等歐洲主要市場(chǎng)的需求?！? ?
Soitec 首席執(zhí)行官 Paul Boudre 表示:“對(duì)于我們專(zhuān)注的充滿(mǎn)活力的市場(chǎng)，FD-SOI 是一項(xiàng)重要技術(shù)，對(duì)于我們行業(yè)和客戶(hù)，它是一個(gè)重要的增長(zhǎng)動(dòng)力
2022-04-21 17:18:48
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臺(tái)灣半導(dǎo)體制造公司的董事長(zhǎng)兼首席執(zhí)行官張忠謀在上周五表示，預(yù)計(jì)該公司將在2013年得到幾乎全部的28nm制程的市場(chǎng)份額
2013-01-18 16:25:28999 意法半導(dǎo)體宣布，其28納米FD-SOI技術(shù)平臺(tái)在測(cè)試中取得又一項(xiàng)重大階段性成功:其應(yīng)用處理器引擎芯片工作頻率達(dá)到3GHz，在指定的工作頻率下新產(chǎn)品能效高于其它現(xiàn)有技術(shù)。
2013-03-13 09:40:241436 
Analog Devices， Inc. （NASDAQ：ADI），沉痛地宣布ADI公司首席執(zhí)行官Jerald G. Fishman先生因心臟病突發(fā)于美國(guó)當(dāng)?shù)貢r(shí)間3月28日晚辭世，享年67歲。
2013-04-01 13:56:27912 意法半導(dǎo)體獨(dú)有的FD-SOI技術(shù)配備嵌入式存儲(chǔ)器，有望突破更高性能，以實(shí)現(xiàn)更低工作功耗和更低待機(jī)功耗。
2013-11-09 08:54:091358 美元。##目前，IBM與ST在32nm與28nm上提供FD SOI工藝，IBM的產(chǎn)能最大，ST的產(chǎn)能小。##對(duì)于FinFet，完成一個(gè)14/16nm的設(shè)計(jì)，成本高達(dá)2.127億美元。
2014-10-20 11:03:1018267 在我們大多數(shù)人“非黑即白”、“非此即彼”的觀念里，半導(dǎo)體廠商應(yīng)該不是選擇FinFET就是FD-SOI工藝技術(shù)。
2015-07-07 09:52:223877 半導(dǎo)體晶圓代工公司格羅方德（Globalfoundries）日前開(kāi)發(fā)出支援4種技術(shù)制程的22nm FD-SOI平臺(tái)，以滿(mǎn)足新一代物聯(lián)網(wǎng)（IoT）裝置的超低功耗要求——這主要來(lái)自于該公司與意法半導(dǎo)體
2015-10-08 08:29:221033 耗盡型絕緣上覆矽（FD-SOI）制程技術(shù)正從原本的“遲到”（too-late）位置搖身一變，成為可望在物聯(lián)網(wǎng)（IoT）與汽車(chē)市場(chǎng)取代鰭式場(chǎng)效電晶體（FinFET）的理想替代方案了。對(duì)于許多人來(lái)說(shuō)，業(yè)界主導(dǎo)廠商代表出席一場(chǎng)相關(guān)領(lǐng)域的業(yè)界活動(dòng)，象征著為這項(xiàng)技術(shù)背書(shū)。
2016-04-18 10:16:033258 
芯片制造的重點(diǎn)永遠(yuǎn)是成本。從28nm HKMG工藝轉(zhuǎn)換到14nm FinFET工藝，將會(huì)增加50%的成本，這個(gè)代價(jià)值得嗎？雖然FinFET能實(shí)現(xiàn)令人印象深刻的性能數(shù)據(jù)。
2016-05-11 09:33:191432 
Globalfoundries技術(shù)長(zhǎng)Gary Patton透露，其22FDX全空乏絕緣上覆矽（FD-SOI）制程技術(shù)可望今年稍晚上市，而目前該公司正在開(kāi)發(fā)后續(xù)制程。
2016-05-27 11:17:321232 Samsung Foundry行銷(xiāo)暨業(yè)務(wù)開(kāi)發(fā)負(fù)責(zé)人Kelvin Low在接受EE Times歐洲版訪問(wèn)時(shí)表示，該公司的技術(shù)藍(lán)圖顯示，28納米FD-SOI嵌入式非揮發(fā)性記憶體將分兩階段發(fā)展，首先是在
