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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲技術>三星重磅發(fā)布全新12層36GB HBM3e DRAM

三星重磅發(fā)布全新12層36GB HBM3e DRAM

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2019-08-05 22:52:59

請問Samsung BGND3R字庫可以更換為128GB的字庫嗎?

筆者有個筆記本使用的三星Samsung BGND3R 32GB eMMC字庫,想升級一下,請問可以更換那些字庫?可以更換128GB的哪些型號?N3150 Braswell平臺
2020-06-09 06:36:04

追求性能提升 使用8GB HBM2顯存

更積極,繼Altera之后賽靈思也宣布了集成HBM 2做內(nèi)存的FPGA新品,而且用了8GB容量。    HBM顯存雖然首發(fā)于AMD顯卡上,不過HBM 2這一代FPGA廠商比GPU廠商更積極  AMD
2016-12-07 15:54:22

高價回收三星芯片,專業(yè)收購三星芯片

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2021-07-06 19:32:41

高價收購三星DDR3

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2021-09-23 19:20:15

高價收購三星字庫

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2021-02-23 17:54:12

三星宣布將量產(chǎn)全球首款12GbLPDDR5DRAM

近日,三星官方宣布,公司將量產(chǎn)全球首款12Gb LPDDR5 DRAM。據(jù)了解,三星12Gb LPDDR5 DRAM主要針對未來智能手機,優(yōu)化其5G和AI功能。
2019-07-31 15:45:472816

三星發(fā)布HBM2E存儲芯片,其代號Flashbolt

三星近日發(fā)布了代號為“Flashbolt”的HBM2E存儲芯片,HBM2E單顆最大容量為16GB,由8顆16GbDRAM顆粒堆迭而成,單個封裝可實現(xiàn)16GB容量。
2020-02-05 23:34:453269

SK海力士開發(fā)出全球最高規(guī)格HBM3E

sk海力士表示:“以唯一批量生產(chǎn)hbm3的經(jīng)驗為基礎,成功開發(fā)出了世界最高性能的擴展版hbm3e。“將以業(yè)界最大規(guī)模的hbm供應經(jīng)驗和量產(chǎn)成熟度為基礎,從明年上半年開始批量生產(chǎn)hbm3e,鞏固在針對ai的存儲器市場上的獨一無二的地位。”
2023-08-21 09:21:49585

SK海力士推全球最高性能HBM3E內(nèi)存

HBM3E內(nèi)存(也可以說是顯存)主要面向AI應用,是HBM3規(guī)范的擴展,它有著當前最好的性能,而且在容量、散熱及用戶友好性上全面針對AI優(yōu)化。
2023-08-22 16:28:07575

HBM3E明年商業(yè)出貨,兼具高速和低成本優(yōu)點

,skjmnft同時已經(jīng)向英偉達等用戶ERP交付樣品。 該公司的HBM3E內(nèi)存采用 eight-tier 布局,每個堆棧為24 GB,采用1β 技術生產(chǎn),具備出色的性能。Multiable萬達寶ERP具備數(shù)字化管理各個業(yè)務板塊,提升
2023-10-10 10:25:46428

預計英偉達將于Q1完成HBM3e驗證 2026年HBM4將推出

由于hbm芯片的驗證過程復雜,預計需要2個季度左右的時間,因此業(yè)界預測,最快將于2023年末得到部分企業(yè)對hbm3e的驗證結果。但是,驗證工作可能會在2024年第一季度完成。機構表示,各原工廠的hbm3e驗證結果將最終決定英偉達hbm購買分配權重值,還需要進一步觀察。
2023-11-27 15:03:57457

英偉達將于Q1完成HBM3e驗證 2026年HBM4將推出

由于hbm芯片的驗證過程復雜,預計需要2個季度左右的時間,因此業(yè)界預測,最快將于2023年末得到部分企業(yè)對hbm3e的驗證結果。但是,驗證工作可能會在2024年第一季度完成。機構表示,各原工廠的hbm3e驗證結果將最終決定英偉達hbm購買分配權重值,還需要進一步觀察。
2023-11-29 14:13:30376

