隨著半導(dǎo)體元件的制造工程接近物理界限，允許將多個(gè)元件聚集在一起封裝成單一的電子元件，進(jìn)而提高半導(dǎo)體性能的先進(jìn)封裝技術(shù)成為了競(jìng)爭(zhēng)的關(guān)鍵。三星準(zhǔn)備了自己的先進(jìn)封裝解決方案，正在與臺(tái)積電的cowos包裝技術(shù)展開(kāi)競(jìng)爭(zhēng)。

三星計(jì)劃在2024年先進(jìn)3D芯片封裝技術(shù)SAINT（Samsung Advanced Interconnection Technology，三星高級(jí)互連技術(shù)），能以更小尺寸的封裝，將AI芯片等高性能芯片的內(nèi)存和處理器集成。三星SAINT將被用來(lái)制定各種不同的解決方案，可提供三種類型的封裝技術(shù)，其中包括：

SAINT S - 用于垂直堆疊SRAM存儲(chǔ)芯片和CPU

SAINT D - 用于垂直封裝CPU、GPU和DRAM等核心IP

SAINT L - 用于堆疊應(yīng)用處理器（AP）

三星雖然已經(jīng)通過(guò)了驗(yàn)證測(cè)試，但是通過(guò)與顧客的追加測(cè)試，計(jì)劃明年以提高數(shù)據(jù)中心的ai芯片和內(nèi)置ai功能的手機(jī)應(yīng)用處理器（處理器）的性能為目標(biāo)，擴(kuò)大服務(wù)。

如果一切都能按計(jì)劃進(jìn)行，三星SAINT有可能從競(jìng)爭(zhēng)公司確保部分市場(chǎng)占有率。但nvidia和amd等公司是否滿意他們提供的技術(shù)，還有待觀察。

據(jù)報(bào)道，三星正在爭(zhēng)奪大量hbm內(nèi)存訂單，這些訂單將繼續(xù)支持英偉達(dá)的下一代blackwell ai gpu。三星最近推出了synnevolt“hbm3e”存儲(chǔ)器，并承攬了amd新一代Instinct加速器的訂單，但與掌握人工智能市場(chǎng)約90%的英偉達(dá)相比，還是微不足道的水平。兩家公司的hbm3預(yù)計(jì)將在2025年之前完成訂單銷售，ai gpu市場(chǎng)仍保持旺盛的需求。

隨著該公司從單一芯片設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)換為以晶片（chiplet）為基礎(chǔ)的架構(gòu)，尖端包裝將向前邁進(jìn)一步。

臺(tái)積電在擴(kuò)張cowos設(shè)備的同時(shí)，對(duì)本公司的3d開(kāi)關(guān)型技術(shù)soic的測(cè)試及升級(jí)進(jìn)行了大量投資，滿足了蘋(píng)果和英偉達(dá)等顧客的要求。臺(tái)灣積累電力公社表示，今年7月將投資900億元臺(tái)幣（約29億美元），新建先進(jìn)的成套工廠。英特爾開(kāi)始利用本公司的新一代3d芯片包裝技術(shù)——fooveros制造尖端芯片。

世界第三大企業(yè)umc推出晶圓對(duì)晶圓（Wafer-to-Wafer，W2W）3D IC項(xiàng)目，利用硅堆棧技術(shù)的高效率綜合存儲(chǔ)器及處理器解決方案。