2016-07-28 08:50:141138 獲得英 特爾（Intel）、三星、臺(tái)積電（TSMC）等大廠采用的FinFET制程，號(hào)稱(chēng)能提供最高性能與最低功耗；但Jones指出，在約當(dāng)14納米節(jié) 點(diǎn)，FD-SOI每邏輯閘成本能比FinFET低16.8%，此外其設(shè)計(jì)成本也低25%左右，并降低了需要重新設(shè)計(jì)的風(fēng)險(xiǎn)。
2016-09-14 11:39:022000 
晶體管（FinFET）制程技術(shù)外，也投入全耗盡型絕緣層上覆硅（FD-SOI）市場(chǎng)，并推出22納米及12納米FDX制程平臺(tái)，搶攻物聯(lián)網(wǎng)商機(jī)。
2016-11-17 14:23:22970 5G時(shí)代將對(duì)半導(dǎo)體的移動(dòng)性與對(duì)物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代的適應(yīng)性有著越來(lái)越高的要求。此時(shí)，FD-SOI與RF-SOI技術(shù)的優(yōu)勢(shì)日漸凸顯，人們對(duì)SOI技術(shù)的關(guān)注也與日俱增。
2017-09-29 11:22:5712561 全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體知識(shí)產(chǎn)權(quán)（IP）供應(yīng)商Imagination科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)Imagination）今日宣布：李力游博士（Dr. Leo Li）正式接任該公司的首席執(zhí)行官（CEO）。
2018-04-03 15:22:1612671 格芯Fab1廠總經(jīng)理兼高級(jí)副總裁Thomas Morgenstern表示，FD-SOI（全耗盡平面晶體管）工藝將是格芯當(dāng)前戰(zhàn)略中心與創(chuàng)新的源泉。
2018-09-20 09:30:199783 Lattice基于三星28nm FD-SOI平臺(tái)推出了一系列FPGA產(chǎn)品，包括在嵌入式視頻方面應(yīng)用比較多的CrossLink-NX，重新定義的Certus-NX，去年Q4問(wèn)世的基于安全的FPGA
2021-07-07 11:22:416234 在工藝進(jìn)程方面，i.MX RT500使用了28nm FD-SOI耗盡型絕緣硅工藝，該工藝的優(yōu)勢(shì)在于能夠在提升處理器主頻性能的同時(shí)，盡可能控制功耗。
2021-12-23 11:10:331849 
絕緣體上硅(FD-SOI)技術(shù)開(kāi)發(fā)10納米低功耗工藝技術(shù)模塊，該技術(shù)未來(lái)將進(jìn)一步向7納米拓展，這也是浸沒(méi)式DUV光刻技術(shù)的極限。該機(jī)構(gòu)透露，FD-SOI新一代工藝將與18、22和28nm的現(xiàn)有設(shè)計(jì)兼容，并且還將包括嵌入式非易失性存儲(chǔ)器(eNVM)工藝。該項(xiàng)目由法國(guó)政府獨(dú)立于《歐盟芯片法案》提供資金。
2023-07-20 10:54:19480 即便不考慮RF設(shè)備和工藝類(lèi)型的變革，當(dāng)今RF市場(chǎng)的挑戰(zhàn)也足以令人望而生畏。Cavendish Kinetics公司總裁兼首席執(zhí)行官Paul Dal Santo表示：“幾年前，RF還是一項(xiàng)相當(dāng)簡(jiǎn)單
2017-07-13 08:50:15
FD-SOI（全耗盡型絕緣層上硅）技術(shù)是一種新的工藝技術(shù)，有望成為其30納米以下的技術(shù)節(jié)點(diǎn)中成本效益最高的制造工藝。如果采用28納米技術(shù)制作一顆晶片，在相同的選件和金屬層條件下，FD-SOI需要38
2016-04-15 19:59:26
工藝節(jié)點(diǎn)中設(shè)計(jì)，但是 FD-SOI 技術(shù)提供最低的功率，同時(shí)可以承受輻射效應(yīng)。與體 CMOS 工藝相比，28 納米 FD-SOI 芯片的功耗將降低 70%。射頻數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器需要同時(shí)具有高帶寬和低功耗，以
2023-02-07 14:11:25
