器 (TI) 宣布推出一款具備集成型功率 MOSFET、保護(hù)模塊以及監(jiān)控特性的數(shù)字雙路同步降壓功率驅(qū)動(dòng)器,
2010-02-23 09:26:57763 高壓MOSFET驅(qū)動(dòng)器電路的LTC1154被用作電荷泵,從而來驅(qū)動(dòng)一個(gè)高壓側(cè)功率MOSFET的柵極。
2011-12-17 00:02:005064 德州儀器(TI)宣布推出用于配合高密度電源轉(zhuǎn)換器中 MOSFET 與氮化鎵 (GaN) 功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 使用的低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器。
2012-02-11 09:59:081484 德州儀器 (TI) 宣布推出首批具有業(yè)界領(lǐng)先速度及驅(qū)動(dòng)電流性能的 4 A/8 A 與 4 A/4 A 單通道低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器
2012-04-24 09:56:411513 10 月 1 日 – 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高端、高頻率 N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器 LTC4440A-5,該器件能以高達(dá) 80V
2013-10-09 15:41:271117 iX6500系列維修手冊(cè)
2015-11-30 17:26:5120 Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的DGD21xx系列包括六款半橋柵極驅(qū)動(dòng)器及六款高/低側(cè)600V柵極驅(qū)動(dòng)器,可在半橋或全橋配置下輕易開關(guān)功率MOSFET與IGBT。
2016-03-14 18:13:231486 UCC2752x 系列產(chǎn)品是雙通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器,此器件能夠高效地驅(qū)動(dòng)MOSFET 和絕緣柵極型功率管(IGBT) 電源開關(guān)。
2016-07-22 15:38:230 的柵極驅(qū)動(dòng)要求等。與在這種設(shè)計(jì)中正式使用的雙極晶體管相比,IGBT在驅(qū)動(dòng)電路的尺寸和復(fù)雜度上都有相當(dāng)大的降低。最近在IGBT開關(guān)速度的改進(jìn)取得了設(shè)備適用于電源的應(yīng)用,因此IGBT將與某些高電壓MOSFET以及應(yīng)用。許多設(shè)計(jì)者因此轉(zhuǎn)向MOSFET驅(qū)動(dòng)器以滿足其
2017-07-04 10:51:0522 LTC7001 強(qiáng)大的 1Ω 柵極驅(qū)動(dòng)器可憑借非常短的轉(zhuǎn)換時(shí)間和 35ns 傳播延遲,非常方便地驅(qū)動(dòng)柵極電容很大的 MOSFET,因此很適合高頻開關(guān)和靜態(tài)開關(guān)應(yīng)用。
2017-09-06 10:48:5010267 ,簡(jiǎn)稱 ADI) 旗下凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速、高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 LTC7004,該器件用高達(dá) 60V 的電源電壓運(yùn)行
2017-09-11 09:36:582940 The IX2113 is a high voltage integrated circuit that can drive high speed MOSFETs and IGBTs
2017-09-11 11:31:3518 The IX4423, IX4424, and IX4425 are dual high-speed, low-side gate drivers. Each of the two outputs
2017-09-11 12:19:4415 The IX4423, IX4424, and IX4425 are dual high-speed, low-side gate drivers. Each of the two outputs
2017-09-11 12:23:441 The IX4423, IX4424, and IX4425 are dual high-speed, low-side gate drivers. Each of the two outputs
2017-09-11 12:28:0110 LTC7004 強(qiáng)大的 1Ω 柵極驅(qū)動(dòng)器能夠以非常短的轉(zhuǎn)換時(shí)間和 35ns 傳播延遲,容易地驅(qū)動(dòng)柵極電容很大的 MOSFET,非常適合高頻開關(guān)和靜態(tài)開關(guān)應(yīng)用。
2017-09-18 10:49:385043 高壓MOSFET驅(qū)動(dòng)器電路的LTC1154被用作電荷泵,從而來驅(qū)動(dòng)一個(gè)高壓側(cè)功率MOSFET的柵極。高壓MOSFET驅(qū)動(dòng)器電路:
