納米材料的表征包括成分分析，顆粒分析，結(jié)構(gòu)分析，性能分析，分析方法以電鏡分析為主，特別是掃描隧道電鏡（SMT），在導(dǎo)體和半導(dǎo)體納米材料分析上具有優(yōu)勢(shì)。
2021-02-25 09:54:46
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采用高內(nèi)阻的靜電計(jì)6517+數(shù)據(jù)采集儀DMM6500+納米發(fā)電采集軟件來(lái)進(jìn)行微小納米發(fā)電電流數(shù)據(jù)采集。
2021-03-05 10:48:481767 為應(yīng)對(duì)電輸運(yùn)測(cè)試面臨的挑戰(zhàn)，在PPMS的基礎(chǔ)上，必須添加高精度適合極低電平測(cè)試的儀器作為必要的補(bǔ)充，該儀器必須具備去除噪聲的能力。
2021-03-15 11:32:546730 
寬禁帶半導(dǎo)體的介紹
2016-04-18 16:06:50
，從而支持每次充電能續(xù)航更遠(yuǎn)的里程。車載充電器(OBC)和牽引逆變器現(xiàn)在正使用寬禁帶(WBG)產(chǎn)品來(lái)實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)。碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)是寬禁帶材料，提供下一代功率器件的基礎(chǔ)。與硅相比
2018-10-30 08:57:22
市場(chǎng)趨勢(shì)和更嚴(yán)格的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)推動(dòng)電子產(chǎn)品向更高能效和更緊湊的方向發(fā)展。寬禁帶產(chǎn)品有出色的性能優(yōu)勢(shì)，有助于高頻應(yīng)用實(shí)現(xiàn)高能效、高功率密度。安森美半導(dǎo)體作為頂尖的功率器件半導(dǎo)體供應(yīng)商，除了提供適合全功率
2019-07-31 08:33:30
寬禁帶半導(dǎo)體材料氮化鎵（GaN）以其良好的物理化學(xué)和電學(xué)性能成為繼第一代元素半導(dǎo)體硅（Si）和第二代化合物半導(dǎo)體砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）、磷化銦（InP）等之后迅速發(fā)展起來(lái)的第三代半導(dǎo)體
2019-06-25 07:41:00
市場(chǎng)趨勢(shì)和更嚴(yán)格的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)推動(dòng)電子產(chǎn)品向更高能效和更緊湊的方向發(fā)展。寬禁帶產(chǎn)品有出色的性能優(yōu)勢(shì)，有助于高頻應(yīng)用實(shí)現(xiàn)高能效、高功率密度。安森美半導(dǎo)體作為頂尖的功率器件半導(dǎo)體供應(yīng)商，除了提供適合全功率
2020-10-30 08:37:36
，從而支持每次充電能續(xù)航更遠(yuǎn)的里程。車載充電器(OBC)和牽引逆變器現(xiàn)在正使用寬禁帶(WBG)產(chǎn)品來(lái)實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)。碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)是寬禁帶材料，提供下一代功率器件的基礎(chǔ)。與硅相比
2020-10-27 09:33:16
計(jì)算中的瓶頸。此外當(dāng)PBG結(jié)構(gòu)為圓環(huán)形時(shí)，一般的階梯近似不足以滿足計(jì)算精度。針對(duì)以上兩個(gè)問(wèn)題，本文采用本課題組帶有共形網(wǎng)格建模的MPI并行FDTD程序?qū)A環(huán)形PBG結(jié)構(gòu)進(jìn)行了分析。討論了單元數(shù)目，單元間距，圓孔內(nèi)徑和導(dǎo)帶寬度對(duì)S參數(shù)的影響，最后設(shè)計(jì)了一種寬禁帶圓環(huán)形PBG結(jié)構(gòu)。
2019-06-27 07:01:22
，從而支持每次充電能續(xù)航更遠(yuǎn)的里程。車載充電器(OBC)和牽引逆變器現(xiàn)在正使用寬禁帶(WBG)產(chǎn)品來(lái)實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)。那么具體什么是寬禁帶技術(shù)呢？
2019-07-31 07:42:54