即便不考慮RF設(shè)備和工藝類(lèi)型的變革，當(dāng)今RF市場(chǎng)的挑戰(zhàn)也足以令人望而生畏。Cavendish Kinetics公司總裁兼首席執(zhí)行官Paul Dal Santo表示：“幾年前，RF還是一項(xiàng)相當(dāng)簡(jiǎn)單
2017-07-13 09:14:06
1月22日，Altera 在北京展示了號(hào)稱(chēng)業(yè)界最全面的28nm 最新技術(shù)及強(qiáng)大解決方案。Altera公司的多位工程師為在京的媒體人士進(jìn)行了講解。
2019-08-21 07:37:32
半導(dǎo)體為代表的歐洲半導(dǎo)體科研機(jī)構(gòu)和公司相繼迎來(lái)技術(shù)突破，快速發(fā)展，為MRAM的商業(yè)化應(yīng)用埋下了伏筆。 2014年，三星與意法半導(dǎo)體簽訂28nm FD-SOI技術(shù)多資源制造全方位合作協(xié)議，授權(quán)三星在芯片
2023-03-21 15:03:00
基于FD-SOI的FPGA芯片有哪些技術(shù)優(yōu)勢(shì)？基于FD-SOI的FPGA芯片有哪些主要應(yīng)用？
2021-06-26 07:14:03
如何開(kāi)始著手學(xué)習(xí)或者說(shuō)有哪些相關(guān)的書(shū)籍
2017-08-01 16:30:30
急求，有沒(méi)有大佬可以分享一下GF的45nm SOI RF庫(kù)？
2021-06-22 06:49:40
尊敬的先生/女士，您能否提供步驟和可能的圖表，以便在ADS仿真中獲得N-MOS FD-SOI晶體管的C-V曲線(xiàn)？提前謝謝Gadora 以上來(lái)自于谷歌翻譯 以下為原文Dear Sir/Madam
2018-11-15 16:42:08
之前只用過(guò)tsmc 65nm的，在設(shè)置電感時(shí)候是有indcutor finder的工具的，28nm下沒(méi)有了嗎？只能自己掃描參數(shù)一個(gè)一個(gè)試？28nm下是沒(méi)有MIM電容了嗎？相關(guān)的模擬射頻器件（比如
2021-06-24 06:18:43
請(qǐng)問(wèn)工程師，C2000系列產(chǎn)品的制程是45nm還是28nm？同一款新片可能采用不同的制程生產(chǎn)嗎？
2020-06-17 14:41:57
CSA集團(tuán)新任總裁兼首席執(zhí)行官訪華
CSA集團(tuán)新任總裁兼首席執(zhí)行官Ash Sahi先生近日開(kāi)始了他在中國(guó)為期一周的訪問(wèn)，這是Ash Sahi先生就任新職后首次訪問(wèn)中國(guó)。CSA集
2009-12-12 09:24:55929 Altium任命沈宇豪為大中國(guó)區(qū)首席執(zhí)行官
Altium日前宣布任命沈宇豪為大中國(guó)區(qū)的地區(qū)首席執(zhí)行官（Regional CEO）。同時(shí)，大中國(guó)區(qū)從銷(xiāo)售區(qū)域提升為地區(qū)性業(yè)務(wù)部門(mén)。
2010-01-06 10:52:451146 Altium任命沈宇豪為大中國(guó)區(qū)首席執(zhí)行官
Altium日前宣布任命沈宇豪為大中國(guó)區(qū)的地區(qū)首席執(zhí)行官（Regional CEO）。同時(shí)，大中國(guó)區(qū)從銷(xiāo)售區(qū)域提升為地區(qū)性業(yè)務(wù)部門(mén)。&nb
2010-01-04 17:10:01657 22nm以后的晶體管技術(shù)領(lǐng)域，靠現(xiàn)行Bulk MOSFET的微細(xì)化會(huì)越來(lái)越困難的，為此，人們關(guān)注的是平面型FD-SOI（完全空乏型SOI）元件與基于立體通道的FinFET。由于這些技術(shù)都不需要向通
2010-06-23 08:01:42661 22nm以后的晶體管技術(shù)領(lǐng)域，靠現(xiàn)行BulkMOSFET的微細(xì)化會(huì)越來(lái)越困難的，為此，人們關(guān)注的是平面型FD-SOI（完全空乏型SOI）元件與基于立體通道的FinFET。
2011-01-18 17:53:421600 IBM、ARM同一批半導(dǎo)體生產(chǎn)商正在進(jìn)行一項(xiàng)關(guān)于小功率SOI芯片組的研究計(jì)劃，打算將采用體硅制成的CMOS設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)換成全耗盡型FD-SOI裝配。