英偉達斥資預購HBM3內(nèi)存,為H200及超級芯片儲備產(chǎn)能

據(jù)最新傳聞,英偉達正在籌劃發(fā)布兩款搭載HBM3E內(nèi)存的新品——包括141GB HBM3E的H200 GPU及GH200超級芯片,這也進一步說明了對于HBM內(nèi)存的大量需求。
2024-01-02 09:27:04276

三星/SK海力士已開始訂購DRAM機群工藝和HBM相關設備

數(shù)據(jù)顯示,首爾半導體操作 DRAM晶圓及HBM相關設備的定單數(shù)量有所上升。其中三星電子已開始擴大其HBM生產(chǎn)能力,并啟動大規(guī)模HBM設備采購;此外,三星和SK海力士計劃加強DRAM技術轉移,進一步加大對DRAM的投資力度。
2024-01-08 10:25:22403

AMD發(fā)布HBM3e AI加速器升級版,2025年推新款Instinct MI

目前,只有英偉達的Hopper GH200芯片配備了HBM3e內(nèi)存。與現(xiàn)有的HBM3相比,HBM3e的速度提升了50%,單個平臺可以達到10TB/s的帶寬,單顆芯片能夠實現(xiàn)5TB/s的傳輸速率,內(nèi)存容量高達141GB。
2024-02-25 11:22:42135

美光科技批量生產(chǎn)HBM3E,推動人工智能發(fā)展

美光執(zhí)行副總裁兼首席商務官薩達納(Sumit Sadana)稱,公司已實現(xiàn)HBM3E的市場首發(fā)和卓越性能,同時能耗具有顯著優(yōu)勢,使公司在AI加速領域穩(wěn)占先機。他還強調,美光擁有業(yè)界頂尖的HBM3EHBM4路線圖,DRAM與NAND技術相結合
2024-02-27 09:38:42127

三星發(fā)布首款12層堆疊HBM3E DRAM,帶寬高達1280GB/s,容量達36G

“隨著AI行業(yè)對大容量HBM的需求日益增大,我們的新產(chǎn)品HBM3E 12H應運而生,”三星電子內(nèi)存規(guī)劃部門Yongcheol Bae解釋道,“這個存儲方案是我們在人人工智能時代所推崇的HBM核心技術、以及創(chuàng)新堆疊技術的成果展示?!?/div>
2024-02-27 10:36:25232

三星電子成功發(fā)布其首款12層堆疊HBM3E DRAMHBM3E 12H

2024年2月27日 - 三星電子今日宣布,公司成功發(fā)布其首款12層堆疊HBM3E DRAM——HBM3E 12H,這是三星目前為止容量最大的HBM產(chǎn)品。
2024-02-27 11:07:00269

三星發(fā)布首款12層堆疊HBM3E DRAM

近日,三星電子宣布,已成功發(fā)布其首款12層堆疊的高帶寬內(nèi)存(HBM3E)產(chǎn)品——HBM3E 12H,再次鞏固了其在半導體技術領域的領先地位。據(jù)了解,HBM3E 12H不僅是三星迄今為止容量最大的HBM產(chǎn)品,其性能也實現(xiàn)了質的飛躍。
2024-02-27 14:28:21390

三星開創(chuàng)性研發(fā)出12層堆疊HBM3E 12H高帶寬存儲芯片,存儲容量高達36

三星在技術上采用了最新的熱壓力傳導性膜(TC NCF)技術,成功維持了12層產(chǎn)品的高度與其前身8層HBM芯片保持一致,滿足了現(xiàn)有的HBM封裝要求。
2024-02-27 16:37:45430

美光新款高頻寬記憶體HBM3E將被用于英偉達H200

美光在該領域處于業(yè)界領先地位。這一消息推動美光股價在當天上漲4%,27日美股早盤繼續(xù)上漲逾2.5%。 HBM3E是第五代高頻寬記憶體,目前提供的容量為24GB,每腳位傳輸速率超過每秒9.2 Gb,記憶體
2024-02-28 14:17:10173