電阻率是決定半導(dǎo)體材料電學(xué)特性的重要參數(shù)，為了表征工藝質(zhì)量以及材料的摻雜情況，需要測(cè)試材料的電阻率。半導(dǎo)體材料電阻率測(cè)試方法有很多種，其中四探針?lè)ň哂性O(shè)備簡(jiǎn)單、操作方便、測(cè)量精度高以及對(duì)樣品形狀
2021-01-13 07:20:44
不含有可溶于上述 溶劑的物質(zhì)。 5壓敏膠粘帶初粘性測(cè)試方法測(cè)試條件 5．1 試驗(yàn)室溫度為23±2℃，相對(duì)濕度為65±5％。 5．2制備試樣前，膠粘帶應(yīng)除去包裝材料，互不重疊地在5．l
2013-04-27 16:37:20
。今天安泰測(cè)試就給大家分享一下吉時(shí)利源表在寬禁帶材料測(cè)試的應(yīng)用方案。一·寬禁帶材料介紹寬禁帶材料是指禁帶寬度大于2.3eV的半導(dǎo)體材料，以Ⅲ-Ⅴ族材料，SiC等最為常見。隨著電子電力的發(fā)展，功率器件
2022-01-23 14:15:50
`軟磁材料交流磁特性測(cè)試與實(shí)現(xiàn)的LawVIEW程序注釋`
2018-05-06 23:23:59
本文基于Agilent ADS仿真軟件設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)一款高效GaN寬禁帶功率放大器，詳細(xì)說(shuō)明設(shè)計(jì)步驟并對(duì)放大器進(jìn)行了測(cè)試，結(jié)果表明放大器可以在2．3～2．4 GHz內(nèi)實(shí)現(xiàn)功率15W以上，附加效率超過(guò)67％的輸出。
2021-04-06 06:56:41
的機(jī)遇和挑戰(zhàn)等方面，為從事寬禁帶半導(dǎo)體材料、電力電子器件、封裝和電力電子應(yīng)用的專業(yè)人士和研究生提供了難得的學(xué)習(xí)和交流機(jī)會(huì)。誠(chéng)摯歡迎大家的參與。1、活動(dòng)主題寬禁帶半導(dǎo)體(SiC、GaN)電力電子技術(shù)應(yīng)用2
2017-07-11 14:06:55
請(qǐng)問(wèn)怎么優(yōu)化寬禁帶材料器件的半橋和門驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)？
2021-06-17 06:45:48
電學(xué)性質(zhì)的手段,并對(duì)三種不同頂層硅厚度的SIMOX材料進(jìn)行測(cè)試、提取參數(shù),分析材料制備工藝對(duì)性能產(chǎn)生的影響。研究結(jié)果表明,標(biāo)準(zhǔn)SIMOX材料通過(guò)頂層硅膜氧化、腐蝕等減薄工藝制得的頂層硅厚度小于
2010-04-24 09:02:19
`食品接觸材料做美國(guó)FDA測(cè)試流程周期費(fèi)用食品接觸材料做美國(guó)FDA測(cè)試食品包裝、食品器皿以及用于加工和制備食品的輔助材料、設(shè)備、工具等一切與食品接觸的材料和制品統(tǒng)稱為食品接觸材料。如今，各國(guó)
2021-07-06 15:23:56
高分子材料老化測(cè)試之氙燈丨老化試驗(yàn)氙燈老化試驗(yàn)是模擬材料或產(chǎn)品在現(xiàn)實(shí)使用條件中涉及到的太陽(yáng)光、雨水、露水等氣候因素對(duì)產(chǎn)品產(chǎn)生老化的情況進(jìn)行相應(yīng)條件加強(qiáng)實(shí)驗(yàn)的過(guò)程，是一種人工加速耐候試驗(yàn)。材料或產(chǎn)品
2021-07-06 09:04:41
高分子材料的電學(xué)性能是指在外加電場(chǎng)作用下材料所表現(xiàn)出來(lái)的介電性能、導(dǎo)電性能、電擊穿性質(zhì)以及與其他材料接觸、摩擦?xí)r所引起的表面靜電性質(zhì)等。本章主要學(xué)習(xí)的內(nèi)容：
2009-03-23 09:43:13
0 編織材料撕裂性測(cè)試儀 編織材料、薄膜、防水卷材、織物、無(wú)紡布、腸衣膜和包裝薄膜等材料，在各行各業(yè)都有廣泛的應(yīng)用。這些材料不僅需要滿足各自領(lǐng)域特定的功能要求，還需保證在各種環(huán)境條件下具有足夠
2023-09-18 10:02:02
醫(yī)用材料阻水性能測(cè)試 阻水性能測(cè)試儀是一款用于測(cè)試繃帶、創(chuàng)可貼、醫(yī)用材料等防水性能的專業(yè)檢測(cè)儀器。它采用先進(jìn)的壓力傳感器技術(shù)和計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)，能夠準(zhǔn)確地測(cè)試其防水性能，為醫(yī)療、運(yùn)動(dòng)等領(lǐng)域
2023-09-20 15:10:30