2011-11-15 08:56:56488 NVIDIA首席執(zhí)行官黃仁勛在與分析師的電話(huà)會(huì)議當(dāng)中表示，該公司將在最近的幾個(gè)月里有不斷增加資本支出，伴隨著低于預(yù)計(jì)的季度毛利率。NVIDIA同時(shí)指責(zé)臺(tái)積電28nm工藝代工的開(kāi)普勒芯片
2012-02-20 08:39:14842 意法半導(dǎo)體（ST）、Soitec與CMP（Circuits Multi Projets）攜手宣佈，大專(zhuān)院校、研究實(shí)驗(yàn)室和設(shè)計(jì)公司將可透過(guò)CMP的硅中介服務(wù)採(cǎi)用意法半導(dǎo)體的CMOS 28奈米FD-SOI （Fully Depleted Silicon-on-Insulator，
2012-10-25 09:42:501288 Intersil公司今天宣布總裁兼首席執(zhí)行官Dave Bell辭職,Intersil董事會(huì)已任命董事會(huì)成員James Diller先生為臨時(shí)總裁兼首席執(zhí)行官，立即生效。
2012-12-11 16:22:55731 日前，意法半導(dǎo)體（ST）宣布位于法國(guó)Crolles的12寸（300mm）晶圓廠即將擁有28奈米 FD-SOI技術(shù)，這證明了意法半導(dǎo)體以28奈米技術(shù)節(jié)點(diǎn)提供平面完全空乏型（planar fully-depleted）技術(shù)的能力。
2012-12-14 08:45:27886 16/10nm之間搗鼓了一個(gè)12nm，其實(shí)就是16nm的深度改良版，號(hào)稱(chēng)可帶來(lái)更高的晶體管集成度、更好的性能、更低的功耗，可以更好地競(jìng)爭(zhēng)三星14nm、GlobalFoundries 12nm FD-SOI。
2017-05-13 01:07:141307 AMD剝離出來(lái)的代工廠GlobalFoundries(經(jīng)常被戲稱(chēng)為AMD女友)近日迎來(lái)好消息，上海復(fù)旦微電子已經(jīng)下單采納其22nm FD-SOI工藝(22FDX)。
2017-07-11 08:56:221008 據(jù)報(bào)道,意法半導(dǎo)體公司決定選擇格芯22FDX?用來(lái)提升其FD-SOI平臺(tái)和技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)力，格芯FDX技術(shù)將賦能ST為新一代消費(fèi)者和工業(yè)應(yīng)用提供高性能、低功耗的產(chǎn)品。
2018-01-10 16:04:426147 集微網(wǎng)消息，格羅方德（GlobalFoundries）于 10 日宣布，全球半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體（ST）選擇采用格羅方德 22 納米 FD-SOI（22FDX）制程技術(shù)平臺(tái)，以支持用于工業(yè)及消費(fèi)性
2018-01-10 20:44:02840 GlobalFoundries的FD-SOI技術(shù)已經(jīng)略有成效，近日傳來(lái)消息，又迎來(lái)意法半導(dǎo)體（ST）的大單進(jìn)補(bǔ)，在第二代FD-SOI技術(shù)解決方案領(lǐng)域吧徹底取代三星。
2018-01-15 14:16:031517 集中在28nm，但是下一代的18nm將不會(huì)太遠(yuǎn)。FD SOI工藝將以28FDS和18FDS為基礎(chǔ)，提供基礎(chǔ)的工藝服務(wù)，未來(lái)將開(kāi)發(fā)RF和eMRAM技術(shù)。
2018-04-10 17:30:001842 ST表示，與傳統(tǒng)的塊狀硅技術(shù)相較，FD-SOI能提供更好的晶體管靜電特性，而埋入氧化層能降低源極(source)與汲極(drain)之間的寄生電容；此外該技術(shù)能有效限制源極與汲極之間的電子流
2018-03-10 01:25:00803 物聯(lián)網(wǎng)FD-SOI制程 若要說(shuō)2018以及未來(lái)五年最受矚目的半導(dǎo)體制程技術(shù)，除了即將量產(chǎn)的7奈米FinFET尖端制程，以及預(yù)計(jì)將全面導(dǎo)入極紫外光(EUV)微影技術(shù)的5奈米制程節(jié)點(diǎn)，各家晶圓代工
