RM新时代网站-首页

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

專門為內(nèi)存顆粒測(cè)試設(shè)計(jì)的DDR4/DDR5 Interposr測(cè)試板

高頻高速研究中心 ? 來源:高頻高速研究中心 ? 作者:迪賽康科技 ? 2022-10-10 09:33 ? 次閱讀

DDR4/DDR5 Interposer產(chǎn)品說明書

應(yīng)用場(chǎng)景:

支持DDR4 DDR5的芯片顆粒測(cè)試,符合JEDEC協(xié)會(huì)規(guī)范。

主要特點(diǎn):

阻抗一致性優(yōu)越,體積緊湊。

極低的插入損耗。

搭配riser板可在所有硬件系統(tǒng)測(cè)試。

各通道skew差異小于±1ps。

8層3階盲埋孔工藝,極限加工。

迪賽康DDR4/DDR5 Interposr測(cè)試板專門為內(nèi)存顆粒測(cè)試設(shè)計(jì),阻抗一致性優(yōu)異,極低延遲,最高速率支持6.4Gbps,可以用于78pin和96pin/102pin封裝的DDR4和DDR5顆粒測(cè)試。

0ae0a668-47bb-11ed-a3b6-dac502259ad0.jpg

內(nèi)存芯片所有信號(hào)均引出板邊,包括電源和地,根據(jù)實(shí)際測(cè)試環(huán)境可選擇使用增高板(Riser)避開周邊干涉。

0af7692a-47bb-11ed-a3b6-dac502259ad0.jpg
0b2d3244-47bb-11ed-a3b6-dac502259ad0.jpg

●因?yàn)樽呔€空間狹小,所以要通過仿真精準(zhǔn)確定層疊和走線拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)

DDR顆粒的Interposer板測(cè)試一般是將DDR4或DDR5顆粒焊接在Interposer上再焊接在產(chǎn)品單板(根據(jù)實(shí)際情況決定是否需要增加riser板避開單板器件)后,上電可以正常開機(jī),表示通過系統(tǒng)檢測(cè),然后就可以通過測(cè)試探頭連接儀器對(duì)相關(guān)的信號(hào)進(jìn)行測(cè)試。

0bda8ab6-47bb-11ed-a3b6-dac502259ad0.jpg0c27d1d6-47bb-11ed-a3b6-dac502259ad0.jpg





審核編輯:劉清

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 連接器
    +關(guān)注

    關(guān)注

    98

    文章

    14453

    瀏覽量

    136398
  • DDR
    DDR
    +關(guān)注

    關(guān)注

    11

    文章

    712

    瀏覽量

    65314

原文標(biāo)題:【迪賽康】DDR4/DDR5 Interposer產(chǎn)品說明書

文章出處:【微信號(hào):si-list,微信公眾號(hào):高頻高速研究中心】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦

    DDR3、DDR4DDR5的性能對(duì)比

    DDR3、DDR4、DDR5是計(jì)算機(jī)內(nèi)存類型的不同階段,分別代表第三代、第四代和第五代雙倍數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SDRAM)。以下是它們之間的性能對(duì)比: 一、速度與帶寬
    的頭像 發(fā)表于 11-29 15:08 ?745次閱讀

    DDR4內(nèi)存適合哪些主板

    DDR4內(nèi)存適合多種類型的主板,主要取決于主板的芯片組和處理器插槽類型。以下是一些常見的支持DDR4內(nèi)存的主板: 一、Intel平臺(tái)主板 Z系列主板 : 如Z370、Z390、Z490
    的頭像 發(fā)表于 11-29 15:03 ?722次閱讀

    DDR5內(nèi)存DDR4內(nèi)存性能差異

    據(jù)傳輸速率相較于DDR4內(nèi)存有了顯著提升。DDR4內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)起始速率2133MT/s,而DDR5
    的頭像 發(fā)表于 11-29 14:58 ?283次閱讀

    DDR5內(nèi)存的工作原理詳解 DDR5DDR4的主要區(qū)別

    實(shí)現(xiàn)性能提升。 2.1 數(shù)據(jù)傳輸速率 DDR5內(nèi)存的數(shù)據(jù)傳輸速率比DDR4更高。DDR4的最高速度3200MT/s,而
    的頭像 發(fā)表于 11-22 15:38 ?481次閱讀

    如何選擇DDR內(nèi)存DDR3與DDR4內(nèi)存區(qū)別

    見的兩種內(nèi)存類型,它們?cè)谛阅?、功耗、容量和兼容性等方面存在顯著差異。 DDR3與DDR4內(nèi)存的區(qū)別 1. 性能 DDR4
    的頭像 發(fā)表于 11-20 14:24 ?721次閱讀