在現(xiàn)代工業(yè)和消費(fèi)品領(lǐng)域中，高阻隔材料作為一種能夠防止水分滲透的材料，被廣泛應(yīng)用于保護(hù)產(chǎn)品不受濕度影響。為了確保這些材料的防水性能符合要求，準(zhǔn)確可靠的測(cè)試設(shè)備是必不可少的。高阻隔材料阻水性測(cè)試儀正是為
2023-10-20 14:12:03
評(píng)估復(fù)合材料的拉伸性能，復(fù)合材料拉伸變形測(cè)試儀成為了必不可少的工具。一、復(fù)合材料拉伸變形測(cè)試儀的工作原理復(fù)合材料拉伸變形測(cè)試儀主要通過(guò)拉伸試樣來(lái)模擬復(fù)合材料在實(shí)際使
2023-10-24 16:17:42
電池材料之——鎳帶
2009-10-21 15:30:481722
電池材料之鋁帶鎳帶
適用范圍應(yīng)用范圍：純鎳帶用于制造鎳鎘、鎳氫
2009-11-17 12:56:101149 電池材料之鎳帶和極耳
2009-11-19 10:13:432924 屏蔽效能是對(duì)屏蔽體隔離或限制電磁波的能力的度量，是反映屏蔽材料最主要的指標(biāo)，因此，屏蔽效能測(cè)試技術(shù)的規(guī)范性、適用性至關(guān)重要。目前屏蔽效能測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)已有十幾種，包括國(guó)標(biāo)、國(guó)軍標(biāo)、行標(biāo)等，雖然每種方法都能
2018-02-28 14:59:091 氮化物寬禁帶半導(dǎo)體在微波功率器件和電力電子器件方面已經(jīng)展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用前景，而AlGaN溝道HEMT器件是一種適宜更高電壓應(yīng)用的新型氮化物電力電子器件。但是，材料結(jié)晶質(zhì)量差和電學(xué)性能低，是限制
2018-07-26 09:09:00851 
SiC作為寬禁帶半導(dǎo)體材料，與Si相比具有擊穿場(chǎng)強(qiáng)高、導(dǎo)熱系數(shù)高、載流能力大、開關(guān)速度快、可高溫工作等優(yōu)點(diǎn)，適用于高壓、高溫、高頻等領(lǐng)域的應(yīng)用。
2018-05-17 09:27:124937 近日，廣東省“寬禁帶半導(dǎo)體材料、功率器件及應(yīng)用技術(shù)創(chuàng)新中心”在松山湖成立，該創(chuàng)新中心由廣東省科技廳、東莞市政府支持及引導(dǎo)，易事特、中鎵半導(dǎo)體、天域半導(dǎo)體、松山湖控股集團(tuán)、廣東風(fēng)華高科股份有限公司多家行業(yè)內(nèi)知名企業(yè)共同出資發(fā)起設(shè)立。
2018-06-11 01:46:0010674 行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的收緊和政府法規(guī)的改變是提高產(chǎn)品能效的關(guān)鍵推動(dòng)因素。碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 是寬禁帶材料，提供下一代功率器件的基礎(chǔ)，具有比硅更佳的特性和性能。
2018-07-21 08:04:515962 寬禁帶功率半導(dǎo)體的研發(fā)與應(yīng)用日益受到重視，其中碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）以高效的光電轉(zhuǎn)化能力、優(yōu)良的高頻功率特性、高溫性能穩(wěn)定和低能量損耗等優(yōu)勢(shì)，成為支撐信息、能源、交通、先進(jìn)制造、國(guó)防等領(lǐng)域發(fā)展的重點(diǎn)新材料。
2018-08-06 11:55:008140 第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料被廣泛應(yīng)用在各個(gè)領(lǐng)域，包括電力電子，新能源汽車，光伏，機(jī)車牽引，以及微波通訊器件等，由于它突破第一、二代半導(dǎo)體材料的發(fā)展瓶頸，被業(yè)界一直看好。
2018-10-10 16:57:4037424 近日，2018中國(guó)寬禁帶功率半導(dǎo)體及應(yīng)用產(chǎn)業(yè)發(fā)展峰會(huì)在濟(jì)南召開。會(huì)上，國(guó)家主管部門領(lǐng)導(dǎo)與技術(shù)專家、金融投資機(jī)構(gòu)、知名企業(yè)負(fù)責(zé)人等共同研討寬禁帶功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)工藝和產(chǎn)業(yè)鏈建設(shè)，為技術(shù)協(xié)同以及產(chǎn)業(yè)、資本的對(duì)接提供了良好的交流互動(dòng)平臺(tái)。