2018-03-15 10:54:002508 晶圓代工廠格芯日前宣布其22納米全耗盡型絕緣上覆硅(FD-SOI)制程技術(shù)取得了36項(xiàng)設(shè)計(jì)訂單，其中有超過(guò)十幾項(xiàng)設(shè)計(jì)將會(huì)在今年出樣(tape-out)。另一方面，其競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手三星則預(yù)計(jì)今年將采用其28nm FD-SOI制程出樣20余款芯片。
2018-05-02 16:16:134718 格羅方德半導(dǎo)體今日發(fā)布了全新的12nm FD-SOI半導(dǎo)體工藝平臺(tái)12FDXTM，實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)首個(gè)多節(jié)點(diǎn)FD-SOI路線(xiàn)圖，從而延續(xù)了其領(lǐng)先地位。新一代12FDXTM平臺(tái)建立在其22FDXTM平臺(tái)的成功基礎(chǔ)之上，專(zhuān)為未來(lái)的移動(dòng)計(jì)算、5G連接、人工智能、無(wú)人駕駛汽車(chē)等各類(lèi)應(yīng)用智能系統(tǒng)而設(shè)計(jì)。
2018-05-14 15:54:002574 
加利福尼亞州圣克拉拉，2018年5月23日——格芯宣布，其22nm FD-SOI (22FDX?)技術(shù)平臺(tái)已通過(guò)AEC-Q100(2級(jí))認(rèn)證，準(zhǔn)備投入量產(chǎn)。作為業(yè)內(nèi)符合汽車(chē)標(biāo)準(zhǔn)的先進(jìn)FD-SOI
2018-05-25 11:20:001590 微軟
首席執(zhí)行官Satya Nadella
在最近的一次投資者會(huì)議上表示：“人工智能將成為未來(lái)技術(shù)發(fā)展的
重要趨勢(shì)之一?！?/div>
2018-06-08 14:27:553154 生產(chǎn)FD-SOI工藝的公司有ST Micro（其正在將此工藝用作28納米IDM的生產(chǎn)），三星代工廠（28納米工藝投產(chǎn)中，18納米工藝計(jì)劃投產(chǎn)），以及格芯代工廠（22納米工藝投產(chǎn)中，12納米計(jì)劃投產(chǎn)）。
2018-08-02 11:35:244601 晶圓代工大廠格芯在28日宣布，無(wú)限期停止7納米制程的投資與研發(fā)，轉(zhuǎn)而專(zhuān)注現(xiàn)有14/12納米FinFET制程，及22/12納米FD-SOI制程。
2018-08-30 15:33:002271 今天，Globalfoundries（簡(jiǎn)稱(chēng)GF）宣布無(wú)限期停止7nm工藝的投資研發(fā)，轉(zhuǎn)而專(zhuān)注現(xiàn)有14/12nm FinFET工藝及22/12nm FD-SOI工藝。
2018-08-31 15:03:012998 日前，格羅方德宣布停止7nm工藝的投資研發(fā)，轉(zhuǎn)而專(zhuān)注現(xiàn)有14/12nm FinFET工藝和22/12nm FD-SOI工藝。
2018-09-03 16:41:425341 昨天Globalfoundries公司宣布退出7nm及未來(lái)的先進(jìn)工藝之爭(zhēng)，專(zhuān)注14/12nm FinFET及22nm FD-SOI工藝，雖然他們還提到了未來(lái)某天有可能殺回來(lái)，但是這對(duì)市場(chǎng)已經(jīng)沒(méi)什么影響了。
2018-09-04 11:08:362282 Soitec與三星晶圓代工廠擴(kuò)大合作 保障FD-SOI晶圓供應(yīng)，滿(mǎn)足當(dāng)下及未來(lái)消費(fèi)品、物聯(lián)網(wǎng)和汽車(chē)應(yīng)用等領(lǐng)域的需求，確保FD-SOI技術(shù)大量供應(yīng)。
2019-01-22 09:07:00610 隨著FD-SOI技術(shù)在系統(tǒng)芯片(SoC)設(shè)備的設(shè)計(jì)中越發(fā)受到關(guān)注，Soitec的業(yè)務(wù)也迎來(lái)了蒸蒸日上的發(fā)展，從其最新的財(cái)務(wù)報(bào)表即可見(jiàn)一斑。