2017-10-19 16:02:3723 ADP3110A是一個(gè)單相12V MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器,它被優(yōu)化成在同步降壓轉(zhuǎn)換器中同時(shí)驅(qū)動(dòng)高_(dá)側(cè)和低_側(cè)功率MOSFET的柵極。高_(dá)側(cè)和低_側(cè)驅(qū)動(dòng)器能夠以25ns的傳播延遲和30ns的過渡時(shí)間驅(qū)動(dòng)3000pF負(fù)載。
2018-08-27 10:44:0078 近日,Hirose擴(kuò)充了其堅(jiān)固耐用的IX Industrial系列產(chǎn)品,新產(chǎn)品包括用于更快安裝的 絕緣位移連接器 (IDC)插頭組件和用于非以太網(wǎng)應(yīng)用的B鍵版本。 IX工業(yè)系列將小巧堅(jiān)固的設(shè)計(jì)與高速
2018-10-06 22:40:02347 通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關(guān)來研究柵極驅(qū)動(dòng)器隔離柵的耐受性能。
2019-04-16 17:07:395407 廣瀨電機(jī)株式會(huì)社正式公布,SIEMENS AG開發(fā)的伺服驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的編碼器連接部分采用了符合IEC規(guī)格標(biāo)準(zhǔn)的小型連接器ix Industrial。
2019-06-04 14:44:401188 安森美半導(dǎo)體NCP51530 MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器是高頻、700V、2A高側(cè)和低側(cè)驅(qū)動(dòng)器,適用于交流/直流電源和逆變器。NCP51530可在較高工作頻率下提供同類最佳的傳播延遲、低靜態(tài)電流和低開關(guān)電流。這些NCP51530驅(qū)動(dòng)器適用于在高頻下工作的高效電源。
2019-10-03 09:32:003480 DRV832x 系列器件是適用于三相 應(yīng)用的集成式柵極驅(qū)動(dòng)器。這些器件具有三個(gè)半橋柵極驅(qū)動(dòng)器,每個(gè)驅(qū)動(dòng)器都能夠驅(qū)動(dòng)高側(cè)和低側(cè) N 溝道功率 MOSFET。 DRV832x 使用集成電荷泵為高側(cè)
2020-03-05 08:00:000 BS2103F是一種單片高低壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)芯片,可驅(qū)動(dòng)高速功率MOSFET和IGBT驅(qū)動(dòng)器,并具有自舉功能。浮動(dòng)通道可用于驅(qū)動(dòng)高達(dá)600V的N通道功率MOSFET或IGBT。邏輯輸入可用于3.3V和5.0V。當(dāng)VCC和VBS低于規(guī)定的閾值電壓時(shí),欠壓鎖定(UVLO)電路可防止故障。
2020-04-10 08:00:005 來源:羅姆半導(dǎo)體社區(qū) 柵極驅(qū)動(dòng)器的作用 柵極驅(qū)動(dòng)器可以驅(qū)動(dòng)開關(guān)電源如MOSFET,JFET等,因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">MOSFET有個(gè)柵極電容,在導(dǎo)通之前要先對(duì)該電容充電,當(dāng)電容電壓超過閾值電壓(VGS-TH
2022-11-16 17:50:181259 本應(yīng)用筆記涵蓋了計(jì)算柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器 IC 的柵極驅(qū)動(dòng)器功率和熱耗散的主題。柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器用于驅(qū)動(dòng)、導(dǎo)通和關(guān)斷、功率半導(dǎo)體開關(guān)、MOSFET/IGBT。柵極驅(qū)動(dòng)功率計(jì)算可分為三部分;驅(qū)動(dòng)器內(nèi)部電路
2021-06-14 03:51:003628 M2205是一個(gè)高頻,同步整流,單相雙MOSFET驅(qū)動(dòng)器。每個(gè)驅(qū)動(dòng)器能夠驅(qū)動(dòng)3000pF負(fù)載,具有快速上升/下降時(shí)間和快速傳播延遲。該器件只需一個(gè)外部電容就可以在上柵極上實(shí)現(xiàn)自舉二極管。這降低了實(shí)現(xiàn)
2020-12-02 08:00:007 摘要
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件,可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極,而對(duì)于IGBT,它們被稱為
2021-01-28 08:13:3821 快速 150V 高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 提供 100% 占空比能力
2021-03-20 11:56:482 LTC4441:N溝道MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)表
2021-05-26 08:42:545 ADI隔離柵極驅(qū)動(dòng)器和WOLFSPEED SiC MOSFET