2018-12-10 14:24:253412 如典型的寬禁帶SiC器件，NTHL080N120SC1和NVHL080N120SC1結(jié)合高功率密度及高能效工作。由于器件的更小占位，可顯著降低運(yùn)行成本和整體系統(tǒng)尺寸。典型的寬禁帶半導(dǎo)體特性，尤其是
2019-04-03 15:46:094347 5月16日上午，濟(jì)南寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)小鎮(zhèn)起步區(qū)項(xiàng)目開工活動(dòng)在濟(jì)南槐蔭經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)舉行。寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)小鎮(zhèn)位于濟(jì)南槐蔭經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)的，緊鄰西客站片區(qū)和濟(jì)南國(guó)際醫(yī)學(xué)中心，是濟(jì)南實(shí)施北跨發(fā)展和新舊動(dòng)能轉(zhuǎn)換
2019-05-17 17:18:523812 寬禁帶材料實(shí)現(xiàn)了較當(dāng)前硅基技術(shù)的飛躍。 它們的大帶隙導(dǎo)致較高的介電擊穿，從而降低了導(dǎo)通電阻(RSP)。 更高的電子飽和速度支持高頻設(shè)計(jì)和工作，降低的漏電流和更好的導(dǎo)熱性有助于高溫下的工作。 安森美
2020-05-28 09:58:591464 
燃燒特性測(cè)試等，每個(gè)測(cè)試項(xiàng)目送樣的要求都有不同的要求： 附錄6、試驗(yàn)確定材料的水平燃燒效率 附錄7、試驗(yàn)確定材料的熔化特性 附錄8、試驗(yàn)確定材料的垂直燃燒效率 附錄7： 1、 采樣和原則： a、 采集四個(gè)樣品，每一個(gè)面（如果不相同）都要
2020-06-18 11:23:161247 ECE R118是車輛內(nèi)飾材料燃燒性能測(cè)試對(duì)應(yīng)的認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)，全稱為《關(guān)于某些類型機(jī)動(dòng)車輛內(nèi)部結(jié)構(gòu)所用材料的燃燒特性及抗燃油或者潤(rùn)滑油性能的統(tǒng)一技術(shù)規(guī)定》、測(cè)試項(xiàng)目有：水平燃燒測(cè)試、垂直燃燒測(cè)試和熔滴
2020-06-18 11:46:261407 資料顯示，英諾賽科寬禁帶半導(dǎo)體項(xiàng)目總投資68.55億元人民幣，注冊(cè)資本20億元，占地368.6畝，主要建設(shè)從器件設(shè)計(jì)，驅(qū)動(dòng)IC設(shè)計(jì)開發(fā)，材料制造，器件制備，后段高端封測(cè)以及模塊加工的全產(chǎn)業(yè)鏈寬禁帶
2020-07-06 08:54:55950 寬禁帶材料實(shí)現(xiàn)了較當(dāng)前硅基技術(shù)的飛躍。它們的大帶隙導(dǎo)致較高的介電擊穿，從而降低了導(dǎo)通電阻(RSP)。更高的電子飽和速度支持高頻設(shè)計(jì)和工作，降低的漏電流和更好的導(dǎo)熱性有助于高溫下的工作。 安森美半導(dǎo)體
2020-10-10 10:35:223533 
電阻率是決定半導(dǎo)體材料電學(xué)特性的重要參數(shù)，為了表征工藝質(zhì)量以及材料的摻雜情況，需要測(cè)試材料的電阻率。 四探針?lè)ㄊ悄壳?b class="flag-6" style="color: red">測(cè)試半導(dǎo)體材料電阻率的常用方法，因?yàn)榇朔ㄔO(shè)備簡(jiǎn)單、操作方便、測(cè)量精度高且對(duì)樣品形狀
2020-10-19 09:53:334097 
基于新興GaN和SiC寬禁帶技術(shù)的新型半導(dǎo)體產(chǎn)品，有望實(shí)現(xiàn)更快的開關(guān)速度，更寬的溫度范圍，更好的功率效率，以及其他更多增強(qiáng)功能。
2020-10-23 11:03:26956 寬?帶?5G?設(shè)備?的?設(shè)計(jì)?工程?師?和?測(cè)試?工程?師?亟需?快速、?準(zhǔn)確?且?經(jīng)濟(jì)?高效?的?測(cè)試?解決?方案?來(lái)?確保?新型?芯?片?設(shè)計(jì)?的?可靠性。?了解?寬?帶?5G IC?測(cè)試