2018-12-23 16:45:122934 公司首席財(cái)務(wù)官及7個(gè)月的英特爾臨時(shí)首席執(zhí)行官，是英特爾50年歷史上第七位首席執(zhí)行官。Swan先生還被選為英特爾董事會(huì)成員。 Robert（Bob）Swan上任首日發(fā)表了致英特爾員工、客戶(hù)和合作伙伴的公開(kāi)信。在信中他提到自己很榮幸被任命為英特爾的首席執(zhí)行官： “我熱愛(ài)此前首席財(cái)務(wù)官的角色
2019-02-01 16:13:01212 昨（28）日，Lumileds 宣布任命 Jonathan Rich 為首席執(zhí)行官。
2019-03-01 15:15:001451 三星宣布已經(jīng)開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)首款商用EMRAM產(chǎn)品，該產(chǎn)品基于28nm FD-SOI工藝技術(shù)，并計(jì)劃在今年擴(kuò)大高密度新興的非易失存儲(chǔ)器解決方案，包括1Gb EMRAM芯片。
2019-03-09 09:26:581078 當(dāng)MOS器件的特征尺寸不斷縮小至22nm及以下時(shí)，提高溝道的摻雜濃度和降低源漏結(jié)深已仍不能很好的改善短溝道效應(yīng)。在SOI絕緣層上的平面硅技術(shù)基礎(chǔ)上提出FD-SOI晶體管。研究發(fā)現(xiàn)要使FD-SOI有效
2019-04-10 08:00:00
12 值得注意的是，去年6月，格芯開(kāi)始全球裁員，在建的成都12寸晶圓廠項(xiàng)目招聘暫停。去年8月，格芯宣布無(wú)限期停止7nm工藝的投資研發(fā)，轉(zhuǎn)而專(zhuān)注現(xiàn)有14/12nm FinFET工藝及22/12nm FD-SOI工藝。
2019-04-24 16:23:213807 為求低功耗、高能效及高性?xún)r(jià)比之元件，市場(chǎng)逐漸開(kāi)發(fā)出FD-SOI（完全空乏型硅絕緣層金氧半晶體管）結(jié)構(gòu)；而FD-SOI構(gòu)造主要以SOI晶圓為核心，透過(guò)傳統(tǒng)Si芯片制程方式，進(jìn)而以水平式晶體管架構(gòu)，取代線(xiàn)寬較大（16～12nm）之FinFET元件。
2019-05-22 17:22:204501 
日前，格芯與Soitec宣布雙方已簽署多個(gè)長(zhǎng)期的300 mm SOI芯片長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議以滿(mǎn)足格芯的客戶(hù)對(duì)于SOI、RF-SOI、FD-SOI和硅光子技術(shù)平臺(tái)日益增長(zhǎng)的需求。建立在兩家公司現(xiàn)有的密切關(guān)系上，此份協(xié)議即刻生效，以確保未來(lái)數(shù)年的高水平大批量生產(chǎn)。
2019-06-11 16:47:333582 事實(shí)勝于雄辯，與以往FD-SOI論壇上只以PPT展示FD-SOI優(yōu)勢(shì)相比，本次論壇多家公司以已經(jīng)采用FD-SOI工藝的產(chǎn)品說(shuō)明其優(yōu)勢(shì)，其震撼效果難以言傳！
2019-08-06 16:22:453578 長(zhǎng)期跟蹤研究半導(dǎo)體工藝和技術(shù)趨勢(shì)的IBS CEO Handel Jones發(fā)表演講，并對(duì)FD-SOI未來(lái)走勢(shì)做出預(yù)測(cè)。
2019-08-06 16:25:003745 在FD-SOI工藝遷移中也發(fā)現(xiàn)一些問(wèn)題，就是可用的IP短缺，例如流行的高速串口IP等缺失。
2019-08-06 16:13:444488 三星宣布已經(jīng)開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)首款商用EMRAM產(chǎn)品，該產(chǎn)品基于28nm FD-SOI工藝技術(shù)，并計(jì)劃在今年擴(kuò)大高密度新興的非易失存儲(chǔ)器解決方案，包括1Gb EMRAM芯片。