2021-05-27 13:55:0830 ROHM不僅提供電機(jī)驅(qū)動(dòng)器IC,還提供適用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)的非隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器,以及分立功率器件IGBT和功率MOSFET。 我們將先介紹羅姆非隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器,再介紹ROHM超級(jí)結(jié)MOSFET
2021-08-09 14:30:512587 。圖1顯示了由低側(cè)MOSFET/IGBT電源開關(guān)驅(qū)動(dòng)的典型PTC加熱器方框圖。
圖1:汽車內(nèi)部加熱器模塊的方框圖
過去,使用雙極結(jié)型晶體管(BJT)圖騰柱驅(qū)動(dòng)低側(cè)配置中的電源開關(guān)。但是,由于柵極
2022-01-12 14:47:171774 MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器電路的基本原理
2021-11-29 16:29:1769 ?東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)為其TCK42xG系列MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器IC 的產(chǎn)品陣容增加面向可穿戴設(shè)備等移動(dòng)設(shè)備的五款新品。該系列的新產(chǎn)品配備了過壓鎖定功能,并根據(jù)輸入電壓控制外部MOSFET的柵極電壓。
2022-06-09 10:00:301865 STMicroelectronics (ST) 的 STGAP2SiCSN 單通道柵極驅(qū)動(dòng)器旨在調(diào)節(jié)碳化硅 (SiC) MOSFET。它采用窄體 SO-8 封裝,可節(jié)省空間并具有精確的PWM 控制
2022-08-03 09:47:011695 MOSFET驅(qū)動(dòng)器是一款高頻高電壓柵極驅(qū)動(dòng)器,可利用一個(gè)同步 DC/DC 轉(zhuǎn)換器和高達(dá)100V的電源電壓來驅(qū)動(dòng)兩個(gè)N溝道MOSFET。強(qiáng)大的驅(qū)動(dòng)能力降低了具高柵極電容MOSFET中的開關(guān)損耗。針對(duì)
2022-10-25 09:19:341691 低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器的應(yīng)用回顧和比較評(píng)估
2022-11-14 21:08:330 IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制器件,用作電源電路和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器等系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)設(shè)備的電氣隔離控制端子。 MOSFET的其他端子是源極和漏極,對(duì)于IGBT,它們被稱為集電極
2023-01-30 17:17:121514 如果特定功率器件需要正極和負(fù)柵極驅(qū)動(dòng),電路設(shè)計(jì)人員無需尋找專門處理雙極性操作的特殊柵極驅(qū)動(dòng)器。使用這個(gè)簡(jiǎn)單的技巧使單極性柵極驅(qū)動(dòng)器提供雙極性電壓!
2023-02-16 11:04:58759 柵極驅(qū)動(dòng)參考 1.PWM直接驅(qū)動(dòng)2.雙極Totem-Pole驅(qū)動(dòng)器3.MOSFET Totem-Pole驅(qū)動(dòng)器4.速度增強(qiáng)電路5.dv/dt保護(hù) 1.PWM直接驅(qū)動(dòng) 在電源應(yīng)用中,驅(qū)動(dòng)主開關(guān)
2023-02-23 15:59:0024 高側(cè)非隔離柵極驅(qū)動(dòng) 1.適用于P溝道的高側(cè)驅(qū)動(dòng)器2.適用于N溝道的高側(cè)直接驅(qū)動(dòng)器 1.適用于P溝道的高側(cè)驅(qū)動(dòng)器 高側(cè)非隔離柵極驅(qū)動(dòng)可按照所驅(qū)動(dòng)的器件類型或涉及的驅(qū)動(dòng)電路類型來分類。相應(yīng)地,無論是
2023-02-23 15:35:241 LTC7001 是一款快速、高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器,選用高達(dá) 135V 的輸入電壓作業(yè)。該器材包括一個(gè)擔(dān)任全面增強(qiáng)外部 N 溝道 MOSFET 開關(guān)的內(nèi)部充電泵,因此使其可以無限期地堅(jiān)持導(dǎo)通。
2023-03-23 09:46:45931 SCT52A40是一種寬電源,高頻柵極驅(qū)動(dòng)器,包括高壓側(cè)和低壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器,用于半橋、全橋和降壓電路和驅(qū)動(dòng)離散N型MOSFET的轉(zhuǎn)換器。4A峰值電流和匯電流能力可提高功率轉(zhuǎn)換器的功率效率
2023-07-03 17:31:24599 介紹
在設(shè)計(jì)電源開關(guān)系統(tǒng)(例如電機(jī)驅(qū)動(dòng)器或電源)時(shí),設(shè)計(jì)人員必須做出重要決定。什么電機(jī)或變壓器符合系統(tǒng)要求?什么是最好的MOSFET或IGBT來匹配該電機(jī)或變壓器?以及哪種柵極驅(qū)動(dòng)器 IC 最適合
