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三星電子推出首款36GB HBM3E 12H DRAM

CHANBAEK ? 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 2024-03-08 10:04 ? 次閱讀

三星電子近期研發(fā)的這款36GB HBM3E 12H DRAM確實(shí)在業(yè)界引起了廣泛關(guān)注。其宣稱(chēng)的帶寬新紀(jì)錄,不僅展現(xiàn)了三星在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的持續(xù)創(chuàng)新能力,也為整個(gè)存儲(chǔ)行業(yè)樹(shù)立了新的性能標(biāo)桿。

HBM(High Bandwidth Memory,高帶寬內(nèi)存)是一種專(zhuān)為高性能計(jì)算設(shè)計(jì)的內(nèi)存技術(shù),其特點(diǎn)在于極高的數(shù)據(jù)傳輸速率和低延遲。而HBM3E作為HBM的進(jìn)化版本,更是在性能上有了顯著的提升。三星的這款36GB HBM3E 12H DRAM,不僅容量大,而且?guī)挊O高,非常適合用于處理大規(guī)模數(shù)據(jù)和復(fù)雜計(jì)算任務(wù)。

三星能夠?qū)崿F(xiàn)如此高的性能,關(guān)鍵在于其采用了先進(jìn)的熱壓縮非導(dǎo)電薄膜技術(shù)。這種技術(shù)允許三星在相同的面積內(nèi)堆疊更多的DRAM層數(shù),從而實(shí)現(xiàn)了更高的存儲(chǔ)密度。傳統(tǒng)的DRAM可能只能在相同面積內(nèi)堆疊8層,但三星通過(guò)這一技術(shù),成功地將層數(shù)提升到了12層。這不僅提高了存儲(chǔ)密度,還有助于提升整體性能。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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