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標(biāo)簽 > 3D芯片
3D芯片是采用3D Tri-Gate晶體設(shè)計制造工藝技術(shù)，依靠3D三門晶體管生產(chǎn)的處理器芯片。3D芯片仍采用多核，不同的是，多個處理器不再并排相連，而是上下平行地連在一起。這樣，線纜的分布面積就擴大至整個處理器的表面，而且平行結(jié)構(gòu)也有效縮短了各個處理器之間纜線的長度。
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Moldex3D芯片封裝模塊，能協(xié)助設(shè)計師分析不同的芯片封裝成型制程。在轉(zhuǎn)注成型分析(TransferMolding)與成型底部填膠分析(MoldedU...
AMD硅芯片設(shè)計中112G PAM4串?dāng)_優(yōu)化分析
在當(dāng)前高速設(shè)計中，主流的還是PAM4的設(shè)計，包括當(dāng)前的56G，112G以及接下來的224G依然還是這樣。突破摩爾定律2.5D和3D芯片的設(shè)計又給高密度高...
納米片晶體管并不能拯救摩爾定律，也不能解決代工廠在最先進(jìn)工藝節(jié)點上面臨的所有挑戰(zhàn)。為了克服這些問題，代工廠正在尋求各種創(chuàng)新，例如背面供電（BSPD），以...
《先進(jìn)半導(dǎo)體封裝材料及工藝-2023版》
從封裝的角度來看，要提高帶寬，需要考慮兩個關(guān)鍵因素：I/O（輸入/輸出）總數(shù)和每個I/O的比特率。增加I/O總數(shù)需要在每個布線層/再分布層（RDL）中實...
2023-07-05 標(biāo)簽：光刻半導(dǎo)體封裝3D芯片 697 0
Infineon芯片是一種多集成的無線基帶SoC芯片。功能(GPS、調(diào)頻收音機、BT.)同樣的eWLB產(chǎn)品也有自2010年以來，諾基亞一直在生產(chǎn)手機。
然已經(jīng)有很多關(guān)于 3D 設(shè)計的討論，但對于 3D 的含義有多種解釋。然而，這不僅僅是語義，因為每個封裝選項都需要不同的設(shè)計方法和技術(shù)。
Lge(無線基帶)、Samsung(基帶調(diào)制解調(diào)器)和Nokia(基帶調(diào)制解調(diào)器和射頻收發(fā)器)使用了Infineon的eWLB他們的手機產(chǎn)品。
2023-03-27 標(biāo)簽：調(diào)制解調(diào)器封裝技術(shù)3D芯片 682 0
3D IC制造技術(shù)已成主流，異構(gòu)3D IC還有待進(jìn)步
多年來，3D IC技術(shù)已從初始階段發(fā)展成為一種成熟的主流制造技術(shù)。EDA行業(yè)引入了許多工具和技術(shù)來幫助設(shè)計采用3D IC路徑的產(chǎn)品。最近，復(fù)雜的SoC實...
什么是3D芯片堆疊技術(shù)3D芯片堆疊技術(shù)的發(fā)展歷程和詳細(xì)資料簡介
近日，武漢新芯研發(fā)成功的三片晶圓堆疊技術(shù)備受關(guān)注。有人說，該技術(shù)在國際上都處于先進(jìn)水平，還有人說能夠“延續(xù)”摩爾定律。既然3D芯片堆疊技術(shù)有如此大的作用...
先進(jìn)3D芯片堆疊的精細(xì)節(jié)距微凸點互連
本文研究主要考慮基于CuSn金屬互化物的微凸點(bump)作為芯片堆疊的手段。系統(tǒng)研究了形成金屬互化物凸點連接的兩種方法。一：瞬時液相(TLP)鍵合，在...
在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，技術(shù)的每一次革新都標(biāo)志著行業(yè)邁向新的里程碑。近年來，隨著芯片性能需求的不斷提升，傳統(tǒng)的二維封裝技術(shù)已難以滿足日益增長的數(shù)據(jù)處理速度和功...
3D芯片技術(shù)成關(guān)鍵，AR原型芯片獲得巨大的性能提升
增強現(xiàn)實系統(tǒng)的設(shè)計存在諸多限制，尤其是眼鏡形態(tài)，AR 眼鏡身形狹小，所以搭載的芯片在能效和性能方面均有高度要求。
2024-02-29 標(biāo)簽：晶圓3D芯片機器學(xué)習(xí) 1187 0
最新技術(shù)！英特爾于IFS Direct Connect會議上公布3D芯片技術(shù)、邏輯單元、背面供電等未來代工技術(shù)！
來源：IEEE Spectrum 編譯：化合物半導(dǎo)體雜志 近日，在一場于圣何塞僅限受邀者參加的活動舉行之前的一次獨家采訪中，英特爾通過分享其未來數(shù)據(jù)中心...
Foveros技術(shù)的核心在于實現(xiàn)芯片的3D堆疊，這涉及到如何將不同芯片之間進(jìn)行精確對準(zhǔn)和連接。由于芯片之間的間距很小，對準(zhǔn)的精度要求非常高，這需要高精度...
IMEC預(yù)計，到2032年，工藝節(jié)點縮小的速度將會放緩，迫使人們更加依賴小芯片和先進(jìn)封裝的混合搭配使用，以及那些不斷縮小尺寸的高性能邏輯組件。
圍繞 3D異構(gòu)集成(3DHI：heterogeneous integration )的活動正在升溫，原因是政府的支持不斷增加、需要向系統(tǒng)中添加更多功能和計算元素
臺積電擴產(chǎn)SoIC 明年月產(chǎn)能將超3000片
半導(dǎo)體芯片soic是業(yè)界最早的高密度3d芯片技術(shù)，可以通過Chip on Wafer（CoW）封裝技術(shù)與多晶圓堆疊（WoW）封裝技術(shù)，可以將不同尺寸、功...
2023-11-20 標(biāo)簽：封裝技術(shù)3D芯片半導(dǎo)體芯片 877 0
三星2024年將推出先進(jìn)3D芯片封裝技術(shù)SAINT
三星計劃在2024年先進(jìn)3D芯片封裝技術(shù)SAINT（Samsung Advanced Interconnection Technology，三星高級互連...
臺積電推出3Dblox 2.0標(biāo)準(zhǔn)，促進(jìn)3D芯片架構(gòu)設(shè)計
半導(dǎo)體公司在2022年提出了3dblox開放型標(biāo)準(zhǔn)，以簡化半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的3d芯片設(shè)計和模式化。臺積電表示，在大規(guī)模生態(tài)系統(tǒng)的支持下，3dblox成為未來3...
硅光產(chǎn)業(yè)化競賽一觸即發(fā)，中國大陸或已悄然起跑
英特爾計劃到2025年為止，在馬來西亞包括新的3d封裝工廠，將先進(jìn)ic封裝能力增加4倍左右。英特爾負(fù)責(zé)制造供應(yīng)網(wǎng)及運營的副總經(jīng)理Robin Martin...
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