2023-11-09 16:03:14296 Cree Wolfspeed與泰克共同應(yīng)對(duì)寬禁帶半導(dǎo)體器件的挑戰(zhàn)，共同促進(jìn)寬禁帶半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展。
2020-12-21 15:48:57915 碳化硅（SiC）是第三代半導(dǎo)體材料的典型代表，也是目前晶體生長(zhǎng)技術(shù)和器件制造水平最成熟，應(yīng)用最廣泛的寬禁帶半導(dǎo)體材料之一，是高溫，高頻，抗輻照，大功率應(yīng)用場(chǎng)合下極為理想的半導(dǎo)體材料。文章結(jié)合美國(guó)國(guó)防
2021-02-01 11:28:4629 器件性能的限制被認(rèn)識(shí)得越來(lái)越清晰。實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻的方法是提高材料的臨界擊穿電場(chǎng)，也就是選擇寬禁帶的半導(dǎo)體材料。
2021-03-01 16:12:0024 納米材料電學(xué)測(cè)試方案將在本文中闡述，包括《納米線/碳納米管測(cè)試方案》、《二維/石墨烯材料測(cè)試方案》。納米材料電學(xué)測(cè)試SMU 應(yīng)用場(chǎng)景、測(cè)試特點(diǎn)及選型原則的示意圖，結(jié)合被測(cè)納米材料或納米電子器件的類型
2021-04-03 09:26:003363 
材料性質(zhì)的研究是當(dāng)代材料科學(xué)的重要一環(huán)，源表SMU 在當(dāng)代材料科學(xué)研究中，起到舉足輕重的作用，吉時(shí)利源表SMU在許多學(xué)科工程師和科學(xué)家中享有盛譽(yù)，以其優(yōu)異的性能為當(dāng)代材料科學(xué)研究提供多種測(cè)試方案，今天安泰測(cè)試就給大家分享一下吉時(shí)利源表在寬禁帶材料測(cè)試的應(yīng)用方案。
2021-08-20 11:17:47413 泰克科技與忱芯科技達(dá)成了全范圍的戰(zhàn)略合作聯(lián)盟，雙方將深度整合資源，優(yōu)勢(shì)互補(bǔ)，圍繞寬禁帶功率半導(dǎo)體測(cè)試領(lǐng)域開展全產(chǎn)業(yè)鏈的產(chǎn)品合作，為客戶解決寬禁帶半導(dǎo)體測(cè)試挑戰(zhàn)。
2021-11-08 17:20:313877 
目前國(guó)內(nèi)外市場(chǎng)針對(duì)對(duì)導(dǎo)熱材料的導(dǎo)熱系數(shù)測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)并沒(méi)有統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn)，然而不同標(biāo)準(zhǔn)和不同測(cè)試方法，都會(huì)直接影響導(dǎo)熱材料導(dǎo)熱系數(shù)測(cè)試結(jié)果。各商家采用的測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)大都是ASTM的 ASTM D5470，ASTM
2022-04-29 19:03:08953 
對(duì)于寬禁帶半導(dǎo)體行業(yè)目前概況，呂凌志博士直言，寬禁帶半導(dǎo)體行業(yè)主要有襯底、外延、器件三大段，由于每部分的物態(tài)形式、設(shè)備控制都不一樣，要想做好這個(gè)行業(yè)的MES軟件，就必須要理解每一段的工藝特性、管控重點(diǎn)。
2022-07-05 12:44:533232 確定電路材料的Dk（介電常數(shù)，εr）和Df（損耗因數(shù)，Tanδ）的測(cè)試方法多種多樣，比如IPC有12種確定材料Dk的測(cè)試方法，行業(yè)組織、大學(xué)或企業(yè)也有各自的測(cè)試方法。我有一本關(guān)于微波材料特性的書籍
2022-07-13 14:35:115369 寬禁帶材料是指禁帶寬度大于2.3eV的半導(dǎo)體材料，以Ⅲ-Ⅴ族材料，SiC等最為常見。隨著電子電力的發(fā)展，功率器件的使用越來(lái)越多，SiC、GaN等被廣泛應(yīng)用于射頻與超高壓等領(lǐng)域。
2022-08-02 17:22:121028 GaN 材料與 Si/SiC 相比有獨(dú)特優(yōu)勢(shì)。GaN 與 SiC 同屬于第三代寬禁帶 半導(dǎo)體材料，相較于已經(jīng)發(fā)展十多年的 SiC，GaN 功率器件是后進(jìn)者， 它擁有類似 SiC 性能優(yōu)勢(shì)的寬禁帶材料
2022-09-27 17:25:321889 