2019-09-16 16:18:591184 格芯（GLOBALFOUNDRIES）今日宣布推出基于公司22納米 FD－SOI （22FDX）平臺(tái)的可微縮嵌入式磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器（eMRAM）技術(shù)。作為業(yè)界最先進(jìn)的嵌入式內(nèi)存解決方案，格芯22FDXeMRAM，為消費(fèi)領(lǐng)域、工業(yè)控制器、數(shù)據(jù)中心、物聯(lián)網(wǎng)及汽車(chē)等廣泛應(yīng)用提供優(yōu)越的性能和卓越可靠性。
2019-10-21 11:40:16802 今年3月份，三星宣布全球第一家商業(yè)化規(guī)模量產(chǎn)eMRAM（嵌入式磁阻內(nèi)存），基于28nm FD-SOI（全耗盡型絕緣層上硅）成熟工藝，內(nèi)存容量8Mb，可廣泛應(yīng)用于MCU微控制器、IoT物聯(lián)網(wǎng)、AI人工智能領(lǐng)域。
2019-12-27 08:57:08559 AI芯片設(shè)計(jì)大廠萊迪思半導(dǎo)體（Lattice Semiconductor），基于本身Nexus技術(shù)平臺(tái)，發(fā)布全球首顆以FD-SOI組件制作的FPGA（現(xiàn)場(chǎng)可程序化邏輯門(mén)數(shù)組）產(chǎn)品。
2020-02-12 22:57:17962 AI芯片設(shè)計(jì)大廠萊迪思半導(dǎo)體（Lattice Semiconductor），基于本身Nexus技術(shù)平臺(tái)，發(fā)布全球首顆以FD-SOI組件制作的FPGA（現(xiàn)場(chǎng)可程序化邏輯門(mén)數(shù)組）產(chǎn)品。
2020-02-27 14:54:38801 據(jù)外媒報(bào)道稱(chēng)，GlobalFoundries（格芯）今天宣布已經(jīng)完成了22FDX（22 nm FD-SOI）技術(shù)開(kāi)發(fā)，而這項(xiàng)技術(shù)用于生產(chǎn)嵌入式磁阻非易失性存儲(chǔ)器（eMRAM）。
2020-02-28 11:24:282542 Globalfoundries正在22nm FD-SOI上提供eMRAM技術(shù)，該公司正在與幾個(gè)客戶(hù)合作，計(jì)劃在2020年實(shí)現(xiàn)多個(gè)流片。
2020-03-03 15:10:302366 近日，格芯宣布基于22nm FD-SOI （22FDX）工藝平臺(tái)，新型存儲(chǔ)器eMRAM（嵌入式、磁阻型非易失性存儲(chǔ)器）已投入生產(chǎn)。
2020-03-11 10:54:37810 新的優(yōu)步首席執(zhí)行官與通用電氣（General Electric）前首席執(zhí)行官杰弗里·里·伊梅爾特（Jeffrey RImmelt）和惠普（Hewlett Packard Enterprise）前
2020-04-03 15:17:282415 “FD-SOI使用的范圍非常廣，包括智能手機(jī)、汽車(chē)、物聯(lián)網(wǎng)等。在過(guò)去的一年，我們看到FD-SOI的使用量開(kāi)始騰飛。我們預(yù)計(jì)在2020年和2021年會(huì)出現(xiàn)FD-SOI使用量的騰飛拐點(diǎn)”，Soitec
2020-07-06 17:03:362136 
“FD-SOI使用的范圍非常廣，包括智能手機(jī)、汽車(chē)、物聯(lián)網(wǎng)等。在過(guò)去的一年，我們看到FD-SOI的使用量開(kāi)始騰飛。我們預(yù)計(jì)在2020年和2021年會(huì)出現(xiàn)FD-SOI使用量的騰飛拐點(diǎn)”，Soitec
2020-07-07 16:04:043594 重點(diǎn) ● 雙方在技術(shù)賦能方面的緊密合作使GLOBALFOUNDRIES 12LP、12LP+ （12nm FinFET） 以及22FDX （22nm FD-SOI） 平臺(tái)釋放最佳PPA潛能
2020-10-23 16:17:092210 Lattice基于三星28nm FD-SOI平臺(tái)推出了一系列FPGA產(chǎn)品，包括在嵌入式視頻方面應(yīng)用比較多的CrossLink-NX，重新定義的Certus-NX，去年Q4問(wèn)世的基于安全的FPGA Mach-NX，以及最新推出的CertusPro-NX，另外明年還會(huì)推出基于FD-SOI平臺(tái)的兩款新品。