2023-07-24 15:51:430 在電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中,柵極驅(qū)動(dòng)器或“預(yù)驅(qū)動(dòng)器” IC常與N溝道功率MOSFET一起使用,以提供驅(qū)動(dòng)電機(jī)所需的大電流。在選擇驅(qū)動(dòng)器IC、MOSFET以及某些情況下用到的相關(guān)無源元件時(shí),有很多需要考量的設(shè)計(jì)因素。如果對(duì)這個(gè)過程了解不透徹,將導(dǎo)致實(shí)現(xiàn)方式的差強(qiáng)人意。
2023-08-02 18:18:341183 本應(yīng)用筆記介紹了采用表面貼裝封裝的 n 通道雙 MOSFET 的低壓電機(jī)驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)。它描述了使用不同電壓應(yīng)用的設(shè)計(jì),以及自適應(yīng) MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器,這是驅(qū)動(dòng)雙 n 溝道半橋的第三種方法。
2023-10-05 15:20:001084 圣邦微電子推出 SGM42403,一款四路低壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器。器件可應(yīng)用于低壓側(cè)開關(guān)、單極步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、繼電器驅(qū)動(dòng)器和電磁閥驅(qū)動(dòng)器。
2023-09-28 10:06:151046 圣邦微電子推出 SGM48541/2/3/4/5 系列,一款耐受 -10V 輸入電壓的單通道高速低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器。 該系列器件被廣泛應(yīng)用于 DC/DC 轉(zhuǎn)換器、太陽(yáng)能和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中的功率 MOSFET
2023-12-13 10:10:01646 Littelfuse宣布推出IX4352NE低側(cè)SiC MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器。這款創(chuàng)新的驅(qū)動(dòng)器專門設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)工業(yè)應(yīng)用中的碳化硅(SiC)MOSFET和高功率絕緣柵雙極晶體管(IGBT)。
2024-05-23 11:26:30666 近日,Littelfuse公司發(fā)布了IX4352NE低側(cè)SiC MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器,這款新型驅(qū)動(dòng)器在業(yè)界引起了廣泛關(guān)注。
2024-05-23 11:34:21603 柵極驅(qū)動(dòng)器芯片的原理是什么 柵極驅(qū)動(dòng)器芯片是一種用于控制功率電子器件(如IGBT、MOSFET等)柵極電壓的集成電路。它在電力電子領(lǐng)域中具有重要應(yīng)用,如電機(jī)驅(qū)動(dòng)、開關(guān)電源、太陽(yáng)能逆變器等。本文將詳細(xì)
2024-06-10 17:23:00947 柵極驅(qū)動(dòng)器的選型標(biāo)準(zhǔn)是什么 柵極驅(qū)動(dòng)器(Gate Driver)是用于驅(qū)動(dòng)IGBT(絕緣柵雙極晶體管)或MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)等功率器件的電子設(shè)備。在電力電子領(lǐng)域,柵極驅(qū)動(dòng)器
2024-06-10 17:24:00474 柵極驅(qū)動(dòng)器(Gate Driver)是一種電路,主要用于增強(qiáng)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)或絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)的柵極信號(hào),以便控制器能夠更好地控制這些半導(dǎo)體開關(guān)的操作。它通過將控制器輸出
2024-07-19 17:15:276774 柵極驅(qū)動(dòng)器(Gate Driver)是一種電路,其主要功能在于增強(qiáng)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)或絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)的柵極信號(hào),以便控制器能夠更好地控制這些半導(dǎo)體開關(guān)的操作。柵極驅(qū)動(dòng)器通過
2024-07-24 16:15:27387 IX0689電源電路圖
2024-08-27 11:46:320 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《使用單輸出柵極驅(qū)動(dòng)器實(shí)現(xiàn)高側(cè)或低側(cè)驅(qū)動(dòng).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-09-03 11:50:110
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