隨著寬禁帶半導(dǎo)體材料成本得到明顯下降，其應(yīng)用情況將會(huì)發(fā)生明顯變化。 編者按： 近年來(lái)，以氮化鎵和碳化硅兩種主要新材料為代表的寬禁帶半導(dǎo)體，展示出高頻、高壓、高溫等獨(dú)特的性能優(yōu)勢(shì)，迎來(lái)新的發(fā)展機(jī)遇
2022-10-28 11:04:34881 
碳化硅（SiC）是目前發(fā)展最成熟的寬禁帶半導(dǎo)體材料，世界各國(guó)對(duì)SiC的研究非常重視，紛紛投入大量的人力物力積極發(fā)展，美國(guó)、歐洲、日本等不僅從國(guó)家層面上制定了相應(yīng)的研究規(guī)劃，而且一些國(guó)際電子業(yè)巨頭也都投入巨資發(fā)展碳化硅半導(dǎo)體器件。
2022-11-29 09:10:391043 汽車內(nèi)飾材料水平垂直燃燒試驗(yàn)機(jī)以及熔滴特性測(cè)試
2022-12-02 13:27:38524 
2022年12月15日上午 10:30-11:30力科將帶來(lái)《解析寬禁帶功率半導(dǎo)體測(cè)試中的探頭選擇難題》直播會(huì)議!歡迎企業(yè)、工程師積極報(bào)名! 以碳化硅與氮化鎵為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料，它們具有
2022-12-09 14:29:421019 
寬禁帶半導(dǎo)體泛指室溫下帶隙寬度E~g~大于等于2.3eV的半導(dǎo)體材料，是繼GaAs、InP之后的第三代半導(dǎo)體材料。半導(dǎo)體材料的禁帶寬度越大，對(duì)應(yīng)電子躍遷導(dǎo)帶能量越大，從而材料能夠承受更高的溫度和電壓。
2023-02-02 15:13:587809 碳化硅作為寬禁帶半導(dǎo)體的代表性材料之一，其材料本征特性與硅材料相比具有諸多優(yōu)勢(shì)。以現(xiàn)階段最適合用于做功率半導(dǎo)體的4H型碳化硅材料為例，其禁帶寬度是硅材料的3倍，熱導(dǎo)率是硅材料的3倍，電子飽和漂移速率是硅的2倍，臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)更是硅的10倍。
2023-02-03 14:40:412337 
第一代半導(dǎo)體指硅(Si)、鍺(Ge)等元素半導(dǎo)體材料；第二代半導(dǎo)體指砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)等具有較高遷移率的半導(dǎo)體材料
2023-02-23 14:57:163832 第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料廣泛應(yīng)用于各個(gè)領(lǐng)域，包括電力電子、新能源汽車、光伏、機(jī)車牽引、微波通信器件等。因?yàn)橥黄屏说谝淮偷诙雽?dǎo)體材料的發(fā)展瓶頸，受到了業(yè)界的青睞。
2023-02-23 17:59:482514 
氮化鎵納米線是一種基于氮化鎵材料制備的納米結(jié)構(gòu)材料，具有許多優(yōu)異的電子、光學(xué)和機(jī)械性質(zhì)，因此受到了廣泛關(guān)注。氮化鎵材料是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)異的電子和光學(xué)性質(zhì)，也是氮化鎵納米線的主要材料來(lái)源。
2023-02-25 17:25:15905 ）為主的寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高擊穿電場(chǎng)、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點(diǎn)。
2023-05-05 17:46:229950 
隨著現(xiàn)代材料科學(xué)領(lǐng)域的不斷深入發(fā)展，柔性材料作為一種新型的材料種類受到廣泛的關(guān)注。柔性材料在生物醫(yī)學(xué)、電子智能等領(lǐng)域中都有著廣泛的應(yīng)用之處。為了研究和測(cè)試柔性材料的性能，高壓放大器也在柔性材料測(cè)試
2023-06-16 17:42:32482 
介電材料測(cè)試是一項(xiàng)重要的材料性能測(cè)試，它涉及到物理學(xué)、化學(xué)、材料科學(xué)等多個(gè)學(xué)科領(lǐng)域。高壓放大器是介電材料測(cè)試中的一種重要設(shè)備，它可以放大微弱的電信號(hào)，提高測(cè)試的準(zhǔn)確性和精度。下面將詳細(xì)介紹高壓放大器在介電材料測(cè)試中的應(yīng)用。
2023-06-19 17:12:13397 