    什么是DDR4內(nèi)存的工作頻率

    DDR4內(nèi)存的工作頻率是指DDR4內(nèi)存條在運(yùn)行時(shí)所能達(dá)到的速度,它是衡量DDR4內(nèi)存性能的一個(gè)重
    的頭像 發(fā)表于 09-04 12:45 ?1308次閱讀

    DDR4內(nèi)存頻率最高多少

    DDR4內(nèi)存頻率的最高值是一個(gè)隨著技術(shù)進(jìn)步而不斷演變的指標(biāo)。目前,DDR4內(nèi)存的頻率已經(jīng)取得了顯著的提升,但具體到最高頻率,則需要結(jié)合多個(gè)方面來討論。
    的頭像 發(fā)表于 09-04 12:37 ?2350次閱讀

    什么是DDR4內(nèi)存模塊

    DDR4內(nèi)存模塊是計(jì)算機(jī)內(nèi)存技術(shù)的一項(xiàng)重要進(jìn)步,它是Double Data Rate(雙倍數(shù)據(jù)速率)第四代內(nèi)存技術(shù)的具體實(shí)現(xiàn)形式。
    的頭像 發(fā)表于 09-04 12:35 ?573次閱讀

    Introspect DDR5/LPDDR5總線協(xié)議分析儀

    DDR5 RDIMM及支持下一代MR-DIMM單體測(cè)試驗(yàn)證系統(tǒng) (DDR5 MR-DIMM Module Test System), 支持的速率可高達(dá)17.4Gbps. DDR5
    發(fā)表于 08-06 12:03

    DDR5內(nèi)存條上的時(shí)鐘走線

    DDR5標(biāo)準(zhǔn)JESD79-5文件中沒有明確的控制阻抗建議,DDR4時(shí)代基本內(nèi)存條上時(shí)鐘阻抗還是跟著芯片、主板走的70-80歐姆。線寬相對(duì)而言比較細(xì)。不知道你開始使用
    的頭像 發(fā)表于 07-16 17:47 ?1751次閱讀
    <b class='flag-5'>DDR5</b><b class='flag-5'>內(nèi)存</b>條上的時(shí)鐘走線

    0706線下活動(dòng) I DDR4/DDR5內(nèi)存技術(shù)高速信號(hào)專題設(shè)計(jì)技術(shù)交流活動(dòng)

    01活動(dòng)主題DDR4/DDR5內(nèi)存技術(shù)高速信號(hào)專題設(shè)計(jì)技術(shù)交流活動(dòng)時(shí)間:2024年7月6日(本周六)10:00地點(diǎn):深圳市南山區(qū)科技南十二路曙光大廈1002(深圳地鐵1號(hào)線,高新園地鐵站D出口200
    的頭像 發(fā)表于 07-06 08:12 ?329次閱讀
    0706線下活動(dòng) I <b class='flag-5'>DDR4</b>/<b class='flag-5'>DDR5</b><b class='flag-5'>內(nèi)存</b>技術(shù)高速信號(hào)專題設(shè)計(jì)技術(shù)交流活動(dòng)

    南亞科技明年初試產(chǎn)DDR5內(nèi)存顆粒,四款1Bnm制程DRAM產(chǎn)品已投產(chǎn)

    據(jù)悉,現(xiàn)有的南亞科技已投入8/4Gb DDR4內(nèi)存以及16Gb DDR5內(nèi)存的1B nm制程試生產(chǎn)中。他們計(jì)劃下半年少量推出
    的頭像 發(fā)表于 05-30 15:41 ?912次閱讀

    DDR6和DDR5內(nèi)存的區(qū)別有多大?怎么選擇更好?

    DDR6和DDR5內(nèi)存的區(qū)別有多大?怎么選擇更好? DDR6和DDR5是兩種不同的內(nèi)存技術(shù),它們
    的頭像 發(fā)表于 01-12 16:43 ?8497次閱讀

    DDR4信號(hào)完整性測(cè)試要求

    DDR5已經(jīng)開始商用,但是有的產(chǎn)品還才開始使用DDR4。本文分享一些DDR4測(cè)試內(nèi)容。DDR4 和前代的
    的頭像 發(fā)表于 01-08 09:18 ?1962次閱讀
    <b class='flag-5'>DDR4</b>信號(hào)完整性<b class='flag-5'>測(cè)試</b>要求

    影馳HOF PRO DDR5 7000內(nèi)存詳細(xì)評(píng)測(cè)報(bào)告

    在最為重要的內(nèi)存顆粒上,根據(jù)軟件檢測(cè),這款內(nèi)存采用了編號(hào)為“H5CG48AEBDX018”的SK海力士A-die顆粒,與市面上大部分
    發(fā)表于 01-02 14:37 ?766次閱讀
    影馳HOF PRO <b class='flag-5'>DDR5</b> 7000<b class='flag-5'>內(nèi)存</b>詳細(xì)評(píng)測(cè)報(bào)告
    RM新时代网站-首页