美光開始量產(chǎn)行業(yè)領先的 HBM3E 解決方案,加速人工智能發(fā)展

HBM3E 高帶寬內(nèi)存 解決方案。英偉達 H200 Tensor Core GPU?將采用美光 8 層堆疊的 24GB?容量 HBM3E?內(nèi)存,并于 2024?年第二季度開始出貨。美光通過這一
2024-03-04 14:51:51569

美光量產(chǎn)行業(yè)領先的HBM3E解決方案,加速人工智能發(fā)展

內(nèi)存解決方案。英偉達 H200 Tensor Core GPU 將采用美光 8 層堆疊的 24GB 容量 HBM3E 內(nèi)存,并于 2024 年第二季度開始出貨。美光通過這一里程碑式進展持續(xù)保持行業(yè)
2024-03-04 18:51:41765

三星電子推出首款36GB HBM3E 12H DRAM

三星電子近期研發(fā)的這款36GB HBM3E 12H DRAM確實在業(yè)界引起了廣泛關注。其宣稱的帶寬新紀錄,不僅展現(xiàn)了三星在半導體技術領域的持續(xù)創(chuàng)新能力,也為整個存儲行業(yè)樹立了新的性能標桿。
2024-03-08 10:04:42195

三星電子發(fā)布業(yè)界最大容量HBM

三星電子近日宣布,公司成功研發(fā)并發(fā)布了其首款12層堆疊HBM3E DRAM,即HBM3E 12H,該產(chǎn)品在帶寬和容量上均實現(xiàn)了顯著的提升,這也意味著三星已開發(fā)出業(yè)界迄今為止容量最大的新型高帶寬存儲器(HBM)。
2024-03-08 10:10:51179

什么是HBM3E內(nèi)存?Rambus HBM3E/3內(nèi)存控制器內(nèi)核

Rambus HBM3E/3 內(nèi)存控制器內(nèi)核針對高帶寬和低延遲進行了優(yōu)化,以緊湊的外形和高能效的封裝為人工智能訓練提供了最大的性能和靈活性。
2024-03-20 14:12:37314

SK海力士成功量產(chǎn)超高性能AI存儲器HBM3E

HBM3E的推出,標志著SK海力士在高性能存儲器領域取得了重大突破,將現(xiàn)有DRAM技術推向了新的高度。
2024-03-20 15:23:53379

英偉達CEO贊譽三星HBM內(nèi)存,計劃采購

 提及此前有人預測英偉達可能向三星購買HBM3或HBM3E等內(nèi)存,黃仁勛在會上直接認可三星實力,稱其為“極具價值的公司”。他透露目前已對三星HBM內(nèi)存進行測試,未來可能增加采購量。
2024-03-20 16:17:24390

NVIDIA預定購三星獨家供應的大量12HBM3E內(nèi)存

據(jù)悉,HBM3E 12H內(nèi)存具備高達1280GB/s的寬帶速率以及36GB的超大存儲容量,較8層堆疊的HBM3 8H,分別提升了50%以上的帶寬及容量。
2024-03-25 15:36:1194

三星獨家供貨英偉達12HBM3E內(nèi)存

據(jù)最新消息透露,英偉達即將從今年9月開始大規(guī)模采購12HBM3E內(nèi)存,而這次供貨的重任將完全由三星電子承擔。這一消息無疑為業(yè)內(nèi)帶來了不小的震動。
2024-03-26 10:59:06146

三星電子HBM存儲技術進展:12HBM3E芯片,2TB/s帶寬HBM4即將上市

據(jù)業(yè)內(nèi)透露,三星HBM3E芯片研發(fā)方面遙遙領先其他公司,有能力在2024年9月實現(xiàn)對英偉達的替代,這意味著它將成為英偉達12HBM3E的壟斷供應商。然而,三星方面不愿透露具體客戶信息。
2024-03-27 09:30:09107

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