（SiC）、氮化鎵（GaN）為主的寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高擊穿電場(chǎng)、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點(diǎn)。什么是寬禁帶？物質(zhì)的導(dǎo)電需要
2023-05-06 10:31:463417 
導(dǎo)熱系數(shù)測(cè)試儀是一種用于測(cè)量材料導(dǎo)熱性能的儀器，通過(guò)測(cè)試材料的導(dǎo)熱系數(shù)，可以評(píng)估其在能源、建筑、電子、航空航天等領(lǐng)域中的性能表現(xiàn)。本文將詳細(xì)介紹導(dǎo)熱系數(shù)測(cè)試儀的基本原理、種類、使用方法和注意事項(xiàng)
2023-06-30 14:00:55681 
霍爾效應(yīng)測(cè)試儀，是用于測(cè)量半導(dǎo)體材料的載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數(shù)等重要參數(shù)，而這些參數(shù)是了解半導(dǎo)體材料電學(xué)特性必須預(yù)先掌控的，因此是理解和研究半導(dǎo)體器件和半導(dǎo)體材料電學(xué)特性必*的工具。
2023-07-05 11:37:26570 
標(biāo)準(zhǔn)的示波器分析 1 GHz 帶寬，便于分析快速切換的信號(hào) 帶有內(nèi)置軟件的任意函數(shù)發(fā)生器（適用于雙脈沖測(cè)試波形） 可實(shí)現(xiàn)共模噪聲抑制和精確測(cè)量的高邊和低邊探頭 自動(dòng)雙脈沖測(cè)試 5 系列 B MSO 上的寬禁帶雙脈沖測(cè)試應(yīng)用程序（可選WBG-DPT）提供精確的雙脈沖測(cè)量，
2023-07-07 18:08:36595 
在當(dāng)代科技迅猛發(fā)展的時(shí)代，材料科學(xué)作為科技領(lǐng)域的基石，不斷涌現(xiàn)出新的材料，以滿足人類對(duì)高性能、輕質(zhì)和可持續(xù)發(fā)展的不斷追求。在眾多材料中，復(fù)合材料因其卓越的性能和多樣的應(yīng)用領(lǐng)域而備受關(guān)注。其中，連續(xù)
2023-08-04 10:28:20420 
目前，碳化硅（SiC）這種半導(dǎo)體材料因其在電力電子應(yīng)用中的出色表現(xiàn)引起了廣泛的關(guān)注。對(duì)晶圓和器件的研究在近年來(lái)已經(jīng)取得很大進(jìn)展。碳化硅是一種寬禁帶（WBG）半導(dǎo)體材料。禁帶通常是指價(jià)帶和導(dǎo)帶之間
2023-08-30 08:11:472111 
關(guān)于硅材料雜質(zhì)濃度測(cè)試，經(jīng)研究，參考肖特基二極管雜質(zhì)濃度測(cè)試方案，兩者幾乎一致，因此，針對(duì)硅材料雜質(zhì)濃度測(cè)試亦采用CV法測(cè)量。
2023-09-11 15:59:34643 
SiC，作為發(fā)展最成熟的寬禁帶半導(dǎo)體材料之一，具有禁帶寬度寬、臨界擊穿電場(chǎng)高、熱導(dǎo)率高、電子飽和漂移速度高及抗輻射能力強(qiáng)等特點(diǎn)。
2023-09-28 16:54:263018 
碳化硅襯底是新近發(fā)展的寬禁帶半導(dǎo)體的核心材料，碳化硅襯底主要用于微波電子、電力電子等領(lǐng)域，處于寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的前端，是前沿、基礎(chǔ)的核心關(guān)鍵材料。
2023-10-09 16:38:06775 
電學(xué)測(cè)試是芯片測(cè)試的一個(gè)重要環(huán)節(jié)，用來(lái)描述和評(píng)估芯片的電性能、穩(wěn)定性和可靠性。芯片電學(xué)測(cè)試包括直流參數(shù)測(cè)試、交流參數(shù)測(cè)試和高速數(shù)字信號(hào)性能測(cè)試等。
2023-10-26 15:34:141372 電池和電池材料測(cè)試
2022-10-15 11:19:018 點(diǎn)擊上方 “泰克科技” 關(guān)注我們！ 寬禁帶材料是指禁帶寬度大于 2.3eV 的半導(dǎo)體材料，以Ⅲ-Ⅴ族材料等最為常見，典型代表有碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN)，這些半導(dǎo)體材料也稱為第三代
2023-11-03 12:10:02669 
芯片電學(xué)測(cè)試如何進(jìn)行？包含哪些測(cè)試內(nèi)容？ 芯片電學(xué)測(cè)試是對(duì)芯片的電學(xué)性能進(jìn)行測(cè)試和評(píng)估的過(guò)程。它是保證芯片質(zhì)量和可靠性的重要環(huán)節(jié)，通過(guò)測(cè)試可以驗(yàn)證芯片的功能、性能和穩(wěn)定性，從而確保芯片可以在實(shí)際