2021-08-14 10:07:445922 Holtzman由Cipia董事會(huì)任命，是一位資深企業(yè)家兼首席執(zhí)行官，在私營(yíng)和上市科技公司有著豐富經(jīng)驗(yàn)，將接替即將退任的首席執(zhí)行官David Tolub。David Tolub曾帶領(lǐng)Cipia成功轉(zhuǎn)向汽車(chē)市場(chǎng)
2022-05-11 09:47:52965 
12nm這個(gè)詞，要是關(guān)注手機(jī)的人一定會(huì)很熟悉，因?yàn)楹芏嗍謾C(jī)的處理器都采用過(guò)12nm芯片，那么12nm芯片究竟是什么意思呢？難道是指芯片大小為12nm？ 原來(lái)12nm芯片并不是指芯片大小為12nm
2022-07-01 09:46:569219 GF也為數(shù)字IC制造提供了28nm Planar CMOS FET的替代品，如12nm和14nm FinFET和22nm FD-SOI工藝，該公司也將大量精力和研發(fā)資金集中在為其舊的Planar CMOS工藝節(jié)點(diǎn)尋找新的、有趣的能力。該公司稱(chēng)這些額外的處理能力為“模塊”。
2022-08-30 10:07:382927 有了極富遠(yuǎn)見(jiàn)的繼任方案之后，在TracoPower工作超過(guò)35年的現(xiàn)任首席執(zhí)行官MarkusDallaMonta于2021年7月退休。StefanSchaffhauser于2021年4月1日新
2022-01-12 17:59:11618 
于2019年舉行。因特殊原因暫停了三年，2023年主辦方重啟再次主辦，第八屆FD-SOI論壇，邀請(qǐng)到國(guó)內(nèi)外幾乎所有FD-SOI生態(tài)內(nèi)的重要企業(yè)專(zhuān)家參與。三年內(nèi)國(guó)內(nèi)外的科技環(huán)境發(fā)生了巨大的變化，FD-SOI的產(chǎn)業(yè)格局和技術(shù)又有哪些變化？ ? 半導(dǎo)體工藝在2001年的新工藝技術(shù)的兩條路
2023-11-01 16:39:041745 
，在AI時(shí)代下邊緣端設(shè)備會(huì)出現(xiàn)高速發(fā)展，而FD SOI制造工藝對(duì)于AI邊緣芯片市場(chǎng)增長(zhǎng)來(lái)說(shuō)非常重要。 ? 圖：IBS CEO Handel Jones在論壇上致詞發(fā)表對(duì)全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的預(yù)測(cè)和看法 到
2023-11-21 17:39:111384 
谷歌 Pixel 6 拆解，FD-SOI首次被用于5G毫米波
2023-12-07 16:15:46393 
來(lái)源：半導(dǎo)體芯科技編譯 新任首席執(zhí)行官加入Nordic（北歐半導(dǎo)體）接替前任首席執(zhí)行官Svenn-Tre Larsen后，將在CES 2024上，與重要客戶(hù)和合作伙伴會(huì)面。 繼最近被北歐半導(dǎo)體董事會(huì)
2024-01-15 17:34:56423 
本文簡(jiǎn)單介紹了兩種常用的SOI晶圓——FD-SOI與PD-SOI。
2024-03-17 10:10:361376 
據(jù)悉，FD-SOI 是一種先進(jìn)的平面半導(dǎo)體技術(shù)，能夠通過(guò)簡(jiǎn)化制作流程進(jìn)行精準(zhǔn)的漏電流控制，相較于現(xiàn)有的 40nm EPM 技術(shù)，新工藝大幅度提高了性能指標(biāo)：能效提升 50%，數(shù)字密度增加三倍有余，并能夠承載更大的片上存儲(chǔ)和更低的噪音系數(shù)。
2024-03-21 14:00:23515 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/吳子鵬）2024年10月23日，第九屆上海FD-SOI論壇在浦東香格里拉酒店召開(kāi)，芯原股份創(chuàng)始人、董事長(zhǎng)兼總裁戴偉民博士做開(kāi)幕致辭，并分享了過(guò)往和當(dāng)前FD-SOI發(fā)展的一些情況
2024-10-23 10:02:4222 
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