2023-11-09 09:36:481244 ? 點(diǎn)擊上方? “?意法半導(dǎo)體中國(guó)” ， 關(guān)注我們 ???????? 在半導(dǎo)體行業(yè)，新的材料技術(shù)有“四兩撥千斤”的魔力，輕輕松松帶來(lái)顛覆性變革。具有先天性能優(yōu)勢(shì)的寬禁帶半導(dǎo)體材料脫穎而出。 在整個(gè)
2023-12-07 10:45:02334 在半導(dǎo)體行業(yè)，新的材料技術(shù)有“四兩撥千斤”的魔力，輕輕松松帶來(lái)顛覆性變革。具有先天性能優(yōu)勢(shì)的寬禁帶半導(dǎo)體材料脫穎而出。在整個(gè)能源轉(zhuǎn)換鏈中，寬禁帶半導(dǎo)體的節(jié)能潛力可為實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)期的全球節(jié)能目標(biāo)作出貢獻(xiàn)。寬
2023-12-16 08:30:34617 
正常工作的電壓加在被測(cè)設(shè)備的絕緣體上，持續(xù)一段規(guī)定的時(shí)間，加在上面的電壓就只會(huì)產(chǎn)生很小的漏電流，則絕緣性較好。程控電源模塊、信號(hào)采集調(diào)理模塊和計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)三個(gè)模塊組成測(cè)試系統(tǒng)，帶報(bào)警和時(shí)間控制功能。 KDZD5550系列智能絕緣材料熱態(tài)擊穿電壓測(cè)
2024-02-28 11:53:25251 
導(dǎo)熱系數(shù)測(cè)試儀是現(xiàn)代材料科學(xué)領(lǐng)域中不可或缺的工具，它為研究材料的導(dǎo)熱性能提供了高效、精確的測(cè)試方法。隨著科技的不斷進(jìn)步，導(dǎo)熱系數(shù)測(cè)試儀在材料研發(fā)、質(zhì)量控制和性能評(píng)估等方面發(fā)揮著越來(lái)越重要的作用。上海
2024-04-30 14:59:04217 功率電子學(xué)在現(xiàn)代科技領(lǐng)域扮演著舉足輕重的角色，尤其是在可再生能源和電動(dòng)交通領(lǐng)域。為了滿足日益增長(zhǎng)的高效率、小巧緊湊組件的需求，我們需充分認(rèn)識(shí)并保證寬禁帶（WBG）半導(dǎo)體（如碳化硅（SiC）和氮化鎵
2024-06-07 14:30:31549 半導(dǎo)體已成為綠色能源產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要推動(dòng)力，幫助實(shí)現(xiàn)更高的功效、更小的尺寸、更輕的重量、以及更低的總成本。英飛凌提供廣泛的寬禁帶產(chǎn)品系列和組合，包括硅材料、碳化硅和
2024-06-18 08:14:18258 
7月9日，英飛凌將于2024慕尼黑上海電子展期間在上海舉辦“2024英飛凌寬禁帶論壇”。論壇主題將聚焦于新材料、新應(yīng)用的最新發(fā)展成果，與行業(yè)伙伴一道深入探討寬禁帶領(lǐng)域的應(yīng)用與發(fā)展，攜手推動(dòng)低碳化和數(shù)
2024-06-28 08:14:35411 功率半導(dǎo)體和寬禁半導(dǎo)體是兩種不同類型的半導(dǎo)體材料，它們?cè)陔娮悠骷械膽?yīng)用有著很大的不同。以下是它們之間的一些主要區(qū)別： 材料類型：功率半導(dǎo)體通常由硅（Si）或硅碳化物（SiC）等材料制成，而寬禁
2024-07-31 09:07:12194 寬禁帶半導(dǎo)體材料是指具有較寬的禁帶寬度（Eg>2.3eV）的半導(dǎo)體材料。這類材料具有許多獨(dú)特的物理和化學(xué)性質(zhì)，使其在許多高科技領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用。 在現(xiàn)代電子學(xué)和光電子學(xué)中，半導(dǎo)體材料扮演著至關(guān)重要
2024-07-31 09:09:06457 高壓放大器 在材料測(cè)試中的應(yīng)用是一個(gè)重要而廣泛的領(lǐng)域，涵蓋了多種實(shí)驗(yàn)和研究方向。以下是關(guān)于高壓放大器在材料測(cè)試中應(yīng)用的一些重要方面。 1.材料電學(xué)性質(zhì)研究 高壓放大器在材料測(cè)試中的主要應(yīng)用之一是研究
2024-08-19 15:22:20116 
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